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公开(公告)号：CN104947192A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510272038.9
申请日：2015-05-25
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料的制备方法，包括如下步骤：S1：提供一钙钛矿型衬底；S2：对所述衬底进行清洗处理；S3：对所述衬底进行退火处理；S4：在氧化物分子束外延系统中采用Ir单质靶蒸发源、Sr单质靶蒸发源及氧源，在所述衬底表面外延生长钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料。本发明利用氧化物分子束外延技术，通过超高真空设备硬件、单质蒸发源的选择、稳定的蒸发源束流控制、衬底的选取、衬底的处理、薄膜合成参数的稳定控制，制备得到高质量的钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料。该单晶薄膜相比体材料拥有很大的优势，具有稳定态的钙钛矿型结构，外延薄膜表面是天然的平整解理面，有利于实现电子结构的测试，样品表面的高洁净度使测试更加顺利进行。
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公开(公告)号：CN103305911B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201310196038.6
申请日：2013-05-24
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 本文发明涉及一种大尺寸Re:YAP系列激光晶体水平定向凝固制备方法，其工艺特点是：真空条件下水平定向凝固结晶生长Re:YAP激光晶体。其具体的生长过程包括化料、引晶、放肩、等宽生长、冷却及其退火六大过程。本发明结合定向结晶法和垂直区熔法生长晶体的优点，使得制备的Re:YAP激光晶体具有质量更高，尺寸更大，利用率更高，缺陷密度低，激光性能更好，无掺杂离子核心、成本低及耗能少等优点。
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公开(公告)号：CN102560663B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210031019.3
申请日：2012-02-13
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
摘要： 一种2.8-3微米激光晶体及其制备方法，所述晶体的分子式为Yb，Ho:YAP或Cr，Yb，Ho:YAP，其中Yb是Yb3+的简写，Ho是Ho3+的简写，所述Ho3+作为激活离子，Cr3+，Yb3+作为Ho3+的敏化离子，所述YAP是铝酸钇YAlO3的简写，其作为基质晶体，为敏化离子和激活离子提供一个晶格场。在Yb，Ho:YAP中，Yb3+作为敏化离子将吸收的泵浦光能量传递给激活离子Ho3+；在Cr，Yb，Ho:YAP中，Cr3+将吸收的泵浦光能量首先传递给Yb3+，Yb3+再把能量传递给Ho3+，最后通过Ho3+离子5I6和5I7的两个能级间跃迁，本发明可获得在2.8-3μm小范围内调谐的偏振激光，这种波段的激光在医疗、科学研究及军事等领域有着重要的应用。
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公开(公告)号：CN102953116B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201110252660.5
申请日：2011-08-30
申请人： 中国科学院理化技术研究所
摘要： 一种厘米级纯相BiFeO3单晶的制备方法：a)将Fe2O3与Bi2O3两种原料混匀后放入晶体生长炉中；b)晶体生长炉升温至825℃以上并保温；c)缓慢降温，至熔体表面出现晶核时再缓慢升温，至晶核减少至一个时再缓慢降温，至晶核数目增多时再缓慢升温，当晶核数目再次减少至一个时再缓慢降温维持BFO单晶的稳定生长，直至其生长停止；d)晶体生长完全且凝固后将晶体生长炉冷却至室温；e)取出晶体清洗后即得到纯相BiFeO3单晶。本发明使用高温溶液震荡选晶法控制其形核及生长过程，经过多轮升降温，促使尺寸较小的晶核熔化而保留尺寸较大的晶核以最终获得BiFeO3单晶。
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公开(公告)号：CN102953116A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110252660.5
申请日：2011-08-30
申请人： 中国科学院理化技术研究所
摘要： 一种厘米级纯相BiFeO3单晶的制备方法：a)将Fe2O3与Bi2O3两种原料混匀后放入晶体生长炉中；b)晶体生长炉升温至825℃以上并保温；c)缓慢降温，至熔体表面出现晶核时再缓慢升温，至晶核减少至一个时再缓慢降温，至晶核数目增多时再缓慢升温，当晶核数目再次减少至一个时再缓慢降温维持BFO单晶的稳定生长，直至其生长停止；d)晶体生长完全且凝固后将晶体生长炉冷却至室温；e)取出晶体清洗后即得到纯相BiFeO3单晶。本发明使用高温溶液震荡选晶法控制其形核及生长过程，经过多轮升降温，促使尺寸较小的晶核熔化而保留尺寸较大的晶核以最终获得BiFeO3单晶。
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公开(公告)号：CN102534789A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110262141.7
申请日：2011-09-05
申请人： 中国科学院福建物质结构研究所
摘要： 一种铬镨共掺的铒激活铝酸钇新型中波红外激光晶体，涉及激光晶体材料领域。该晶体材料的化学式为Cr3+:Er3+:Pr3+:YAlO3，属于正交晶系Pbnm，晶胞参数为a＝5.137b＝5.273c＝7.308v＝198.02cm3，Dx＝5.497g/cm3。采用4N的Y2O3、Cr2O3、Er2O3、Pr2O3与分析纯的Al2O3作为原料，通过高温固相反应获得Cr3+:Er3+:Pr3+:YAlO3原料，在惰性气氛下采用提拉法生长晶体。该材料用于2.5～3.0um中波红外波段高效激光输出，应用于自由空间光通信、遥感、机载红外定向干扰源、红外热像仪、激光雷达、遥感化学传感器、地形测量、空气污染控制、等领域。
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公开(公告)号：CN101307491B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200810057515.X
申请日：2008-02-02
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明涉及在同时的高压高温实验条件下，合成具有特殊3d电子组态的Sr1-xCaxCrO3系列新型钙钛矿Mott晶体化合物。实验所用原料为纯度大于99.5％的市售CaO，SrO和CrO2。根据所需合成的成分点，称取相应摩尔比例的起始原料，在充有惰性气体(如氩气)的手套箱中进行混合研磨。在空气中迅速对反应混合物进行压片成型和组装。利用大型压机，使反应物在6GPa及800-1200℃的条件下进行固相反应，反应时间为15-30分钟。反应结束后先降温后卸压，使产物在高压条件下淬火。这样，便可得到单相的Sr1-xCaxCrO3(x＝0-1)系列钙钛矿材料。其中对CaCrO3和SrCrO3的制备，可使CaO和SrO分别过量5％-10％，最后用稀盐酸冲洗过量的反应物。
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公开(公告)号：CN1225572C
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200310112171.5
申请日：2003-11-18
申请人： 深圳市淼浩高新科技开发有限公司
摘要： 本发明提供一种生长晶体的综合熔体法，其中使用提拉法下种、收颈、放肩，在等径生长时采用泡生法和/或温梯法。该方法能生长大尺寸优质的各类晶体，特别是氧化物晶体如蓝宝石衬底晶体，掺杂或不掺杂氧化铝，铝酸盐晶体，石榴石晶体(YAG，GGG，GSGG)，铌酸盐晶体等。本方法具有提拉法，泡生法和温梯法的优点：可生长大尺寸晶体，污染少，能观察液面和晶体生长情况；还可使用原有提拉法设备。同时该工艺克服了提拉法和温梯法生长晶体的色心和位错率高的缺点，晶体质量优异，应力小，无滑移带和孪晶缺陷，位错密度低，晶体完整性和光学均匀性好，易于产业化。
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公开(公告)号：CN1563514A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410016970.7
申请日：2004-03-16
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
摘要： 一种掺三价铈离子稀土铝酸盐晶体的制备方法，该稀土铝酸盐晶体的化学通式为CexRe(1－x)AlO3(0.0001≤X≤0.1)，式中Re代表Gd、Lu、Y等三种稀土元素的一种或三种元素任意比例的组合，其特征在于该方法的关键是在配制原料的过程中，引入与CeO2等当量的强还原性的AlN原料，在升温化料以及晶体生长过程中，将CeO2还原成Ce2O3，再与Al2O3和Re2O3等氧化物反应，生长掺三价铈离子的稀土铝酸盐单晶体。本发明制备的铈离子掺杂的稀土铝酸盐晶体只含三价的铈离子，大大提高了闪烁晶体的光输出。
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公开(公告)号：CN1526859A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN03151086.8
申请日：2003-09-19
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
摘要： 一种掺铈铝酸钇晶体的生长方法，包括下列步骤：按反应方程式Al2O3+(1－x－y)Y2O3+2xCeO2+ySc2O3＝2Y1－x－yCexScyAlO3+x/2O2其中0.2％≤x≤2.0％，x≤y≤3x。先选定x和y，再按相应的摩尔百分比称取原料Y2O3，Sc2O3，Al2O3，CeO2；将原料机械混合均匀后，用压料机在20kg/cm2的压力下压制成块，然后在1000℃下烧结10小时，装炉，抽真空，充高纯氮气，升温熔化，生长晶体。生长晶体后，缓慢降至室温，取出晶体。晶体无色透明完整，晶体的位错密度为102－104/cm2，晶体的闪烁性能提高5－15％。
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