合金薄板及其制造方法

    公开(公告)号:CN1099431A

    公开(公告)日:1995-03-01

    申请号:CN94103318.X

    申请日:1994-03-18

    CPC classification number: H01J29/07 C21D8/0205 H01J2229/0733

    Abstract: 一种含有Fe、Ni和Cr的合金薄板具有15—45μm的平均奥氏体结晶粒度和50%或更低奥氏体结晶粒的混粒度;在该合金薄板表面上具有35%或更低的[331]晶面的聚集度、20%或更低的[210]晶面的聚集度和20%或更低的[221]晶面的聚集度;上述混合粒度用公式(|0.5Dmax-D|/D)×100%)表示,式中D是平均奥氏体结晶粒度,而Dmax该合金薄板中的最大奥氏体结晶粒度。一种制造用于荫罩的合金薄板的方法,它包括步骤:(a)热轧。(b)热轧薄板退火、(c)冷轧、(d)再结晶退火、(e)最终冷轧、(f)消除应力退火和(g)冲压成型前退火。

    铁矿石熔融还原设备的预还原炉

    公开(公告)号:CN1023652C

    公开(公告)日:1994-02-02

    申请号:CN91103967.8

    申请日:1991-06-14

    Abstract: 熔融还原设备的预还原炉,上部有加入铁矿石并进行预还原的流化预还原室,下部有引入还原气体的气体鼓风室,二室以分配器隔开,还设有从流化预还原室卸出已预还原矿石的卸料管。分配器则包括耐火材料制的本体、设在本体底上的金属板、通过本体与金属板之喷嘴、插入喷嘴内的金属管以及与金属板相连的冷却管。金属板下可以设置一为气体流动提供通道之金属箱,并可设一与之分开的让喷嘴通过的底板。分配器可包括上面有耐火层的刚性厚板。

    铁矿石熔融还原装置的预还原炉

    公开(公告)号:CN1022573C

    公开(公告)日:1993-10-27

    申请号:CN91101208.7

    申请日:1991-02-27

    CPC classification number: B01J8/44 C21B13/14

    Abstract: 一种铁矿石熔融还原装置的预还原炉,它包括:一个上部流态化预还原室,铁矿石就被送往此处并进行预还原;一个下部气体鼓风室,还原气体就被送往此处;一个安装在预还原室和气体鼓风室之间的分配器;用来将气体鼓风室内的还原气体吹入预还原室的多个第一喷嘴;用来排出预还原后铁矿石的一根卸料管;位于分配器下方的至少两根可水平移动的清扫管;以及用来将清扫气体喷射到分配器底面上的多个第二喷嘴。

    铁矿石熔融还原的预还原方法及设备

    公开(公告)号:CN1021917C

    公开(公告)日:1993-08-25

    申请号:CN90110308.X

    申请日:1990-12-04

    CPC classification number: C21B13/14

    Abstract: 铁矿石熔融还原的预还原方法,其步骤包括,利用熔炼还原炉(1)产生的气体对处于具有流化床(5)的预还原炉(2)中的矿石进行预还原,控制熔炼还原炉产生的并引入预还原炉的气体压力,从而控制引入预还原炉的气体的实际流率。铁矿石熔融还原预还原的装置,包括用于将熔炼还原炉(1)产生的气体引入预还原炉(2)的气流通路(3)和位于该气流通路中的气体压力控制阀(16)。

    镍矿石的熔炼还原方法
    56.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1021347C

    公开(公告)日:1993-06-23

    申请号:CN90100852.4

    申请日:1990-02-21

    Abstract: 一种熔炼还原Ni矿的方法,其中包括:将Ni矿、含碳物质和助熔剂加入盛放有熔融铁(11)的转炉型熔炼还原炉(10)中,其特征在于通过由顶吹氧喷枪(21)吹氧并且通过使来自被设置在所述熔炼还原炉底的底吹风嘴(24)的搅拌气流进入所述的熔炼还原炉将所述熔炼还原炉内的后燃比[(H2O+CO2)/(H2+H2O+CO+CO2)]控制在0.3或更高的数值。熔融金属中的碳含量[C]%与每吨熔融金属所产生的矿渣数量之间的关系用下式表示:[C]≥S(T/HMT)/3。

    测距方法和装置
    59.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1017280B

    公开(公告)日:1992-07-01

    申请号:CN89107030.3

    申请日:1989-08-08

    CPC classification number: G01S13/325 G01F23/284 G01S13/288

    Abstract: 测距方法和装置,先产生形状相同周期稍不同的两伪随机信号,在发射前得到它们的相关输出作为参考相关输出;将第一伪随机信号直接或调制一载波后发射到目标;检测目标接收的反射信号与第二伪随机信号的相关输出,由参考相关输出到该输出的时间测出到目标的距离。或,从目标反射并接收的调制载波和第二伪随机信号经相关处理检出相关调制载波经参考载波进行正交检测获得目标控测输出,再由参考相关输出与该输出的时间间隔测出到目标的距离。

    单晶硅直径控制法及其设备

    公开(公告)号:CN1056138A

    公开(公告)日:1991-11-13

    申请号:CN91102922.2

    申请日:1991-04-27

    CPC classification number: G01B11/08 Y10T117/1008

    Abstract: 单晶硅直径的一种控制方法,在单晶硅边相对于坩埚转动边受提拉的单晶硅制造过程中,将光学装置测出的提拉单晶的直径测定值与要求直径值进行比较,以确定偏差,再对得出的偏差进行不完全微分PID处理或史密斯法处理,以计算提拉速度,再将提拉速度加到晶体提拉设备的电动机控制器上,从而通过控制提拉速度控制提拉单晶的参数。为完成上述单晶硅直径的一种控制方法的设备,包括输入装置、不完全微分PID计算装置和输出装置。

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