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公开(公告)号：CN111366087A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010275953.4
申请日：2020-04-09
Applicant: 武汉颐光科技有限公司 , 华中科技大学
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明涉及光学薄膜测量技术领域，特别涉及一种可局部测量的显微成像膜厚测量装置，包括：光路组件、载物组件及机架组件，载物组件设置在机架组件上；光路组件连接在机架组件上；光路组件用于对载物组件上的薄膜进行光学测量。本发明提供的可局部测量的显微成像膜厚测量装置，光源可同时作为测量光源和照明光源，不仅能发出测量光束，同时能提供对测量区域标记的光束，不需要另外设置照明光源，可避免对测量光源带来杂散光，提高了测量结果的准确性。
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公开(公告)号：CN109141259B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201810885777.9
申请日：2018-08-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01B11/06 , G01N21/01 , G01N21/552
Abstract: 本发明属于光学测量相关技术领域，其公开了薄吸收膜的光学常数与厚度的测量装置及方法，该测量装置包括集成于一体的椭偏参数测量模块与反射率测量模块，所述椭偏参数测量模块与所述反射率测量模块相对设置，且所述椭偏参数测量模块得到的探测光束与所述反射率测量模块得到的探测光束辐照于待测样品的相同位置，从而实现了待测样品表面同一点的椭偏参数与反射率的同时、原位及在线测量。本发明实现了薄吸收膜光学常数与厚度的有效表征，同时实现了非透明基底上薄吸收膜的光学常数与厚度的原位表征，且结构简单，易于实施。
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公开(公告)号：CN109141259A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810885777.9
申请日：2018-08-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01B11/06 , G01N21/01 , G01N21/552
CPC classification number: G01B11/06 , G01N21/01 , G01N21/552
Abstract: 本发明属于光学测量相关技术领域，其公开了薄吸收膜的光学常数与厚度的测量装置及方法，该测量装置包括集成于一体的椭偏参数测量模块与反射率测量模块，所述椭偏参数测量模块与所述反射率测量模块相对设置，且所述椭偏参数测量模块得到的探测光束与所述反射率测量模块得到的探测光束辐照于待测样品的相同位置，从而实现了待测样品表面同一点的椭偏参数与反射率的同时、原位及在线测量。本发明实现了薄吸收膜光学常数与厚度的有效表征，同时实现了非透明基底上薄吸收膜的光学常数与厚度的原位表征，且结构简单，易于实施。
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公开(公告)号：CN108709514A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810216877.2
申请日：2018-03-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01B11/26
Abstract: 本发明属于光电检测与测量领域，并具体公开了一种紧凑型滚转角传感器装置及测量方法，包括线偏振光产生模块、传感模块和集成检测模块，线偏振产生模块包括激光器和线偏振器，传感模块包括波片，波片与待测旋转元件相连并同步转动，集成检测模块包括圆偏振分束超透镜和光强探测器；所述方法采用所述装置进行测量，由激光器发出的准直单色光经线偏振器起偏为线偏振光，然后经波片调制为椭圆偏振光，再垂直照射至圆偏振分束超透镜，经偏振分离和会聚后，得到左旋圆偏振会聚光和右旋圆偏振会聚光，最后左旋和右旋圆偏振会聚光会聚到探测器感光面上不同的两点上，并由探测器测量其光强。本发明具有测量范围大、测量精度高、整体体积小、光路简单的优点。
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公开(公告)号：CN104344891B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410594725.8
申请日：2014-10-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种广义椭偏仪光强自动调整装置及其控制方法。装置主要包括计算机、光谱仪、伺服电机控制器、直流伺服电机、增量式编码器和中性密度滤光片转盘。在广义椭偏仪硬件连接完成的情况下，根据光谱仪采集的光谱曲线是否饱和以及是否绝大部分在光谱仪线性响应区间来决定是否要转动直流伺服电机，从而带动中性密度滤波片转盘转动以切换中性密度滤波片来改变光源照射出来的光强大小。本发明可以实现对双旋转补偿器广义椭偏仪光强自动调整，且响应快速，操作简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103426031B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310302341.X
申请日：2013-07-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06Q10/04
Abstract: 本发明公开了一种椭偏仪系统参数优化方法，包括首先建立待优化椭偏仪的系统模型，并得到包含椭偏仪系统参数的矩阵W；然后计算椭偏仪系统矩阵W在不同椭偏仪系统参数下的条件数；再次计算出每个椭偏仪系统参数下矩阵W条件数的最大值与最小值的差值，并按差值从大到小顺序排列；最后根据差值的排列顺序，优化每个椭偏仪系统参数，重复n次优化后，选取排列最前的系统参数，求得其n次优化后最小条件数值与第n-1次优化时矩阵W最小条件数值之间的差值，当差值大小满足要求时，则认为第n次优化后的椭偏仪系统参数为当前椭偏仪的最优系统参数。本发明方法过程明确、简单，最优参数的选定标准灵活可变，可以适用于现有不同结构类型的椭偏仪的优化。
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公开(公告)号：CN102750333B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201210177237.8
申请日：2012-05-31
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F17/30
CPC classification number: G06N99/005
Abstract: 本发明公开了一种用于提取半导体纳米结构特征尺寸的方法，包括待提取参数取值范围的划分，子光谱数据库的建立，支持向量机分类器训练光谱的生成，支持向量机分类器的生成、测量光谱的映射和在子光谱数据库中进行的最相似光谱搜索。与现有方法相比，本发明方法通过额外增加一个可以离线进行的支持向量机分类器训练环节，实现了将测量光谱映射到一个小范围的子数据库中。与在整个大数据库中进行最相似光谱检索相比，在子数据库中展开的检索所消耗的时间大大减少。并且，通过增加每个分类器中包含的类数，可以得到更小的子数据库，从而进一步加速参数的提取。该方法实现了参数的提取速度可预期与可控。
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公开(公告)号：CN103471992A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310396574.0
申请日：2013-09-03
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种应用到光谱椭偏仪中的氙灯光线光强平滑处理装置及方法。该光强平滑处理装置包括准直透镜、汇聚透镜和光阑，准直透镜为消色差透镜，用于将待处理的氙灯光线准直为平行光束；汇聚透镜为单透镜，用于将平行光束汇聚聚焦，汇聚后的光斑大小随波长的增加而增大；光阑设置在汇聚透镜后并间隔一定波长焦距位置处，通过设定该光阑的大小使紫外波段的光斑可透过该光阑而可见到近红外波段的光斑被阻挡，从而减小可见到近红外波段的光束光强，实现平滑。本发明还公开了一种氙灯光线光强平滑处理方法。本发明没有损失任何波段的光线，探测器或者光谱仪可以正常响应全光谱范围的光线，从而可以光谱椭偏仪从紫外到近红外全光谱范围内的高精度测量。
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公开(公告)号：CN103426031A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310302341.X
申请日：2013-07-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06Q10/04
Abstract: 本发明公开了一种椭偏仪系统参数优化方法，包括首先建立待优化椭偏仪的系统模型，并得到包含椭偏仪系统参数的矩阵W；然后计算椭偏仪系统矩阵W在不同椭偏仪系统参数下的条件数；再次计算出每个椭偏仪系统参数下矩阵W条件数的最大值与最小值的差值，并按差值从大到小顺序排列；最后根据差值的排列顺序，优化每个椭偏仪系统参数，重复n次优化后，选取排列最前的系统参数，求得其n次优化后最小条件数值与第n-1次优化时矩阵W最小条件数值之间的差值，当差值大小满足要求时，则认为第n次优化后的椭偏仪系统参数为当前椭偏仪的最优系统参数。本发明方法过程明确、简单，最优参数的选定标准灵活可变，可以适用于现有不同结构类型的椭偏仪的优化。
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公开(公告)号：CN102735183A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210178809.4
申请日：2012-06-01
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明公开了一种基于支持向量机的纳米结构形貌识别方法。首先生成训练光谱，确定支持向量机的核函数与训练方式；生成测试光谱及多种不同的支持向量机；利用测试光谱对支持向量机进行特征形貌识别准确率测试，找出识别准确率、训练光谱数目和核函数之间的关系，作为支持向量机训练的指导原则；对测试光谱添加不同量级的噪声影响，将含有不同量级噪声的测试光谱用于支持向量机中进行测试，找到在能保证正确识别率较高情形下所能添加的最大噪声量级，作为另一指导原则；利用两个指导原则，训练得到最优的支持向量机；对真实待识别结构对应的测量光谱进行映射，识别其形貌。本发明可以对半导体纳米结构的形貌特征进行快速、精确地识别。
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