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公开(公告)号：CN109844639B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN201780063653.6
申请日：2017-10-12
申请人： 荣昌化学制品株式会社
摘要： 本发明为了提供有用于半导体光刻工艺的具有高耐蚀刻性的硬掩膜组合物，提供包含二苯并咔唑(dibenzo carbazole)聚合物的旋涂式硬掩膜组合物以及通过旋涂将该组合物进行涂敷于被蚀刻层上部的工艺以及烘烤工艺形成硬掩膜层的图案化方法，本发明的硬掩膜具有能够承受多重蚀刻(mutil etch)过程的高耐蚀刻性、优秀的溶解度特性以及机械特性的效果。
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公开(公告)号：CN113557272B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202080018652.1
申请日：2020-03-02
申请人： 荣昌化学制品株式会社
IPC分类号： C11D7/04 , C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/3105
摘要： 本发明涉及一种CMP用浆料组合物及使用其的研磨方法，更具体地，通过去除作为研磨材料的硅溶胶的ζ电位(Zeta potential)和金属杂质提高氧化硅膜的研磨性能并最小化刮伤缺陷，可以通过调节添加剂和研磨材料的含量来自由地调节对氧化硅膜、氮化硅膜及多晶硅膜的选择性比以进行研磨，从而提供一种能够有效地应用于去除氧化硅膜的段差的半导体工艺及需要相对于氮化硅膜选择性地去除氧化硅膜及多晶硅膜的半导体制造工艺中的CMP用浆料组合物及使用其的研磨方法。
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公开(公告)号：CN109073973B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201780019170.6
申请日：2017-03-22
申请人： 荣昌化学制品株式会社
摘要： 本发明涉及用具有高分辨率和高纵横比的KrF激光用负性光致抗蚀剂组合物；更详细地说，提供如下的KrF激光用负性光致抗蚀剂组合物：为了改善现有的负性光致抗蚀剂的物理性质而包含特定化合物，进而相比于现有的负性光致抗蚀剂，在短波长曝光光源中也能够防止精细图案坍塌，不仅如此还能够实现高分辨率以及高纵横比，进而适合用于半导体工艺。
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公开(公告)号：CN113424299A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080012482.6
申请日：2020-01-17
申请人： 荣昌化学制品株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/02 , C11D11/00 , C11D7/50
摘要： 本发明的目的在于提供一种在半导体制造工艺中用于实现纵横比大的微细硅图案的工艺，涉及一种为了形成微细硅图案，且为了清除残留在图案下部的有机碳膜不纯物质及由烟气产生的不纯物质而进行清洗工程，以形成所希望的图案而不发生图案被升起的新的清洗方法，具有提供细微图案形成方法的效果。
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公开(公告)号：CN107850841B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201680043047.3
申请日：2016-06-27
申请人： 荣昌化学制品株式会社
摘要： 本发明涉及用于形成半导体图案的KrF激光用负性光致抗蚀剂组合物。更详细地说，提供如下的KrF激光用负性光致抗蚀剂组合物：为了改善现有的负性光致抗蚀剂的物理性质而包含特定化合物，进而相比于现有的负性光致抗蚀剂，在短波长曝光源中具有高透明度、高分辨率，同时具有优秀的轮廓，进而适合用于半导体工艺。
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公开(公告)号：CN112313582A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201980038437.5
申请日：2019-05-22
申请人： 荣昌化学制品株式会社
摘要： 本发明涉及一种用于减少由极紫外光曝光光源所限定的包括聚羟基苯乙烯(polyhydroxystyrene)的光致抗蚀剂图案的微桥缺陷改善用工艺液体组合物及利用其的图案形成方法，其中，所述工艺液体组合物包括：0.0001至1重量％的碱性物质；0.0001至1重量％的HLB值为9至16的非离子表面活性剂；及98至99.9998重量％的水。本发明减少由极紫外光曝光光源所限定的包括聚羟基苯乙烯的光致抗蚀剂图案的微桥缺陷数，且具有线宽粗糙度(LWR)值低而提升图案的均匀度的效果。
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公开(公告)号：CN108026434B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201680056096.0
申请日：2016-09-23
申请人： 荣昌化学制品株式会社 , SKC株式会社
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304 , H01L21/306
摘要： 本发明涉及CMP用浆料组合物及利用该组合物的抛光方法，更详细地说，提供如下的CMP用浆料组合物及利用该组合物的抛光方法：通过调节添加剂以及溶剂的含量，可自由调节氧化硅膜、氮化硅膜以及多晶硅膜的选择比来进行抛光，因此可有效地适用于要求对于氧化硅膜选择性去除氮化硅膜以及多晶硅膜的半导体制造工艺。
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公开(公告)号：CN116194842A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202180064462.8
申请日：2021-08-26
申请人： 荣昌化学制品株式会社
IPC分类号： G03F7/038
摘要： 本发明的目的在于提供一种相比于现有的I‑线用负性光致抗蚀剂显示出优异的工艺余裕的I‑线用负性光致抗蚀剂组合物。在接触孔(Contact hole)图案的情况下，目的在于改善图案形成时中间部分凹陷的问题。涉及一种在半导体工艺的图案形成工艺中用于改善中间部分凹陷的中心‑边缘之间的台阶差和LER(Line and Edge Roughness：线边缘粗糙度)的I‑线用负性光致抗蚀剂组合物，所述I‑线用负性光致抗蚀剂组合物为由聚合物树脂、由下述化学式1表示的化合物、交联剂、光致产酸剂、酸扩散抑制剂及溶剂组成的组合物。
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公开(公告)号：CN113557592A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202080020185.6
申请日：2020-03-06
申请人： 荣昌化学制品株式会社
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/324 , G03F7/20 , G03F7/16
摘要： 本发明为用于在半导体制造工艺中形成蚀刻图案的方法，其在蚀刻工艺前，将通常在晶片上形成光刻胶膜/反射防止膜/SiON膜/有机硬掩膜的4层的以往方法，改变为只形成由光刻胶膜/多功能有机无机掩膜构成的2个层而体现相同的蚀刻图案的创新性方法，与以往的方法相比，绝对简化工艺，巨大地改善生产时间和费用，不再需要现有方法中使用的昂贵的涂覆及沉积装备，因而表现出能够减小SiON沉积时所需的昂贵前体或对于有机硬掩膜的费用及沉积时所需相关装备的投资或维护费用的卓越效果。
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