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公开(公告)号：CN110299417A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910486244.8
申请日：2019-06-05
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明的目的在于公开一种双面IBC电池结构及其制备方法，它包括硅片基体、前表面场、前表面钝化减反射层、P+掺杂层、N+掺杂层、钝化及减反射层、正电极副栅线和负电极副栅线；硅片基体正面依次设置前表面场和前表面钝化减反射层，硅片基体背面分别设置P+掺杂层和N+掺杂层，P+掺杂层和N+掺杂层的背面设置有钝化及减反射层，钝化及减反射层的背面分别连接有正电极副栅线和负电极副栅线；P+掺杂层和N+掺杂层中至少一个的表面为织构化的绒面，前表面场的表面为织构化的绒面；与现有技术相比，双面率可以达到60-70％以上，封装成双面组件后组件发电量增益在5％-10％以上，特别适用于冰雪覆盖高寒地区的应用，有效控制了生产成本，提高生产效率，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN110277470A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910189444.7
申请日：2019-03-13
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明的目的在于公开一种太阳能PERC电池的制备方法，与现有技术相比，通过PE过程对沉积态三氧化二铝层能够起到退火作用，并且针对退火工艺，对三氧化二铝层的厚度进行要求，以达到增加背面钝化的效果，降低三甲基铝的使用量及提高电池的转化效率，保证在背钝化后经过退火，使钝化效果达到最好的效果，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN110112255A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910355672.7
申请日：2019-04-29
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0352 , H01L31/0236
摘要： 本发明的目的在于公开一种基于光刻掩膜法制备N型FFE结构的IBC太阳能电池的方法，与现有技术相比，在制作P+发射极及N+背场过程中采用光刻掩膜技术，避免在电池工艺制作过程中引入晶格损伤，从而降低载流子复合速率；采用全绒面设计，可将光反射率达到极限最低化，极大地从光学管理角度优化电池效率；电池前表面的FFE结构与N型硅衬底形成pn结，使N+背场区以上的少子空穴被前发射极收集横向传输至P+发射极以上区域后受空穴浓度梯度影响再被注入至P+发射极，以致被P+发射极收集，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN109686816A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811484034.7
申请日：2018-12-06
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种钝化接触N型太阳电池的制备方法，包括：对基体进行硼扩散，以在所述基体的正面形成发射结，且硼扩散后，所述基体的背面形成有背面硼扩散层，所述发射结上形成有硼硅玻璃层；去除所述背面硼扩散层；在所述基体的背面形成背面氧化层；在所述背面氧化层的与所述基体相背的一侧形成背面多晶硅，同时，所述硼硅玻璃层的与所述基体相背的一侧也绕镀有正面多晶硅；对所述背面多晶硅进行掺杂，得到掺杂层；依次分别去除所述正面多晶硅与所述硼硅玻璃层，且所述正面多晶硅与所述硼硅玻璃层分别利用不同的溶液去除；本发明可降低去除正面多晶硅时对硼硅玻璃层下发射极造成的损伤，起到保护作用，有利于提高太阳电池发电性能。
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公开(公告)号：CN109346541A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811346687.9
申请日：2018-11-13
IPC分类号： H01L31/043 , H01L31/05
CPC分类号： H01L31/043 , H01L31/0504
摘要： 本发明提供了一种叠瓦电池组件与叠瓦电池装置，该叠瓦电池组件，包括至少两个叠瓦电池串，所述至少两个叠瓦电池串沿第一方向依次分布，相邻的两个叠瓦电池串之间沿所述第一方向无间隙。本发明能够充分利用电池串之间的间隙，提高组件的转换效率。
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公开(公告)号：CN109341607A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811120953.6
申请日：2018-09-26
IPC分类号： G01B15/02
摘要： 本发明公开了一种光伏组件用绝缘隔离条穿刺绝缘距离的检测与判定方法，通过模拟组件封装方式，在绝缘隔离条两边层压一根直径为800μm±50μm的圆形焊丝，层压后将嵌入绝缘隔离条内的焊丝移除，选取上述材料若干处横截面进行切片后，在电子显微镜下观察，两边均选取横截面处焊丝最接近绝缘条的部位，测量该处每一层样品的厚度，其总厚度值即为穿刺绝缘距离。若穿刺绝缘距离≥0.1mm，则可判定改绝缘隔离条的穿刺绝缘距离满足要求；否则，判定不满足要求。该方法填补了现有技术中对绝缘隔离条穿刺绝缘距离的检测与判定的技术空白。
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公开(公告)号：CN111564512A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201910650308.3
申请日：2019-07-18
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/049 , H01L31/052 , H01L31/0525
摘要： 本发明公开了一种低温运行的太阳能光伏组件，包括框架，所述框架内从上到下依次设有盖板、太阳能电池和冷却装置，所述冷却装置包括固定设置在框架内壁上的固定架，所述固定架内设有透光板和集热板，所述固定架的下端设有保温层，所述保温层的上表面涂覆有反射层，且反射层的上表面与集热板的下表面紧密贴合，所述集热板的内设有导热管。本发明构思新颖，使用集热板代替普通太阳能光伏组件中的背板，既不会影响光伏组件的正常工作或使用寿命，又极大的提高了太阳能电池的散热效率，从而提升光伏系统的发电量，同时集热板吸收的热量可通过制冷剂的热交换被外部吸热部件再次利用，达到能源循环利用的目的。
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公开(公告)号：CN110310998A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910486164.2
申请日：2019-06-05
发明人： 席珍珍
IPC分类号： H01L31/0224
摘要： 本发明的目的在于公开一种背接触电池的电极结构，它包括晶硅衬底，所述晶硅衬底背表面从内到外依次包括交替排列的背表面n+区域和激光开槽P+区域、钝化层和金属电极，所述晶硅衬底前表面从内到外依次为n+掺杂区域和前表面钝化减反射层；与现有技术相比，采用底层印刷点接触银电极，上层印刷铝电极的方式，既避免了铝浆在银电极上印刷易脱落现象，又形成了良好的欧姆接触。采用上层铝电极代替银电极，能在保证性能的前提下，降低了浆料成本，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN110310899A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910486671.6
申请日：2019-06-05
发明人： 席珍珍
摘要： 本发明的目的在于公开一种N型硅片少子寿命的测试方法，它包括如下步骤：(1)将厚度为160μm-200μm的原生N型硅片用NaOH进行抛光处理；(2)将抛光处理后的硅片置于HF酸溶液中清洗；(3)将清洗后的硅片进行RCA清洗，去除硅片表面附着的颗粒、油污和金属杂质；(4)将清洗后的硅片进行热氧化处理；(5)将硅片镀一层氮化硅膜；(6)上述样片利用μ-PCD法进行少子寿命测试；与现有技术相比，通过上述步骤，对厚度为160-200μm的N型太阳能级硅硅片钝化后，硅片的少子寿命大大提高，少子寿命测试值更接近于实际值，提高了测试精度，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN110061086A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910269928.2
申请日：2019-04-04
发明人： 席珍珍
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/0224 , H01L31/0236
摘要： 本发明的目的在于公开一种HBC太阳能电池，它包括晶硅衬底，晶硅衬底的前表面从内到外依次包括隧穿氧化层、多晶硅层和钝化膜；晶硅衬底的背表面从内到外分别包括本征非晶硅层、交替排列的背表面n+掺杂氢化非晶硅层和激光开槽区域、钝化膜和金属电极；金属电极包括与背表面n+掺杂非晶硅区域欧姆接触的细栅线、背面激光开槽P+区域欧姆接触的细栅线和主栅线电极；与现有技术相比，晶硅衬底的前表面采用隧穿氧化层实现了前表面场钝化效应，降低了前表面复合速率，提升了电池的开路电压，有助于电池整体性能的提升；采用底层银浆，上层铝浆的二次叠印方式制备P+区电极，节约浆料成本，实现本发明的目的。
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