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公开(公告)号：CN111613688A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201910635917.1
申请日：2019-07-15
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本专利提供了一种叉指型背接触太阳电池结构及其制造方法，包括N型单晶硅片为基体，所述单晶硅片前表面设置有硼掺杂层，所述单晶硅片前表面硼掺杂层上设置有AL2O3钝化层，在所述单晶硅片前表面AL2O3钝化层上设置有SiNx减反射层；所述单晶硅片背表面场为磷掺杂层，所述单晶硅片背面发射极为硼掺杂层，所述单晶硅片背表面设置有SiO2钝化层，所述单晶硅片背面发射极表面设置有AL2O3钝化层，所述单晶硅片背面场表面设置有SiNx钝化层，电池前表面采用FFE浮动结结构在有效降低表面载流子复合的同时可提供背表面场的宽度比例，降低工艺难度；可有效降低电池正反面的少子复合率，进而提升电池转换效率。
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公开(公告)号：CN110299416A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910486159.1
申请日：2019-06-05
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明的目的在于公开一种太阳能电池的掺杂层表面钝化层结构及其制备方法，它包括硅片基体、掺杂层和钝化层，在所述硅片基体表面进行N+/P+掺杂形成掺杂层，所述掺杂层位于所述硅片基体之上，所述钝化层位于所述掺杂层表面；与现有技术相比，利用扩散掺杂过程生长的SiOx：P或SiOx：B作为太阳能电池掺杂层的表面钝化层，不需要额外的工序来实现掺杂层表面钝化层生长，简化太阳能电池制备工艺流程，且掺杂层和其表面的钝化层在扩散过程中一次完成，解决了外界环境对掺杂层表面钝化质量的影响问题，提高太阳能电池产品品质的稳定性，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN110112239A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910218181.8
申请日：2019-03-21
IPC分类号： H01L31/0443 , H01L31/05
摘要： 本发明的目的在于公开一种降低太阳能电池组件功率损耗的方法，与现有技术相比，通过减少电池串中的太阳能电池片数和增加旁路二极管的数量，尽可能减少被旁路掉的电池串数目从而保证没有被遮盖的电池片也正常发电，有效地降低了光伏组件的功率损耗，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN109545660A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811346685.X
申请日：2018-11-13
摘要： 本发明提供了一种太阳能电池所使用硅片的清洗方法，包括：将硅片置于第一臭氧溶液中进行预清洗；将所述硅片置于氢氧化钠溶液中，并使得所述硅片在所述氢氧化钠溶液中发生鼓泡循环反应，以去除所述硅片的至少部分单面损伤层；利用第二臭氧溶液清洗所述硅片表面；将所述硅片置于氟化氢与氯化氢的混酸溶液中进行清洗。本发明可有利于降低了成本，还可有效保障清洗效果与硅片质量。
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公开(公告)号：CN106191817B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201610846771.1
申请日：2016-09-23
IPC分类号： C23C16/458
摘要： 本发明公开了一种太阳能硅片镀膜用石墨舟片及石墨舟，通过在石墨舟片上形成有若干贯穿石墨舟片的孔洞，因而可实现在太阳能硅片在进行真空镀膜过程中通过所述孔洞形成对背靠背固定在石墨舟片上的太阳能硅片四个角进行吸附，从而使石墨舟片上的太阳能硅片的四个角牢固的吸附在石墨舟片上，有效地避免了太阳能硅片在镀膜过程中由于石墨舟片表面和卡点存在部分磨损而造成的固定在其上的太阳能硅片表面的不平整甚至部分翘起，进而导致的边角色差和绕射现象，为硅片形成均匀一致的膜层提供良好的保障。
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公开(公告)号：CN108511563A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810595996.3
申请日：2018-06-11
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/1804 , H01L31/068
摘要： 本发明公开了一种PN结的制作方法，通过依次对硅片进行第一次恒定源扩散、第一次限定源扩散、第二次限定源扩散、第二次恒定源扩散，从而使得制备得到的PN结的表面磷杂质浓度低，结深较浅且掺杂浓度梯度分布均匀，结区有效掺杂增加，有助于提高方阻的均匀性。
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公开(公告)号：CN110112255A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910355672.7
申请日：2019-04-29
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0352 , H01L31/0236
摘要： 本发明的目的在于公开一种基于光刻掩膜法制备N型FFE结构的IBC太阳能电池的方法，与现有技术相比，在制作P+发射极及N+背场过程中采用光刻掩膜技术，避免在电池工艺制作过程中引入晶格损伤，从而降低载流子复合速率；采用全绒面设计，可将光反射率达到极限最低化，极大地从光学管理角度优化电池效率；电池前表面的FFE结构与N型硅衬底形成pn结，使N+背场区以上的少子空穴被前发射极收集横向传输至P+发射极以上区域后受空穴浓度梯度影响再被注入至P+发射极，以致被P+发射极收集，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN110459638A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910486634.5
申请日：2019-06-05
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0288 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明的目的在于公开一种Topcon钝化的IBC电池及其制备方法，它包括N型单晶硅基体，在所述N型单晶硅基体的正面依次设置有前表面P+掺杂层和减反射层，在所述N型单晶硅基体的背面设置有二氧化硅隧穿层，所述二氧化硅隧穿层的背面分别设置有N型多晶硅掺杂层和P型多晶硅掺杂层，所述N型多晶硅掺杂层背面连接有负电极，所述P型多晶硅掺杂层背面连接有正电极；与现有技术相比，通过在前表面采用浮动结(FFE)结构，在前表面形成少子的横向传输通道，降低电池表面少子的复合率，降低了实际制备工艺的难度；在背面采用超薄二氧化硅层和掺杂多晶硅层形成Topcon钝化结构，可降低电池背面少子复合率，提升开路电压，进而提升电池转换效率，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN110061072A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910276202.1
申请日：2019-04-08
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本发明的目的在于公开一种TBC太阳能电池结构及其制备方法，与现有技术相比，用P型掺杂的TOPCon结构、N型掺杂的TOPCon结构分别替代IBC电池的P型晶硅掺杂层和N型晶硅掺杂层，提高对N型基体背表面的钝化效果，并降低背面正负副栅线电极金属接触区域的金属复合和接触电阻，有效提高电池光电转换效率；P型掺杂的TOPCon结构与N型掺杂的TOPCon结构之间采用本征TOPCon结构做隔离，有效降低P型掺杂的TOPCon结构与N型掺杂的TOPCon结构之间的反向饱和暗电流，提高电池开路电压，有效控制生产成本，提高生产效率，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN110289322A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910486175.0
申请日：2019-06-05
IPC分类号： H01L31/0224 , B41F15/36
摘要： 本发明的目的在于公开一种IBC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构，它包括DP1图形层、DP2图形层和DP3图形层，DP3图形层叠印在DP1图形层和DP2图形层上；与现有技术相比，DP1图形层和DP2图形层采用圆点式副栅线，有效地降低了金属电极与硅基体的接触面积，从而降低金属电极的金属复合，制备金属电极时分别采用匹配P+和N+掺杂特性的接触型浆料，有效地降低了接触电阻；DP3图形层采用直通式副栅线，制备电极时采用导电性好的非接触型浆料，既防止金属电极与硅基体接触，极大地降低电极的金属复合，又将圆点式副栅线连通，有效地收集、传输电池产生的电流，有效地提高了IBC太阳能电池的开路电压、短路电流和转换效率，实现本发明的目的。
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