公开(公告)号：CN105355643B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201510652459.4

申请日：2015-10-10

申请人： 重庆京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 白雅杰 ,  许卓 ,  王小元 ,  金在光

IPC分类号： H01L27/32

CPC分类号： H01L27/3218 ,  H01L27/13 ,  H01L27/18 ,  H01L27/3213 ,  H01L51/56

摘要： 本发明公开了一种像素结构、其制作方法、显示面板及显示装置，该像素结构具有四种颜色不同的子像素，各子像素的形状为直角三角形，将每两个颜色不同的子像素构成一矩形的虚拟像素；使各虚拟像素呈阵列排布，且相邻的两个虚拟像素所包含的子像素的颜色各不同；同时每四个颜色不同的子像素的直角聚于一点构成一菱形的物理像素，该物理像素的菱形形状亦可看成是斜向的矩形。由于上述像素结构中不管是物理像素还是虚拟像素的形状均为矩形尺寸，因此，上述像素结构能同时兼容普通显示和虚拟显示，不论采用虚拟像素进行高分辨率的虚拟驱动显示，还是采用普通(物理)像素进行低分辨率的普通显示，均可以得到均匀性较强的画面，实现较好地视觉匹配效果。

公开(公告)号：CN107579079A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201710854302.9

申请日：2017-09-20

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  重庆京东方光电科技有限公司

发明人： 王小元 ,  杨妮 ,  王武 ,  方琰

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/786

摘要： 本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，可解决提高薄膜晶体管的充电率，而导致的显示面板透光率降低的问题。该薄膜晶体管包括第一极、第二极、有源层、栅极以及栅绝缘层；所述第一极包括条形臂和与所述条形臂相连的连接臂，所述第二极包括条形臂；所述条形臂沿第一方向排列，所述第一方向垂直于所述条形臂的延伸方向；其中，所述第一极的连接臂在所述栅极上的投影与所述栅极无重叠区域，且该连接臂与所述第二极的所述条形臂之间的区域为第一区域，所述有源层在所述第一极或所述第二极上的正投影位于所述第一区域的部分至少部分镂空。用于提高薄膜晶体管的充电率。

公开(公告)号：CN106992214A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201710280348.4

申请日：2017-04-25

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  重庆京东方光电科技有限公司

发明人： 王小元 ,  杨妮 ,  方琰 ,  齐智坚 ,  李少茹

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12

摘要： 本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，能够解决现有的薄膜晶体管对像素电容的充电率较低导致像素电容充电不足而影响显示器显示品质的问题。包括：栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极，位于源极和漏极之间的有源层用于形成主沟道。漏极包括第一漏极和至少一个第二漏极，第一漏极和源极之间的有源层、第二漏极和源极之间的有源层用于形成主沟道的不同部分，第一漏极为信号输入电极，且位于第一漏极和第二漏极之间的有源层用于形成辅助沟道，其中，辅助沟道的沟道长度小于等于主沟道的沟道长度。

公开(公告)号：CN106356408A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201611082828.1

申请日：2016-11-30

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  重庆京东方光电科技有限公司

发明人： 许志财 ,  王小元 ,  王武 ,  张逵 ,  童杨 ,  金在光 ,  邓鸣

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1368

CPC分类号： H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/41733

摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板、显示面板及显示装置。薄膜晶体管包括：位于衬底基板上的栅极、栅绝缘层、源极、漏极和有源层，源极和漏极为同层设置且间隔一定距离，从而形成锯齿状的狭缝区域。本发明的薄膜晶体管的源极和漏极之间形成锯齿状的狭缝区域，从而能够在有限的设置面积下，增加了源极和漏极之间沟道的延伸长度，使得源极和漏极可进行电荷流动的有效区域得到增加，进而提高了薄膜晶体管的充电率。因此在实际应用中，本实施例的薄膜晶体管在保证充电率不变或提升的前提下，可适当减小积薄膜晶体管的占用面积，若应用到显示装置中，可有效提高显示装置的开口率，从而使得显示画面更加细腻。

公开(公告)号：CN105974688A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610585824.9

申请日：2016-07-22

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  重庆京东方光电科技有限公司

发明人： 王武 ,  邓鸣 ,  童杨 ,  许志财 ,  王小元 ,  金在光

IPC分类号： G02F1/1343 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

摘要： 本发明提供一种阵列基板，所述阵列基板被划分为多个像素单元，所述阵列基板包括衬底、第一电极层与所述第一电极层绝缘间隔的第二电极层，所述第一电极层位于所述衬底与所述第二电极层之间，所述第二电极层包括多个第二电极，每个像素单元内设置有至少一个第二电极，所述第二电极包括连接部和多个电极条，所述电极条的一端与所述连接部相连，其中，所述电极条的另一端为自由端。本发明还提供一种显示面板和一种显示装置。包括所述阵列基板的显示面板具有较高的开口率和透过率。

公开(公告)号：CN105785681A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610342241.3

申请日：2016-05-20

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  重庆京东方光电科技有限公司

发明人： 白雅杰 ,  许卓 ,  金在光 ,  金熙哲 ,  王武 ,  王小元

IPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/1343

CPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/136213

摘要： 本发明提供了一种显示器件及其制作方法，该显示器件设置有电荷共享结构；在极性反转模式下，在当前帧的电荷需要写入到一个像素存储电容之前，电荷共享结构能够引入上上一帧写入到该像素存储电容中的电荷对上一帧写入的电荷进行抵消，并分摊掉在上一帧写入的其中一部分电荷，从而使得上一帧写入到该存储像素电容内的电荷大幅减少。从而减少上一帧写入到该像素存储电容的电荷对当前帧写入到该像素电容的电荷的中和，降低当前帧对像素存储电容的充电量和充电时间。并且本发明中，电荷共享结构内的电荷是由对应的像素存储电容流入的，无需设置用于对该电荷共享结构进行充电的充电线，也就不会因为充电线与数据线之间的交叠电容而导致信号串扰。

公开(公告)号：CN105655293A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610017659.7

申请日：2016-01-12

申请人： 重庆京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 王小元 ,  王武 ,  汪锐 ,  白雅杰 ,  许卓

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362

CPC分类号： G02F1/1339 ,  G02F1/1343 ,  H01L27/124 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/1259

摘要： 本发明涉及一种阵列基板及其制作方法和显示装置，该阵列基板包括基底、形成在基底上方的透明导电层图形、形成在所述透明导电层图形上方且与所述透明导电层图形邻接的走线层图形；所述走线层图形包括多条走线，所述透明导电层图形包括多个独立的导电条，每一个导电条对应于一条走线；每一条走线中开设有多个曝光孔；每一个导电条包括与对应的走线位置相对的第一部分和与该走线上开设的各个曝光孔位置相对的第二部分，每一个第二部分均连接所述第一部分。本发明中，将第一部分和第二部分均并联到相应的走线上，能够降低相应的走线的电阻，提升相应走线的导电性能。

公开(公告)号：CN112987416B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202110402808.2

申请日：2021-04-14

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  重庆京东方光电科技有限公司

发明人： 陈俊明 ,  王小元 ,  吴忠山 ,  杨国栋 ,  万彬 ,  刘艳 ,  雷丹

IPC分类号： G02F1/1343 ,  G02F1/1362

摘要： 本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域。阵列基板包括：阵列排布的子像素，子像素包括连接电极、绝缘层和像素电极，像素电极包括第一子电极、多个第二子电极和第三子电极，绝缘层具有第一过孔；第一子电极通过第一过孔与连接电极连接，相邻两个第二子电极之间具有狭缝；每个狭缝具有朝向第一子电极的第一端，第一狭缝的第一端与第一子电极沿第一方向延伸后的区域存在重合区域，第二狭缝的第一端与上述延伸区域不存在重合区域，至少一个第一狭缝的第一端到第一子电极远离第二子电极一侧所在平面的距离，小于第二狭缝的第一端到第一子电极远离第二子电极一侧所在平面的距离。本发明的阵列基板能够改善麻点不良现象。

公开(公告)号：CN117930551A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202211312220.9

申请日：2022-10-25

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  重庆京东方光电科技有限公司

发明人： 蒲巡 ,  王小元 ,  陈俊明 ,  万彬 ,  杨国栋 ,  刘艳

IPC分类号： G02F1/136 ,  H01L27/12

摘要： 本申请实施例提供一种阵列基板、显示面板和显示装置，其中，阵列基板包括：第一衬底；栅极金属层，设置于第一衬底的一侧；栅极绝缘层，设置于栅极金属层的背离第一衬底的一侧；源漏金属层，设置于栅极绝缘层的背离第一衬底的一侧；绝缘保护层，设置于源漏金属层的背离第一衬底的一侧；其中，绝缘保护层在第一衬底表面上的正投影覆盖栅极绝缘层在第一衬底表面上的正投影，且绝缘保护层在第一衬底侧面所在平面上的正投影覆盖栅极绝缘层在第一衬底侧面所在平面上的正投影的至少一部分。本申请实施例的技术方案可以避免水汽从绝缘保护层与栅极绝缘层之间进入并渗透GOA走线下方，进而避免GOA走线发生腐蚀或短路的问题。

公开(公告)号：CN114153335B

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202010930382.3

申请日：2020-09-07

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  重庆京东方光电科技有限公司

发明人： 吴忠山 ,  王小元 ,  刘艳 ,  潘瑞琦 ,  尹晓峰 ,  刘建涛

IPC分类号： G06F3/044

摘要： 本发明涉及一种触控基板。所述触控基板的触控单元包括：第一触控电极和第二触控电极，所述第一触控电极具有沿第一方向延伸的第一母线和从所述第一母线延伸出的第一内电极，所述第二触控电极具有沿所述第一方向延伸的第二母线和从所述第二母线延伸出的第二内电极。所述第一母线和所述第二母线相对设置，所述第一内电极和所述第二内电极位于所述第一母线和所述第二母线之间，并且所述第一内电极和所述第二内电极在所述第一方向上彼此交替间隔设置。每一对邻近的第一内电极和第二内电极构成一个内电极组。在每个所述内电极组内，所述第一内电极的至少一部分朝向所述第二内电极延伸，所述第二内电极的至少一部分朝向所述第一内电极延伸。