公开(公告)号：CN115315790A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202080098653.1

申请日：2020-03-25

申请人： 株式会社国际电气

发明人： 冈岛优作 ,  山口天和 ,  坂井佑之辅 ,  今井义则

IPC分类号： H01L21/31

摘要： 本发明提供一种基板处理装置，其具备：内管，其在内部具有以多张基板的水平姿态沿着预定的排列方向排列为多层进行收纳的基板收纳区域；在内管外侧配置的外管；在内管的侧壁沿着配置方向设置有多个的气体供给口；在内管的侧壁沿着配置方向设置有多个的第一排气口；在外管的沿着配置方向的一端侧设置的第二排气口；以及对内管与外管之间的圆环状的空间内的气体的流动进行控制的整流机构，整流机构具备翅片，在将多个第一排气口中的离第二排气口最远的第一排气口设为排气口A、将多个气体供给口中的与排气口A对置的气体供给口设为气体供给口A时，该翅片在气体供给口A的附近包围气体供给口A的外周的至少一部分。

公开(公告)号：CN115191024A

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202180017626.1

申请日：2021-03-05

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 石川史朗 ,  仓田悠都 ,  八十岛司 ,  盐野一郎 ,  片濑琢磨

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01L21/31 ,  C23C16/455

摘要： 该等离子体处理装置用部件(10，22)的特征在于，具有基材(12，23)和设置在所述基材的一面的导热层(13，24)，所述导热层(13，24)包含氟系树脂及氟系弹性体中的至少一者。

公开(公告)号：CN115104178A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202080096171.2

申请日：2020-12-18

申请人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司

发明人： 野田直人 ,  伊凡·奥谢普科夫 ,  让-马克·吉拉尔

IPC分类号： H01L21/318 ,  H01L21/31

摘要： 披露了一种用于使用三甲硅烷基胺(TSA)在超低温(如低于250℃的温度)下通过PEALD形成含Si膜(如SiN膜)的方法。

公开(公告)号：CN115104043A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202180014288.6

申请日：2021-03-11

申请人： 莱博创新公司

发明人： 丁国文

IPC分类号： G02B1/116 ,  C03C17/36 ,  C03C27/12 ,  H01L21/31

摘要： 提供一种新型节能信号透明窗户镀膜系统及其制造方法。这些窗户镀膜系统经过专门配置，允许选择性穿透大于0.5毫米的电磁波长，代表当前和未来的无线通讯信号频谱。在保留红外线阻隔特性的同时提供这种无线通讯信号穿透。此外，窗户镀膜系统在可见光谱内保持基本透明，肉眼察觉不到特殊线条。这种独特的性能是通过对导电层进行图案化来实现的，使得导电层边缘在大多数制造步骤和制造过程中都受到保护。因此，导电层被封装并与环境分离，同时保持这些层的单个独立结构之间的分离。例如，阻挡层和/或介电质层可以延伸到导电层边缘。图案化是通过在基板上形成光刻胶结构，并在这些光刻胶结构上沉积低辐射镀膜来实现的。

公开(公告)号：CN115004339A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202180011495.6

申请日：2021-02-02

申请人： 株式会社斯库林集团

发明人： 濑川聪

IPC分类号： H01L21/31

摘要： 对半导体晶片照射光来进行加热处理的腔室和可燃性气体供给源通过可燃性气体供给管连通连接。在可燃性气体供给管安装有调整可燃性气体的供给流量的电气式流量控制器等。可燃性气体供给管中的包含可能成为着火源的电气式流量控制器等的部分被内侧框体包围。向内侧框体的内部的内侧空间供给作为不燃性气体的氮气。通过向内部空间供给不燃性气体，并且排出滞留在内部空间中的气体，内部空间中的氧浓度降低到小于爆炸极限，从而能够防止可燃性气体的火灾和爆炸。

公开(公告)号：CN115004338A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202180010068.6

申请日：2021-03-15

申请人： 株式会社国际电气

发明人： 山崎裕久 ,  寿崎健一 ,  永冨佳将

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  C23C16/44

摘要： 本发明提供一种技术，具有处理基板的处理室、向处理室内供给含金属气体的第一气体供给部、从处理室供给第一含氧气体的第二气体供给部和将含有含金属气体成分的排气气体从处理室内排气的排气部，排气部具有气体排气管、对处理室内进行排气的泵、对泵进行辅助的辅助泵以及设置在泵与辅助泵之间的用于通过等离子体来捕集含金属气体成分的捕获部。

公开(公告)号：CN114902383A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202080091468.X

申请日：2020-03-19

申请人： 株式会社国际电气

发明人： 坂井佑之辅 ,  尾崎贵志 ,  西田圭吾

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/318 ,  C23C16/455

摘要： 本发明提供一种提高形成在基板上的膜的面内膜厚均匀性的结构。本发明具备：处理气体喷嘴，其向处理基板的处理室供给处理气体；惰性气体喷嘴，其被配置为在基板的周向上与处理气体喷嘴隔开预定距离，并向处理室供给惰性气体；反应管，其在内部构成处理室，并具有以收容处理气体喷嘴的方式向外侧突出的第一突出部和以收容惰性气体喷嘴的方式向外侧突出的第二突出部，本发明构成为以使处理气体的流动方向朝向基板侧的方式将从惰性气体喷嘴供给的惰性气体朝向处理气体喷嘴供给。

公开(公告)号：CN114902381A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202080089801.3

申请日：2020-02-05

申请人： 株式会社国际电气

发明人： 冈岛优作

IPC分类号： H01L21/31

摘要： 本发明提供一种能够对设置于反应管的内部的基板(晶圆)的表面实施均匀的成膜处理的技术，将基板处理装置构成为具备：反应管，其在内部容纳基板；喷嘴容纳部，其在反应管的侧方沿与基板的表面平行的方向延伸并与基板对应地配置；气体供给喷嘴，其插入喷嘴容纳部的内部，并从反应管的外侧延伸至反应管的内部；以及第一气体供给部，其向气体供给喷嘴供给第一气体。

公开(公告)号：CN114846588A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202180007530.7

申请日：2021-01-26

申请人： 株式会社国际电气

发明人： 中岛智志 ,  涩谷光司

IPC分类号： H01L21/31 ,  H05B3/00 ,  H05B3/40 ,  H01L21/318 ,  C23C16/52

摘要： 能够抑制配管加热器的过度升温。具备：配管加热器，其对气体配管进行加热，所述气体配管向处理基板的处理室供给气体；温度检测部，其对所述气体配管的温度进行检测；温度调节器，其根据温度检测部检测出的温度，输出表示应提供给配管加热器的电力的操作量，进行使气体配管的温度接近目标值的控制；以及上位控制器，其对温度调节器的控制下的气体配管的加热的开始和停止进行控制，在温度调节器的控制下的气体配管的加热开始后，在操作量成为最大值的时间为阈值以上的情况下，上位控制器将温度调节器控制成停止气体配管的加热。

公开(公告)号：CN108475635B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN201680071748.8

申请日：2016-12-12

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 余佳 ,  石桥直人 ,  深田启介 ,  歌代智也 ,  渥美广范

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C30B25/12 ,  H01L21/205 ,  H01L21/683

摘要： 一种晶片支承机构，具备：晶片支承台；和由所述晶片支承台支承的可动部，所述晶片支承台具有运送用晶片支承部，所述运送用晶片支承部从所述晶片支承台的与所载置的晶片的背面对向的第1面立起，且设置在比所载置的晶片的外周端靠内侧的位置，所述可动部具有成膜用晶片支承部，且能够在所述运送用晶片支承部的立起方向上相对于所述晶片支承台相对地移动，所述成膜用晶片支承部位于比所述运送用晶片支承部靠所载置的晶片的外周侧的位置。