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公开(公告)号：CN112313580A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201980041217.8
申请日：2019-05-22
申请人： 荣昌化学制品株式会社
摘要： 本发明涉及一种通过添加能够提高用于形成半导体图案的透过率的树脂而表现与以往的KrF正性光刻胶相比垂直的(Vertical)轮廓的KrF光源用光刻胶组合物。作为一种图形轮廓改善用化学增幅型正性光刻胶组合物，其特征在于，相比于组合物总重量，包含5至60重量％的聚合物树脂、0.1至10重量％的由化学式1表示的透过率提高树脂添加物、0.05至10重量％的光致酸产生剂、0.01至5重量％的酸扩散抑制剂以及剩余的溶液。本发明，具有提供与以往正性光刻胶相比具备垂直的(Vertical)轮廓及改善的感光度，同时工艺裕度优异的组合物的效果。
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公开(公告)号：CN112272799A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201980038436.0
申请日：2019-05-22
申请人： 荣昌化学制品株式会社
摘要： 本发明涉及一种用于减少由极紫外光曝光光源所限定的包括聚羟基苯乙烯(polyhydroxystyrene)的光致抗蚀剂图案的坍塌的工艺液体组合物及利用其的图案形成方法，其中，所述工艺液体组合物包括：0.0001至1重量％的HLB值为9至16的非离子表面活性剂；0.0001至1重量％的选自由四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵或其混合物所组成的组中的碱性物质；及98至99.9998重量％的水。本发明具有减少由极紫外光曝光光源所限定的包括聚羟基苯乙烯的光致抗蚀剂图案的坍塌的效果。
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公开(公告)号：CN109313401A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780038755.2
申请日：2017-06-20
申请人： 荣昌化学制品株式会社
摘要： 本发明的目的在于，在半导体制造工艺中提供利用光致抗蚀剂可缩小(Shrink)光致抗蚀剂图案的光致抗蚀剂图案缩小用组合物与利用该组合物的图案缩小方法，在形成光致抗蚀剂图案时，缩小要形成的图案，大幅度减少半导体制造工艺的工艺数量，不仅如此还节省制造时间以及制造成本。
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公开(公告)号：CN109073973A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780019170.6
申请日：2017-03-22
申请人： 荣昌化学制品株式会社
摘要： 本发明涉及用具有高分辨率和高纵横比的KrF激光用负性光致抗蚀剂组合物；更详细地说，提供如下的KrF激光用负性光致抗蚀剂组合物：为了改善现有的负性光致抗蚀剂的物理性质而包含特定化合物，进而相比于现有的负性光致抗蚀剂，在短波长曝光光源中也能够防止精细图案坍塌，不仅如此还能够实现高分辨率以及高纵横比，进而适合用于半导体工艺。
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公开(公告)号：CN108027569A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680052664.X
申请日：2016-08-26
申请人： 荣昌化学制品株式会社
IPC分类号： G03F7/32 , G02B5/20 , H01L27/146
摘要： 本发明涉及彩色滤光片图像传感器用显影剂组合物，更详细地说涉及显影力优秀，并且能够更均匀地形成图案且不会在显影后在基板上留下光致抗蚀剂残留物的彩色滤光片图像传感器用显影剂组合物。
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