高量子产率的本征态荧光可调的碳点及其制法和应用

    公开(公告)号:CN106566538A

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201610877973.2

    申请日:2016-10-08

    IPC分类号: C09K11/65 H01L33/50

    CPC分类号: C09K11/65 H01L33/502

    摘要: 本发明涉及荧光碳纳米材料领域,具体涉及高量子产率的本征态荧光可调的碳点及其制法和应用。以二氨基萘或其羟基,羧基,甲基,乙基,N,N‑二甲基及N,N‑二乙基取代衍生物与柠檬酸为碳源前驱体,通过溶剂热法即可得到本征态荧光碳点溶液。本发明制备的本征态荧光碳点具有高结晶度,表面高钝化度,氮掺杂,粒径分布均匀等特点,具有广泛的应用前景。

    一种具有SiV发光的单晶金刚石及其制备方法

    公开(公告)号:CN106498490A

    公开(公告)日:2017-03-15

    申请号:CN201610865968.X

    申请日:2016-09-30

    发明人: 胡晓君 梅盈爽

    IPC分类号: C30B25/00 C30B29/04 C09K11/65

    CPC分类号: C30B25/00 C09K11/65 C30B29/04

    摘要: 本发明提供了一种具有SiV发光的单晶金刚石,其制备方法为:将经过清洗、干燥的单晶硅片放入热丝化学气相沉积设备中作为基底进行单晶金刚石的生长:以丙酮为碳源,采用氢气鼓泡的方式将丙酮带入到反应室中,氢气、丙酮流量比为200:40~90,热丝与单晶硅基底的距离为5~20mm,反应功率1600~2400W,反应室气压为1~5KPa,生长时间为2~8h,生长结束后在氢气气流中冷却至室温,即得产品;本发明方法对设备要求较低、工艺简单、易于操作,且制得的单晶金刚石SiV发光强度高,对于实现其在单光子源、量子信息处理和生物标记等领域的应用具有十分重要的科学意义和工程价值。