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公开(公告)号：CN103645449B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201310719255.9
申请日：2013-12-24
申请人： 江苏多维科技有限公司
发明人： 詹姆斯·G·迪克
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/09
摘要： 本发明公开了一种用于高强度磁场的单芯片参考桥式磁传感器，该传感器包括基片、参考臂、感应臂、屏蔽结构以及衰减器。其中参考臂、感应臂各自包含有至少两行/列由一个或多个相同磁电阻传感元件电连接构成的参考元件串、感应元件串；参考元件串与感应元件串相互交错排放，每个参考元件串上对应设置有一屏蔽结构，每个感应元件串上对应设置有一衰减器，磁电阻传感元件为选自AMR、GMR或者TMR传感元件中的一种，屏蔽结构和衰减器均为由坡莫合金这种铁磁材料制成的长矩形条阵列。此传感器可在准桥、参考半桥、参考全桥这三种电桥结构上得到实现。该传感器具有以下优点：功耗低、线性度好、工作范围宽以及能在高强度磁场中工作等。
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公开(公告)号：CN104880682A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510312243.3
申请日：2015-06-09
申请人： 江苏多维科技有限公司
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/093 , B82Y25/00 , G01R33/09 , G01R33/096 , H01L43/08
摘要： 一种交叉指状Y轴磁电阻传感器，包括衬底、位于衬底上的第一梳状软磁通量引导器、第二梳状软磁通量引导器、推挽式磁电阻传感单元电桥，还可包括校准和/或重置线圈，第一、第二梳状软磁通量引导器形成交叉指状，第二梳齿和相邻的两个第一梳齿间形成第一间隙和第二间隙，且第二梳齿与第一梳座间、第一梳齿与第二梳座间分别形成间隙，推磁电阻单元串和挽磁电阻单元串交替位于第一间隙和第二间隙内,且磁电阻传感单元为X磁场敏感方向，校准线圈包括平行于磁电阻传感单元串的校准直导线，重置线圈分别垂直于磁电阻传感单元串的重置直导线，本发明通过交叉梳状软磁通量引导器，实现了对Y轴磁场测量，具有简单、高增益和低功耗特点。
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公开(公告)号：CN103384141B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201310313538.3
申请日：2013-07-24
申请人： 江苏多维科技有限公司
IPC分类号： H03D7/16
CPC分类号： H03D7/00 , G01R33/0094 , G01R33/098 , H03D7/14 , H03D7/1491
摘要： 本发明公开了一种磁阻混频器，包括螺旋线圈、桥式磁阻传感器以及磁屏蔽层，螺旋线圈位于桥式磁阻传感器和磁屏蔽层之间。组成桥式磁阻传感器的四个隧道磁阻传感器单元各包含N个阵列式磁隧道结行，磁隧道结行之间以串联、并联或串、并联混合连接成两端口结构。四个磁阻传感器单元分别位于螺旋线圈具有相反电流方向的两个区域内，磁隧道结敏感轴垂直于电流方向，且在这两个区域内磁阻传感器单元敏感轴向磁场分布特征相反，单个区域内分布特征相同。第一频率信号通过螺旋线圈两端输入，第二频率信号通过桥式磁阻传感器电源-地两端输入，混频信号通过桥式磁阻传感器信号输出端输出。该磁阻混频器具有线性好、输入信号相互隔离，低功耗的特点。
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公开(公告)号：CN104134269A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410284349.2
申请日：2014-06-23
申请人： 江苏多维科技有限公司
IPC分类号： G07D5/08
CPC分类号： G07D5/08
摘要： 本发明公开了一种硬币检测系统，包括激励线圈、径向磁梯度计、轴向磁梯度计、定位装置、信号激励源、驱动电路、模拟前端电路以及处理器。在信号激励源和驱动电路对激励线圈进行激励后，激励线圈产生了平行于待测硬币轴向的激励磁场，在激励磁场的作用下，待测硬币通过内部产生的涡流进而产生感生磁场，径向磁梯度计和轴向磁梯度计检测该磁场在待测硬币径向和轴向的磁场分量，并将检测到的信号输送给模拟前端电路进行放大，处理器对模拟前端电路输送的放大信号进行处理并输出，根据输出信号的谐振幅度以及相位等信息，便能获知硬币的材料、花色、面值等信息并能分辨真伪。本发明提供的硬币检测系统具有精度高、灵敏度高、动态线性范围宽等优点。
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公开(公告)号：CN103913183A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310007695.1
申请日：2013-01-09
申请人： 江苏多维科技有限公司
CPC分类号： G01F15/066 , G01D5/2451
摘要： 本发明涉及一种角度磁编码器和电子水表。该角度磁编码器包括数字转轮，与所述数字转轮同轴安装的永磁体，隧道磁阻角位移传感器，以及数字处理电路。该编码器中，隧道磁阻角位移传感器位于永磁体的检测面内距离永磁体柱状圆环轴心特定半径范围的区域内，在该特定半径范围的区域内，所述永磁体产生的磁场在检测面内的分量的旋转磁场相位角与永磁体旋转相位角呈线性变化关系。根据本发明的磁编码器和电子水表具有小的体积和高的测量精度。
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公开(公告)号：CN103768679A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410058046.9
申请日：2014-02-20
申请人： 江苏多维科技有限公司
CPC分类号： A61M5/14216 , A61M5/14236 , A61M5/1452 , A61M5/1684 , A61M5/16886 , A61M5/172 , A61M2205/18 , A61M2205/3317 , A61M2205/3365 , A61M2205/3389 , A61M2207/00
摘要： 本发明公开了一种由丝杆泵驱动的精密注射器泵，其使用磁电阻传感器和MCU监测导螺杆的转动，并通过电机控制器控制反馈控制导螺杆的转向和速度，从而控制注射器的输液速度。本发明的精密注射器泵具有高灵敏度，高可靠性，低功耗，低成本和方便使用的特点。
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公开(公告)号：CN103744038A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310750924.9
申请日：2013-12-31
申请人： 江苏多维科技有限公司
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/091 , G01R33/072 , G01R33/09 , G06K9/186 , G06K9/209
摘要： 本发明公开了一个以磁场感应为基础的近距离磁电阻成像传感器阵列。此近距离磁电阻成像传感器阵列包括传感元件阵列和应用集成电路，还包括为传感元件阵列提供电源的电路，磁电阻感应元件阵列选择电路，信号放大电路，数字化，存储和微处理器。此外，所述传感元件阵列包括至少一个磁电阻传感元件。本发明通过优化应用集成电路和传感元件阵列的排布方式和使用可以减小媒介成像传感器阵列和媒介之间的距离的电连接技术，减小了媒介成像传感器阵列和媒介之间的距离，从而提高了现有的媒介成像传感器的分辨率。
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公开(公告)号：CN102169139B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201110138721.5
申请日：2011-05-26
申请人： 江苏多维科技有限公司
CPC分类号： G01R33/098 , G01R15/205 , G01R21/00 , G01R21/06 , G01R22/10
摘要： 本发明公开了一种测量连接于导电体的负载的能量消耗的电表传感器。该电表传感器通过单独使用磁性传感器或使用磁性传感器与电容的组合，实现了在传感器与供电导线电气隔离情况下的负载电能消耗的测量。通过测量负载两端的电压和导线中的电流，实现负载的瞬时功率和其它所需参数的实时测量。电流是通过磁性传感器检测与流过导线的电流关联的磁场来测量的。电压的测量有两种可行的方式，一是磁性传感器测量与负载并联的分流电阻线圈中的电流，二是通过应用与负载并联的耦合电容分压器来测量。此外，本发明还公开了一种能控制传感器的偏置电流以自动调整量程和计算所需参数（例如，电能消耗）的专用集成电路。
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公开(公告)号：CN103592608A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310496945.2
申请日：2013-10-21
申请人： 江苏多维科技有限公司
发明人： 詹姆斯·G·迪克
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/0011 , G01R33/09 , G01R33/093 , G01R33/098
摘要： 本发明公开了一种用于高强度磁场的推挽桥式磁传感器，该传感器包括两个基片、磁电阻传感元件以及推臂衰减器和挽臂衰减器。同一基片上磁电阻传感元件的钉扎层的磁化方向相同，不同基片上的磁电阻传感元件的钉扎层的磁化方向相反，其中一个基片上的磁电阻传感元件相互电连接构成推挽电桥的推臂，另一个基片上的磁电阻传感元件相互电连接构成推挽电桥的挽臂。推、挽臂上磁电阻传感元件成列排布于推臂衰减器和挽臂衰减器的上方或下方。此传感器可在准桥、半桥、全桥三种电桥结构上得到实现。其具有以下优点：功耗低、偏移量小、线性度好、工作范围宽以及能在高强度磁场中工作等，并且其灵敏度能达到单芯片参考桥式磁传感器的最大灵敏度的2倍。
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公开(公告)号：CN103414176A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310325339.4
申请日：2013-07-30
申请人： 江苏多维科技有限公司
CPC分类号： H01C7/13 , G01R33/091 , G01R33/098 , H01L43/08 , H02H9/02
摘要： 本发明公开了一种磁阻限流器，包括基片、磁阻传感器层、第一绝缘层、线圈、第二绝缘层、磁屏蔽层以及输入电极和输出电极。线圈位于磁屏蔽层和磁阻传感器层之间，第一绝缘层、第二绝缘层分别隔离磁阻传感器层和线圈、线圈和磁屏蔽层，磁阻传感器层和线圈串联，并连接输入电极和输出电极。磁阻传感器层包括N行阵列式的磁隧道结行，线圈包括2*N+M（N>1，M=-1或3）行串联或N+M（N>1，M=0或2）行并联的导电行，电流同方向流入位于隧道结行之上或下的导电行，且在磁隧道结行处产生均匀磁场。磁隧道结的磁敏感轴垂直于磁隧道结行，磁阻传感器层具有单调或轴对称线性上升电阻-磁场特征。该磁阻限流器具有响应速度快、可连续操作、对增减电流均起作用等特点。
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