公开(公告)号：CN118382204A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410493137.9

申请日：2024-04-23

申请人： 中山国昌荣电子有限公司

发明人： 蒋军林

IPC分类号： H05K3/00

摘要： 本申请涉及电路板制造领域，具体提供了一种防通孔异形的激光钻孔方法及激光钻孔装置。该方法包括如下步骤：S1，首先，对电路板进行冷却，冷却的温度为‑20～‑100℃，冷却的时间为第一时间；S2，冷却结束后，间隔第二时间，对电路板进行激光钻孔，激光钻孔的时间为第三时间；其中，第二时间大于第三时间，且小于第一时间；电路板上，冷却的区域面积大于激光钻孔的区域面积。本申请装置中，电路板可拆卸固定设置于传送装置上，冷却装置用于降低电路板的温度，冷却装置靠近传送方向的上游，钻孔装置用于在电路板上钻孔，钻孔装置靠近传送方向的下游。预先冷却降低了电路板的温度，钻孔时孔内累积较少的热量，从而减少鼓形孔的形成，提升加工精度。

公开(公告)号：CN118317618A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410431387.X

申请日：2024-04-11

申请人： 云南师范大学

发明人： 杨培志 ,  杨雯 ,  杨启鸣 ,  张云博 ,  孟广昊 ,  王琴 ,  章维格

IPC分类号： H10K30/88 ,  H10K71/00 ,  H01L31/048 ,  H01L31/18 ,  H01L31/055

摘要： 本申请涉及太阳电池封装技术领域，具体涉及一种提高光利用率的钙钛矿太阳电池封装结构及封装方法。该封装结构包括自下而上钙钛矿太阳电池、紫外线转换层、疏水层。紫外线转换层包括封装胶膜和量子点，量子点掺杂在封装胶膜中，量子点将紫外线转换为可见光。疏水层的表面具有疏水特性。本发明中的量子点吸收紫外线并通过量子点的荧光发生过程，将紫外线转换为钙钛矿太阳电池更高吸收效率的可见光频段；这种能量的转换提高了太阳电池的光谱范围内光子的比例，从而提高了光能的利用。另外，通过设置紫外线转换层，减少了直接到达钙钛矿材料的紫外光，减少了紫外线对钙钛矿太阳电池的损伤，延长了钙钛矿太阳电池的使用寿命。

公开(公告)号：CN118275413A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410711297.6

申请日：2024-06-04

申请人： 延安大学

发明人： 吴雄雄 ,  何智慧 ,  霍亚杉 ,  崔巍 ,  王奕璇 ,  杨志敏 ,  路绍军 ,  李建新 ,  杨延宁

IPC分类号： G01N21/65

摘要： 本申请涉及拉曼散射领域，具体提供了一种贵金属颗粒‑半导体层复合表面增强拉曼散射衬底，该衬底包括基底，基底的上表面设置贵金属层，贵金属层远离基底一侧设置有半导体层，半导体层包覆贵金属层；贵金属层包括第一贵金属颗粒，相邻第一贵金属颗粒之间有间距，贵金属层还包括第二贵金属颗粒，基底朝向贵金属层一侧的平面上设置有凹槽，凹槽设置于相邻第一贵金属颗粒之间，凹槽内部设置第二贵金属颗粒；入射激光由半导体层远离贵金属层一侧入射。第一贵金属颗粒和第二贵金属颗粒之间的耦合沿倾斜方向，光场与贵金属颗粒的作用距离较长，拉曼信号的增强效果较好；贵金属层被半导体层覆盖，与待检测分子和空气不直接接触，结构较稳定，可重复使用。

公开(公告)号：CN118265313A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410579852.4

申请日：2024-05-11

申请人： 云南师范大学

发明人： 杨雯 ,  杨培志 ,  杨启鸣 ,  王琴 ,  段良飞 ,  冯小波 ,  袁岳

IPC分类号： H10K30/50 ,  H10K30/86 ,  H10K30/40 ,  H10K30/87

摘要： 本申请涉及钙钛矿太阳电池技术领域，具体涉及一种氧化镍纳米颗粒优化界面的反式钙钛矿太阳电池，包括从下至上依次排布的透明导电层、空穴传输层、钙钛矿材料层、电子传输层、金属导电层；该反式钙钛矿太阳电池还包括氧化镍纳米颗粒，氧化镍纳米颗粒分布在空穴传输层上、钙钛矿材料层覆盖所述氧化镍纳米颗粒。本发明利用氧化镍纳米颗粒不仅增强了空穴传输层的亲水性，而且改进了的空穴提取路径，这不仅提高了电流的产生，而且减少了电荷在界面处的积累和复合，从而增加了电池的开路电压和整体效率。综合以上效果，本发明在钙钛矿太阳电池领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN118241305A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410344271.2

申请日：2024-03-25

申请人： 西北工业大学

发明人： 王伟丽 ,  翁祥 ,  魏炳波 ,  吴海斌 ,  李文慧 ,  丁书剑

IPC分类号： C30B21/02 ,  C30B29/52

摘要： 本申请涉及合金制备技术领域，具体提供了一种用于合金制备的水平定向凝固装置，该装置包括管状坩埚，管状坩埚的一端螺接第一螺纹杆，第一螺纹杆远离管状坩埚的一端螺接设置有气动旋转接头，管状坩埚的另一端螺接第二螺纹杆；管状坩埚设置于加热腔室中，加热腔室靠近第一螺纹杆一端固定设置有第一法兰盘，加热腔室的另一端固定设置有隔板，隔板远离加热腔室固定设置有冷却腔室，冷却腔室的另一端固定设置有第二法兰盘，第一法兰盘、隔板、第二法兰盘的中心设置有贯穿孔；第二螺纹杆、管状坩埚、第一螺纹杆、加热腔室、冷却腔室的中心轴共线，且沿水平方向，第二螺纹杆、管状坩埚、第一螺纹杆整体能够沿中心轴前后移动，也能够沿中心轴旋转。

公开(公告)号：CN118116888A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410242465.1

申请日：2024-03-04

申请人： 广东鸿祺新材料有限公司

发明人： 张皓 ,  马学娟 ,  黄武坤 ,  兰介钟 ,  张孝海

IPC分类号： H01L23/473 ,  H01L23/538

摘要： 本申请涉及线路板领域，具体提供了一种散热管及包括该散热管的线路板；该散热管包括管壁，管壁包括底壁、顶壁、侧壁，散热管的两端密封，形成封闭腔室，封闭腔室中设置有导热液体，导热液体充满封闭腔室；由封闭腔室的一侧至相对一侧，底壁的厚度逐渐增大，顶壁的厚度逐渐减小。该线路板包括线路基板，线路基板的一侧设置有芯片，线路基板的另一侧设置有上述散热管，散热管部分地设置于线路基板内部，散热管与芯片接触。导热液体的流动增强了热量的传递效率，封闭腔室中，下端较热的导热液体向上移动，上端较冷的导热液体向下移动，提升导热液体的流动性，从而散热管散热性能较好。

公开(公告)号：CN118102743A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410304679.7

申请日：2024-03-18

申请人： 云南师范大学

发明人： 杨雯 ,  杨培志 ,  杨启鸣 ,  张力元 ,  张云博 ,  王琴 ,  孟广昊

IPC分类号： H10K30/86 ,  H10K30/50 ,  H10K30/40 ,  H10K71/00 ,  H10K71/10 ,  H10K71/40 ,  H10K71/60 ,  B82Y40/00

摘要： 本申请涉及太阳电池技术领域，具体涉及一种氧化镍空穴传输层反式钙钛矿太阳电池及其制备方法。该氧化镍空穴传输层反式钙钛矿太阳电池包括由下而上依次设置的透明导电氧化物层、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层、金属电极层。空穴传输层为氧化镍纳米颗粒，氧化镍纳米颗粒为NiO纳米颗粒。应用氢气将所述氧化物纳米颗粒还原为所述NiO纳米颗粒，提供了更稳定的反式钙钛矿太阳电池。另外，本发明将镍氧化物旋凃到透明导电氧化物上后，再应用氢气还原高价态镍氧化物，NiO纳米颗粒更容易形成致密、稳定、平整的薄膜，便于钙钛矿吸光层吸收更多的光，也便于载流子从界面处穿过，从光、电两方面提高了光电转换效率。

公开(公告)号：CN118067687A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410240410.7

申请日：2024-03-04

申请人： 延安大学

发明人： 吴雄雄 ,  何智慧 ,  李建新 ,  霍亚杉 ,  崔巍 ,  王奕璇 ,  杨志敏 ,  路绍军 ,  杨延宁

IPC分类号： G01N21/65 ,  G01N21/01

摘要： 本申请涉及表面增强拉曼散射技术领域，具体涉及一种降低光热效应的表面增强拉曼散射衬底，包括基底层、散热层和复合层。散热层置于基底层上，复合层置于散热层上。复合层包括多个散热部和多个贵金属纳米颗粒。贵金属纳米颗粒的尺寸小于散热部的尺寸，贵金属纳米颗粒的个数多于散热部的个数，贵金属纳米颗粒散布在散热部之间。本发明传统表面增强拉曼散射衬底的基础上引入散热层和散热部，将激发光产生的热量传递到基底层和复合层上部空间，降低了激发光产生的光热效应对表面增强拉曼散射信号的影响，提高了表面增强拉曼散射信号的准确性和稳定性，在表面增强拉曼散射技术领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN118039674A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410241049.X

申请日：2024-03-04

申请人： 西北大学

发明人： 黄媛媛 ,  刘昊楠 ,  徐新龙 ,  周译玄 ,  曹雪芹 ,  席亚妍 ,  雷珍

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L29/06 ,  H01S1/02 ,  C23C16/30 ,  C23C16/26

摘要： 本申请涉及半导体领域，具体提供了一种肖特基型异质结、制备方法及其在太赫兹发射中的应用。该异质结包括半导体层，半导体层表面固定设置有半金属层，半导体层和半金属层形成异质结；半导体层的材料为二硫化钼，半导体层的厚度为0.34‑200nm，半导体层的能带间隙小于等于1.9eV；半金属层的材料为石墨烯，半金属层的厚度为0.4‑0.7nm。制备方法包括：步骤一，利用双温区化学气相沉积法制备半导体层，利用单温区化学气相沉积法制备半金属层；步骤二，通过湿法刻蚀转移技术将半金属层转移到半导体层上。泵浦光照射在本申请异质结上，能够产生太赫兹波，产生的太赫兹波强度较大。

公开(公告)号：CN117929353A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410324445.9

申请日：2024-03-21

申请人： 延安大学

发明人： 吴雄雄 ,  何智慧 ,  霍亚杉 ,  崔巍 ,  王奕璇 ,  杨志敏 ,  路绍军 ,  李建新 ,  杨延宁

IPC分类号： G01N21/65

摘要： 本申请涉及拉曼散射领域，具体提供了一种半导体异质结表面增强拉曼散射衬底，该衬底包括基底层，基底层的一侧固定设置第一半导体层，第一半导体层远离基底层一侧固定设置有第二半导体层，第二半导体层的面积小于第一半导体层的面积，第一半导体层和第二半导体层的材料不同，探测时，待测分子置于衬底的表面。本发明提供的衬底使用半导体异质结进行拉曼信号的增强。入射激光照射使得异质结半导体表面局部电场增强；异质结半导体界面处的内建电场促进电子空穴对的分离以及电子在异质结界面处的迁移，使得异质结半导体表面的电场强度增大，从而进一步提升拉曼信号的强度。因此，本申请衬底对拉曼信号的增强效果较好。