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公开(公告)号：CN1948721A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610054564.9
申请日：2006-11-03
Applicant: 重庆大学
Abstract: 一种三气门摩托车发动机可变进气门配气装置，在凸轮轴(1)上有排气凸轮(7)、主进气凸轮(2)和进气惰轮(3)，进气惰轮(3)的型线为整圆，其直径等于主进气凸轮(2)的基圆直径。进气摇臂轴(4)上有主、次进气摇臂(5、6)，在主、次进气摇臂(5、6)之间设置有由主动活塞(10)、限位弹簧(11)、切换活塞(12)、阻挡活塞(13)、阻挡弹簧(14)及锁片构成的离合机构。本发明可根据发动机转速和负荷状态，使发动机在单进气门和双进气门工作模式之间进行自动切换，从而有助于提高摩托车在整个转速和负荷工况范围内的动力性、经济性和排放特性，整个机构结构简单，布置紧凑，对发动机原配气机构的改动很小。
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公开(公告)号：CN86103215B
公开(公告)日：1988-04-27
申请号：CN86103215
申请日：1986-05-01
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明是一种带预燃室的沸腾炉床层中点火技术。它利用油或气体燃料在预燃室中完全燃烧产生高温烟气，并以一定的速度从沸腾床的某一侧面，直接送入沸腾着的料层中间，以加热冷床料及引子煤，使其达着火和燃烧温度。本点火技术安全可靠，点火成功率高节油省能，且装置简单，调节控制性能好，易于实现自动化。
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公开(公告)号：CN119269426B
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202411615111.3
申请日：2024-11-13
Applicant: 重庆大学
IPC: G01N21/31
Abstract: 本发明公开了一种测试机制砂MB值检测用亚甲蓝溶液试剂浓度和MB值结果修正方法，包括以下步骤：药品的准备；配制名义浓度为10g/L的亚甲蓝溶液；溶液的吸光度测定；本发明技术方案能有效控制MB值检测用亚甲蓝试剂溶液质量。通过对配制溶液的浓度的监测，能够有效防止原药品试剂纯度不够或者是配制不当导致浓度过低或过高导致的试验误差，本发明技术方案能快速判断所配制的亚甲蓝溶液是否达到使用要求。通过对所配制的亚甲蓝溶液的稀释液(1.5mg/L)的吸光度测定和高纯五水硫酸铜试剂2.8g/L吸光度对比，快速判定所配制溶液是否达到配制浓度。
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公开(公告)号：CN118969778A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411031982.0
申请日：2024-07-30
Applicant: 重庆大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L23/552
Abstract: 本申请提供一种肖特基接触超势垒整流器，该整流器基于阳极金属层、第一导电类型多晶硅层、氧化层和第二导电类型低电子势垒锗硅区域形成低电子势垒结构，该低电子势垒结构为整流器的阳极结构，当整流器正向导通时，电子将更容易从阴极向阳极流动，实现更小的导通电压。因此，整流器可以在不恶化正向导通电压和反向泄漏电流的前提下，增加氧化层的厚度；在不对基本电学特性造成退化的基础上，通过增加氧化层的厚度来改善肖特基接触超势垒整流器的单粒子栅穿特性，以改善抗单粒子栅穿性能。
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公开(公告)号：CN116960189B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310821634.2
申请日：2023-07-05
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
Abstract: 本申请提供一种高效肖特基接触超势垒整流器包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型柱状区，其与第一导电类型漂移区并排设置于基底背离所述阴极结构的一侧，其中第一导电类型漂移区与第二导电类型柱状区之间设置有隔离层；第二导电类型体区，其设置于第二导电类型柱状区背离第一导电类型衬底层的一侧，第二导电类型体区完全覆盖第二导电类型柱状区并部分延伸至第一导电类型漂移区；阳极结构，分别接触第二导电类型体区和第一导电类型漂移区；其中，在反向工作状态时，通过第二导电类型柱状区调节整流器内部的电场分布，使得器件的反向击穿电压升高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118263303A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410359892.8
申请日：2024-03-27
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/423
Abstract: 本申请提供一种双栅场截止型绝缘栅双极型晶体管，该双极型晶体管通过栅极金属层、副栅极金属层、发射极沟槽重掺杂第一导电类型多晶硅层、发射极沟槽绝缘介质层形成正极发射极导电类型沟槽结构、负极发射极导电类型沟槽结构；双极型晶体管正向导通和关断时，通过正极发射极导电类型沟槽结构和负极发射极导电类型沟槽结构处理轻掺杂第二导电类型耗尽区的空穴。本申请提供的双极型晶体管在正向导通时提高轻掺杂导电类型耗尽区的空穴势垒，增强漂移区的空穴，增加对应的载流子存储效应，降低导通压降，在关断时，通过恢复轻掺杂导电耗尽区的空穴，提高了空穴的抽取速度，降低关断产生的损耗。
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公开(公告)号：CN118198133A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410329605.9
申请日：2024-03-21
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
Abstract: 本申请提供一种金属氧化物半导体场效应晶体管，该半导体场效应晶体管通过第一导电类型硅材料异质结区域、重掺杂第二导类型硅材料屏蔽区域、重掺杂第一导电类型虚拟栅极多晶硅区域和虚拟栅极氧化层与第一导电类型电流传导区域之间形成异质结导电结构，因碳化硅/硅的异质结结构的电子势垒低于体二极管，因此电流优先从异质结导电结构流过。本申请提供的金属氧化物半导体场效应晶体管还存在虚拟栅极，进一步降低了异质结的电子势垒，优先通过异质结沟道导电结构进行反向导通，当半导体场效应晶体管反向导电时，异质结的电子势垒低，从而降低反向导通电压，改善反向导通性能。
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公开(公告)号：CN118136670A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410329606.3
申请日：2024-03-21
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
Abstract: 本发明涉及功率半导体技术领域，特别是涉及一种包含肖特基接触超级势垒整流器的功率半导体器件。包括漏极金属层以及依次堆叠在所述漏极金属层上的重掺杂第一导电类型衬底层和轻掺杂第一导电类型漂移区，所述轻掺杂第一导电类型漂移区上设置有第一导电类型传导区域，所述第一导电类型传导区域上设置有第二导电类型阳极区域和第二导电类型栅极体区域，所述第一导电类型传导区域位于所述第二导电类型阳极区域和第二导电类型栅极体区域之间。相比于现有肖特基源极垂直金属氧化物半导体场效应晶体管，在抗单粒子烧毁性能不恶化的条件下，本发明具有低的第三象限二极管开启电压，改善了反向恢复性能。
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公开(公告)号：CN110686256B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN201911101752.6
申请日：2019-11-12
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种燃烧器，包括壳体、进气组件一、进气组件二和废水喷枪；壳体包括风箱前板、风箱背板、风箱分割板、风箱侧板、中心筒、喷枪固定管Ⅰ、旋流器、内喉口固定板、内圈喉口直段、内喉口扩口段和外喉口；风箱侧板上设置有进风口，进风口分割为两个进风通道；中心筒垂直于风箱分割板，喷枪固定管Ⅰ设置在中心筒内且与中心筒同轴线设置；旋流器套设在喷枪固定管Ⅰ上；进气组件一包括喷枪固定管Ⅱ、套管、内圈枪、外圈枪和面板，废水喷枪的喷枪杆穿过喷枪固定管Ⅱ和喷枪固定管Ⅰ。本燃烧器是适合高盐分有机废水焚烧的整体式燃烧器，结构紧凑，废水雾化效果良好、着火和燃烧稳定，燃烧效率高。
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公开(公告)号：CN116995103A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310826379.0
申请日：2023-07-05
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/417
Abstract: 本申请提供一种抗单粒子加固功率器件包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型体区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧；第一阳极区设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧，其中所述第二导电类型体区和所述第一阳极区通过所述第一导电类型漂移区分隔开；第二阳极区设置于所述第一阳极区背离所述第一导电类型衬底层的一侧。本申请在正向导通时，第一阳极区、第二阳极区以及阳极结构之间形成空穴导通通道，在反向工作状态时，该区域可以为空穴提供通道，使得空穴流出器件，从而降低单粒子栅穿的风险，提升器件的抗单粒子辐射性能。
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