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公开(公告)号：CN1253404C
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN02130462.9
申请日：2002-08-20
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK阿德列克株式会社
Abstract: 提供一种烧成用底板，在烧成时陶瓷制品不产生变形、破损和不良反应，或者即使发生也比现有的底板小，而且比现有底板简单，能够低成本制造，而且使用寿命长。本发明是一种用于烧成烧成收缩大的陶瓷成型体的烧成用底板。陶瓷成型体中含有量占重量20%以上的化学组成物作为主要化学组成物，底板用成型体由如下材料构成，即各种所述主要化学组成物占重量的70%以上，而且其余部分是占重量5～25%的高熔点原料和占重量5～25%的低热膨胀原料，在与所述陶瓷成型体的烧成温度相同或者以上的温度下烧成该底板用成型体构成烧成体。
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公开(公告)号：CN1219723C
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN03149719.5
申请日：2003-08-06
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK阿德列克株式会社
IPC: C04B35/117 , C04B35/185 , B32B18/00
Abstract: 本发明涉及用烧成方法制造陶瓷电子零件时所使用的载置器。更详细地说，就是涉及具备以氧化铝、莫来石作为主要成分的陶瓷质基体的陶瓷电子零件烧成用载置器。本发明的目的是：提供一种可以得到均匀特性电子零件的陶瓷电子零件烧成用载置器，该载置器能满足对载置器的大型化和装载间隔的致密化以及烧成时间缩短的要求，同时能使载置在载置器上的所有的被烧成体与其载置位置无关而可以在均匀的温度下烧成。其解决方案是，对于具有由以氧化铝及莫来石为主要成分的陶瓷材料构成的基体和设置在基体上的防止与被烧成体反应的被覆层的陶瓷电子零件烧成用载置器，以使基体及被覆层的全部在20℃下的热传导率为2.7～15.0W/m·k的材料构成。
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公开(公告)号：CN1203026C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN01136539.0
申请日：2001-10-16
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK阿德列克株式会社
IPC: C04B35/56 , C04B35/573 , C03B35/00
CPC classification number: C04B38/00 , C04B35/573 , H01J2217/49264 , H01L21/673 , Y10T428/30 , C04B35/14 , C04B35/565 , C04B38/0074
Abstract: 本发明是对在表面形成具有一定功能的膜的玻璃材质板进行热处理时，用于承载该玻璃材质板的热处理用工具。该工具含有由粒径在3.5mm以下的SiC组成的相50重量%-100重量%的范围内，其热传导率为10W/mk-60W/mk，表观气孔率为0.2-25%，热膨胀系数为3.8×10-6/℃～5.5×10-6/℃。由于它具有合适的热膨胀系数，从而能抑制由于工具自身长时间产生的翘曲，热处理中的摩擦所产生的玻璃材质板的变形；由于具有优良的热传导性能能够以比较短的时间高效率地进行玻璃材质板的均匀热处理。还改善了玻璃材质板由工具上装上卸下的操作性能。
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公开(公告)号：CN1480425A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN03149719.5
申请日：2003-08-06
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK阿德列克株式会社
IPC: C04B35/117 , C04B35/185 , B32B18/00
Abstract: 本发明涉及用烧成方法制造陶瓷电子零件时所使用的载置器。更详细地说，就是涉及具备以氧化铝、莫来石作为主要成分的陶瓷质基体的陶瓷电子零件烧成用载置器。本发明的目的是：提供一种可以得到均匀特性电子零件的陶瓷电子零件烧成用载置器，该载置器能满足对载置器的大型化和装载间隔的致密化以及烧成时间缩短的要求，同时能使载置在载置器上的所有的被烧成体与其载置位置无关而可以在均匀的温度下烧成。其解决方案是，对于具有由以氧化铝及莫来石为主要成分的陶瓷材料构成的基体和设置在基体上的防止与被烧成体反应的被覆层的陶瓷电子零件烧成用载置器，以使基体及被覆层的全部在20℃下的热传导率为2.7～15.0W/m·k的材料构成。
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公开(公告)号：CN1106565C
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN95103594.0
申请日：1995-03-27
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK.阿德列克株式会社
IPC: F27D5/00
Abstract: 本发明描述具有下述特征的SiC质窑炉用具：向最大粒径为4mm的SiC粉末中添加0.01～0.7%的V2O5、0.01～0.7%的CaO和0.01～5%的粘土，成型煅烧成SiC质窑炉用具；将该窑炉用具的表层和中心部分分别用粉末X射线衍射法用CuKα线测定，求得2θ为21.9°的方英石衍射峰高相对2θ为34.0°的碳化硅衍射峰高之比时，中心部分的上述比值相对于表层部分的上述比值的比例为20%以上；常温时的抗弯强度是在1400℃时的抗弯强度±20%的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1092619C
公开(公告)日：2002-10-16
申请号：CN96108419.7
申请日：1996-04-11
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK阿德列克株式会社
IPC: C04B35/00
Abstract: 本发明包括通过以下步骤生产的窑具：粉磨至少一种选自于堇青石、莫来石、红柱石，矾土和经煅烧形成这些矿物的矿物的原料获得粒径为500μm或更小的粉磨了的粉末；加入0-30wt%的粒径为44μm或更大的碳化硅粉末获得混合粉末；粒化混合粉末获得粒化了的粉末；成型粒化后的粉末获得密实体；焙烧该密实体。由于本发明的窑具采用粒化后的原料生产，所以窑具在表面上和厚度方向上具有均匀的密度，该窑具在窑具所要求的各项性能方面是优异的并具有较长的寿命。由于在生产该窑具的过程中几乎不产生缺陷，所以能希望实现较高的生产率。本发明能适用于较大或较薄的窑具，而这些窑具生产和延长它们的寿命是特别困难的。
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公开(公告)号：CN1350997A
公开(公告)日：2002-05-29
申请号：CN01136539.0
申请日：2001-10-16
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK阿德列克株式会社
IPC: C04B35/56 , C04B35/573 , C03B35/00
CPC classification number: C04B38/00 , C04B35/573 , H01J2217/49264 , H01L21/673 , Y10T428/30 , C04B35/14 , C04B35/565 , C04B38/0074
Abstract: 本发明是对在表面形成具有一定功能的膜的玻璃材质板进行热处理时,用于承载该玻璃材质板的热处理用工具。该工具含有由SiC组成的相50重量%以上,其热传导率在10w/mk以上,表观气孔率为0.2－25%,热膨胀系数为3.8×10－6/℃～5.5×10－6/℃。由于它具有合适的热膨胀系数,从而能抑制由于工具自身长时间产生的翘曲,热处理中的摩擦所产生的玻璃材质板的变形;由于具有优良的热传导性能能够以比较短的时间高效率地进行玻璃材质板的均匀热处理。还改善了玻璃材质板由工具上装上卸下的操作性能。
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公开(公告)号：CN1160029A
公开(公告)日：1997-09-24
申请号：CN96108419.7
申请日：1996-04-11
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK阿德列克株式会社
IPC: C04B35/00
Abstract: 本发明包括通过以下步骤生产的窑具：粉磨至少一种选自于堇青石、莫来石、红柱石，矾土和经煅烧形成这些矿物的矿物的原料获得粒径为500μm或更小的粉磨了的粉末；加入0-30wt％的粒径为44μm或更大的碳化硅粉末获得混合粉末；粒化混合粉末获得粒化了的粉末；成型粒化后的粉末获得密实体；焙烧该密实体。由于本发明的窑具采用粒化后的原料生产，所以窑具在表面上和厚度方向上具有均匀的密度，该窑具在窑具所要求的各项性能方面是优异的并具有较长的寿命。
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公开(公告)号：CN113383204B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202080001614.5
申请日：2020-02-10
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK阿德列克株式会社
Abstract: 一种烧成用夹具，具备：SiC质或Si－SiC质的基材、以及将基材的表面覆盖的涂层。涂层具备：第一层，其以Al2O3－SiO2质为主成分，且设置于基材表面；以及第二层，其在涂层的表层暴露出来。在用于电子器件材料的情况下，第二层以选自Y2O3、HfO2、CeO2、NiO、WC、Ni、Mo中的至少1种为主成分；在用于锂电池的活性物质材料的情况下，第二层以选自Y2O3、HfO2、CeO2、NiO中的至少1种为主成分。
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