IBC电池片、IBC电池组件及其制备方法

    公开(公告)号:CN114975690B

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202210678577.2

    申请日:2022-06-15

    摘要: 本发明公开了IBC电池片、IBC电池组件及其制备方法。该制备方法包括:在硅片的相对两侧放置垫片,所述垫片的厚度小于或等于所述硅片的厚度;在所述硅片和垫片上制作电极图形,所述电极图形包括位于所述硅片上的正极细栅线和负极细栅线以及与所述正极细栅线的两端连接的正电极、与所述负极细栅线的两端连接的负电极,所述正电极的部分、所述负电极的部分均伸出于所述硅片的边缘之外并位于所述垫片上;对所述电极图形进行高温烧结并去除所述垫片。单块电池片无需制作主栅线,简化了印刷流程,在组件时通过导电胶等方式来连接相邻两块电池片的正负电极,无需通过焊带进行连接,可避免由焊带引起高度差而导致在层压时产生碎片,提高了电池组件质量。

    一种适合薄片化的N型PERT双面电池结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN106653923B

    公开(公告)日:2018-03-06

    申请号:CN201610935414.2

    申请日:2016-11-01

    CPC分类号: Y02E10/50 Y02P70/521

    摘要: 本发明公开了一种适合薄片化的N型PERT双面电池结构,包括硅片基体;硅片基体的正面形成有n+轻掺杂层及局部n++重掺杂区,在n+轻掺杂层上形成有通过一个工艺步骤得到的第一钝化减反层,在n++重掺杂区引出负电极。基体的背面形成有p+掺杂层及通过一个工艺步骤得到的第二钝化减反层,在p+掺杂层上引出正电极。通过将n+掺杂层转移到电池正面,可以降低金属栅线遮光面积,减少电极接触复合;且形成的n++局部重掺杂区极大地提高电池开路电压和短路电流,同时可以使n+掺杂层的方阻提升的更高,这样有利于提表面钝化效果;第一钝化减反层和第二钝化减反层均通过一个工艺步骤即可制备得到,因而在工艺制作流程上极大进行了优化,提高生产效率,减低了生产成本。