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公开(公告)号：CN103608862A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201380001770.1
申请日：2013-04-18
申请人： 索尼公司
IPC分类号： G11B7/24035 , G11B7/24076 , G11B7/246 , G11B7/2585
CPC分类号： G11B7/24062 , G11B7/0938 , G11B7/1374 , G11B7/24027 , G11B7/24035 , G11B7/2405 , G11B7/24067 , G11B7/24076 , G11B7/24079 , G11B7/248
摘要： 在本发明中，提供了一种光学信息记录介质，包括在其表面上具有凹部的基板、记录层、以及反射层。通过利用记录层的光学密度的范围与基板的凹部的深度的范围的组合，从而能抑制反射率降低。
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公开(公告)号：CN103544969A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310274954.7
申请日：2013-07-02
申请人： 索尼公司
IPC分类号： G11B7/24035 , G11B7/2433 , G11B7/26
CPC分类号： G11B7/24035 , G11B7/243 , G11B2007/24306 , Y10T428/21 , Y10T428/31678
摘要： 提供了一种光记录介质和光记录介质的制造方法，该光记录介质包括基板；信息记录层，形成在基板上，并具有由包括W和Ru的氧化物所形成的单膜结构；以及光透射层，在信息记录层上形成。
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公开(公告)号：CN103392205A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201280009194.0
申请日：2012-02-09
申请人： 太阳诱电株式会社
发明人： 小平拓郎
IPC分类号： G11B7/249 , G11B7/24035 , G11B7/2467
CPC分类号： G11B7/2467 , G11B7/24035 , G11B7/24056 , G11B7/249
摘要： 本发明的目的在于提供一种低成本、且再生信号的非对称性小的追记型光记录介质，其具有含有机染料的记录层和单层结构的透光层，能够使用300nm～500nm波长的光，进行数据的记录和再生。该追记型光记录介质具有基板（10），以及依次层叠在基板（10）上的反射层（11）、含有机染料的记录层（12）、保护层（13）和单层结构的透光层；记录层（12）由起始分解温度在240℃以下的有机染料形成。
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公开(公告)号：CN103219020A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310027374.8
申请日：2013-01-24
申请人： 太阳诱电株式会社
IPC分类号： G11B7/2467 , G11B7/2575 , G11B7/2545 , G11B7/26
CPC分类号： G11B7/24035 , G11B7/24027 , G11B7/246 , G11B7/2467 , G11B7/2492 , G11B2007/25705 , G11B2007/2582
摘要： 本发明涉及一种光记录媒体。本发明的目的在于提供一种在高温环境下记录时不会降低特性的可录式光记录媒体。本发明提供一种光记录媒体，其是具备基板并且在所述基板上至少具备反射层、记录层及透光层的可录式光记录媒体，且记录层包含(a)偶氮金属错合物色素及(b)分解温度为240℃～360℃的色素。
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公开(公告)号：CN101740057A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910222065.X
申请日：2009-11-13
申请人： 汤姆森特许公司
发明人： 斯蒂芬·纳普曼
IPC分类号： G11B7/24
CPC分类号： G11B7/006 , G11B7/00736 , G11B7/24035 , G11B7/24067 , G11B7/2433 , G11B20/00086 , G11B20/0021 , G11B20/00253 , G11B20/00376 , G11B20/00586 , G11B2220/211 , G11B2220/216 , G11B2220/218 , G11B2220/235 , G11B2220/2537
摘要： 本发明涉及具有一次写入和可重复写入特性的光学记录介质。一次写入光学记录介质(1)，除了一次写入特性外还具有可重复写入特性。根据本发明，由具有记录层(4)的光学记录介质(1)实现该目标，该记录层(4)具有至少第一记录子层(R1)和第二记录子层(R2)，通过熔合该至少第一和第二记录子层(R1、R2)的材料而记录信息标记(3)，其中选择该至少第一和第二记录子层(R1、R2)的材料，以使得该熔合材料是适于将附加数据记录为熔合材料的相变的相变材料。
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公开(公告)号：CN100483522C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN03141188.6
申请日：2003-06-06
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G11B7/26 , G11B7/24035 , G11B7/241 , Y10T428/21
摘要： 提供具有相变材料膜的光记录介质和制备光记录介质的方法。在该方法中，首先在基材上顺序堆叠相变材料膜、牺牲膜和金属膜。然后，将金属膜阳极化形成具有多孔空穴的金属氧化物膜，并将经空穴暴露的牺牲薄膜部分阳极化形成氧化膜，然后，通过除去金属氧化物膜并通过刻蚀牺牲膜和使用牺牲膜的氧化物膜作为掩模的相变材料膜，使相变材料膜形成图案。然后，自牺牲膜除去氧化膜，并在图案化的相变材料膜上沉积上绝缘膜、反射膜和保护膜。该光记录介质通过所用自对准方法简单制造，并可具有高集成大容量记忆。
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公开(公告)号：CN1326125C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN03814039.X
申请日：2003-06-13
申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司
发明人： H·C·F·马坦斯 , R·J·A·范登奥特拉亚尔
CPC分类号： G11B7/24079 , G11B7/00455 , G11B7/0052 , G11B7/007 , G11B7/24 , G11B7/24035
摘要： 描述了一种使用穿过介质(30)的入射表面(41)的聚焦光束(40)进行记录和读取的多栈光学数据存储介质(30)。它具有在其一侧上放置有被称为L0的第一记录栈(33)的第一基底(31a)，第一记录栈(33)包含含有染料的可记录型L0记录层(35)，且形成于第一L0引导槽(38a，38b)中。第一反射层(39)被放置在第一L0记录层(35)和第一基底(31a)之间。在其一侧上放置有被称为L1的第二记录栈(32)的第二基底(31b)放置于比L0记录栈(33)更靠近入射表面(41)的位置处，并形成于第二L1引导槽(37)中。透射衬片层(36)被夹在记录栈(32，33)之间。第一L0引导槽(38a，38b)具有深度GL0＜100nm。这样在辐射光束的波长为大约655nm时，就能达到L0栈的相对较高的反射值。
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公开(公告)号：CN1864227A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200480029154.8
申请日：2004-09-27
申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司
发明人： R·A·布朗迪克
IPC分类号： G11B27/30
CPC分类号： G06F3/0608 , G06F3/0644 , G06F3/0677 , G11B7/0045 , G11B7/24035 , G11B27/3027 , G11B27/329 , G11B2220/218 , G11B2220/235 , G11B2220/2562
摘要： 数据存储系统，包含：光盘，具有包含两层物理存储单元的物理存储空间，物理存储空间包括在第一层和第二层中含有存储单元的逻辑存储空间，逻辑存储空间中的存储单元具有毗邻编号的逻辑地址；盘驱动器，能够在光盘的逻辑存储空间写信息；盘驱动器具有地址有限存储器，包括至少一个参数值LAmax，指明在第一存储层中存储单元的逻辑地址的最大值；盘驱动器能够改变地址有限存储器中的值，主设备能够和盘协同操作。
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公开(公告)号：CN1848265A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610077305.8
申请日：2001-04-10
申请人： 日本胜利株式会社
发明人： 近藤哲也
IPC分类号： G11B7/24
CPC分类号： G11B7/266 , G11B7/24035 , G11B7/242 , G11B7/246 , G11B7/26 , G11B11/10584 , Y10T428/21
摘要： 提供抑制重放信号的噪声并且可以达到高记录密度的信息记录载体。作为通过光学部件被读取的信息记录载体，至少由基体、记录层、树脂层组成，其特征在于，与所述树脂层连接的所述记录层的平面的表面粗糙度Rσ为5nm以下。
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公开(公告)号：CN1501377A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN03141188.6
申请日：2003-06-06
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G11B7/26 , G11B7/24035 , G11B7/241 , Y10T428/21
摘要： 提供具有相变材料膜的光记录介质和制备光记录介质的方法。在该方法中，首先在基材上顺序堆叠相变材料膜、牺牲膜和金属膜。然后，将金属膜阳极化形成具有多孔空穴的金属氧化物膜，并将经空穴暴露的牺牲薄膜部分阳极化形成氧化膜，然后，通过除去金属氧化物膜并通过刻蚀牺牲膜和使用牺牲膜的氧化物膜作为掩模的相变材料膜，使相变材料膜形成图案。然后，自牺牲膜除去氧化膜，并在图案化的相变材料膜上沉积上绝缘膜、反射膜和保护膜。该光记录介质通过所用自对准方法简单制造，并可具有高集成大容量记忆。
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