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公开(公告)号：CN109844639B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN201780063653.6
申请日：2017-10-12
申请人： 荣昌化学制品株式会社
摘要： 本发明为了提供有用于半导体光刻工艺的具有高耐蚀刻性的硬掩膜组合物，提供包含二苯并咔唑(dibenzo carbazole)聚合物的旋涂式硬掩膜组合物以及通过旋涂将该组合物进行涂敷于被蚀刻层上部的工艺以及烘烤工艺形成硬掩膜层的图案化方法，本发明的硬掩膜具有能够承受多重蚀刻(mutil etch)过程的高耐蚀刻性、优秀的溶解度特性以及机械特性的效果。
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公开(公告)号：CN113424299A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080012482.6
申请日：2020-01-17
申请人： 荣昌化学制品株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/02 , C11D11/00 , C11D7/50
摘要： 本发明的目的在于提供一种在半导体制造工艺中用于实现纵横比大的微细硅图案的工艺，涉及一种为了形成微细硅图案，且为了清除残留在图案下部的有机碳膜不纯物质及由烟气产生的不纯物质而进行清洗工程，以形成所希望的图案而不发生图案被升起的新的清洗方法，具有提供细微图案形成方法的效果。
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公开(公告)号：CN116097398A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202180054452.6
申请日：2021-08-04
申请人： 荣昌化学制品株式会社
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 本发明涉及一种极紫外光刻用工艺液体组合物及利用其的图案形成方法。所述工艺液体组合物由0.00001至0.01重量％的氟系表面活性剂，0.00001至小于0.001重量％的由化学式(1)表示的图案增强剂，0.00001至0.01重量％的选自由三元醇衍生物、四元醇衍生物或它们的混合物所组成的组的物质，及余量的水组成。
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公开(公告)号：CN114450640A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202080068084.6
申请日：2020-06-24
申请人： 荣昌化学制品株式会社
IPC分类号： G03F7/40
摘要： 本申请发明涉及一种在光致抗蚀剂图案工艺中改善光致抗蚀剂图案的裂痕缺陷的工艺液体组合物及利用其的图案形成方法。其中，所述光致抗蚀剂图案具有对光致抗蚀剂表面的水的接触角为75°以上的疏水性。更详细地，本申请发明涉及一种工艺液体组合物，所述工艺液体组合物由0.00001至0.1重量％的氟系表面活性剂，0.00001至1.0重量％的选自由三元醇衍生物、四元醇衍生物或它们的混合物所组成的组的物质，及余量的水组成，且表面张力为45mN/m以下，接触角为65°以下。
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公开(公告)号：CN111630628A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201980009723.9
申请日：2019-01-09
申请人： 荣昌化学制品株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/3213 , H01L21/311 , G03F7/00
摘要： 本发明的目的是提供一种用于在半导体制造工艺中体现大纵横比的微细硅图案的工艺，涉及一种处理得在有机碳膜层选择地附着耐氟酸性物质后，使用含氟酸水溶液，以湿式蚀刻形成图案的新型湿式蚀刻方法，本发明的以湿式蚀刻形成图案的方法在形成CD小的图案时，不对数μm深度的蚀刻对象物的活性区域造成损伤地进行蚀刻，从而表现出提供微细图案形成方法的效果。
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公开(公告)号：CN113557592A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202080020185.6
申请日：2020-03-06
申请人： 荣昌化学制品株式会社
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/324 , G03F7/20 , G03F7/16
摘要： 本发明为用于在半导体制造工艺中形成蚀刻图案的方法，其在蚀刻工艺前，将通常在晶片上形成光刻胶膜/反射防止膜/SiON膜/有机硬掩膜的4层的以往方法，改变为只形成由光刻胶膜/多功能有机无机掩膜构成的2个层而体现相同的蚀刻图案的创新性方法，与以往的方法相比，绝对简化工艺，巨大地改善生产时间和费用，不再需要现有方法中使用的昂贵的涂覆及沉积装备，因而表现出能够减小SiON沉积时所需的昂贵前体或对于有机硬掩膜的费用及沉积时所需相关装备的投资或维护费用的卓越效果。
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公开(公告)号：CN111656285A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201980009739.X
申请日：2019-01-09
申请人： 荣昌化学制品株式会社
摘要： 本发明的目的在于提供一种半导体制造工艺中的EUV(Extreme Ultraviolet，极紫外)光源用光刻胶显影液组合物，且涉及一种将包括2～10重量％的四乙基氢氧化铵(TEAH)的水溶液作为特征的EUV光源用微细图案形成用光刻胶显影液组合物及使用利用该组合物的EUV光源在半导体基板形成图案的光刻工艺。在对光刻胶进行显影时具有不仅能够降低Eop而缩短工艺时间，不造成图案塌陷，而且能够形成均匀轮廓的图案的效果。
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公开(公告)号：CN109844639A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201780063653.6
申请日：2017-10-12
申请人： 荣昌化学制品株式会社
摘要： 本发明为了提供有用于半导体光刻工艺的具有高耐蚀刻性的硬掩膜组合物，提供包含二苯并咔唑(dibenzo carbazole)聚合物的旋涂式硬掩膜组合物以及通过旋涂将该组合物进行涂敷于被蚀刻层上部的工艺以及烘烤工艺形成硬掩膜层的图案化方法，本发明的硬掩膜具有能够承受多重蚀刻(mutil etch)过程的高耐蚀刻性、优秀的溶解度特性以及机械特性的效果。
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公开(公告)号：CN108475022A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201780005294.9
申请日：2017-04-26
申请人： 荣昌化学制品株式会社
摘要： 本发明涉及在半导体制造工艺中利用负性光致抗蚀剂的光致抗蚀剂图案的LWR(Line Width Roughness，线宽粗糙度)改善方法，更详细地说目的在于，为了在负性显影工艺之后确保更高的图案CDU，提供能够改善LWR的组合物与适用方法来改善LWR，进而能够提供比现有的更加优秀的CDU。
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公开(公告)号：CN108475021A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201780005284.5
申请日：2017-04-26
申请人： 荣昌化学制品株式会社
摘要： 本发明涉及在半导体制造工艺中利用负性光致抗蚀剂的光致抗蚀剂图案的LWR(Line Width Roughness，线宽粗糙度)改善方法，更详细地说目的在于，为了在负性显影工艺之后确保更高的图案CDU，提供能够改善LWR的组合物与适用方法来改善LWR，进而能够提供比现有的更加优秀的CDU。
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