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公开(公告)号：CN111766499A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010735771.0
申请日：2020-07-28
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 本发明提供了一种半导体材料深能级瞬态谱测试系统及方法，涉及测试技术领域，包括：向被测半导体施加触发信号；获取被测半导体的检测电压和检测电流；根据检测电压和检测电流确定检测电容量；根据检测电流确定瞬态电流量；对检测电容量和瞬态电流量进行数据分析和数据同步，确定同时结合电容变化和电流变化的深能级瞬态谱。本发明向被测半导体施加触发信号，在测试基于电容变化的深能级瞬态谱的同时，也测试基于电流变化的深能级瞬态谱，不仅提高了测试速度，还可通过同时结合电容变化和电流变化的深能级瞬态谱进行数据对比。除此之外，通过同时获取电压、电流多方面的信息，使测试结果更为可靠准确。
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公开(公告)号：CN111751698A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010735733.5
申请日：2020-07-28
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供了一种电子器件氧化层中固定正电荷陷阱的检测方法，包括以下步骤：选择P型半导体材料制备成衬底；在衬底上制备N型外延层；在外延层上形成P+源区、P+漏区和N+阱区；在外延层上生长氧化层；对氧化层进行刻蚀，漏出阱区和衬底，在未刻蚀部分制备电极，形成P+源极、P+漏极和栅极；将源极和漏极接地，栅氧电场保持负偏置，阱区正偏置，衬底正偏置；将源极、漏极、阱区和衬底接地，栅氧电场保持正偏置；栅氧电场交替进行正偏置和负偏置，正偏置和负偏置的交替时间和交替次数相同，在偏置过程中，检测平带电压变化，提取氧化物层俘获正电荷的状态，达到电子器件氧化层中固定正电荷陷阱检测与判定的目的。
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公开(公告)号：CN108364887B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810135806.X
申请日：2018-02-09
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 一种抑制电子元器件中氧化物俘获正电荷形成的方法，涉及一种抑制电子元器件氧化物俘获正电荷形成的方法。是要解决现有双极工艺电子元器件存在辐射产生氧化物俘获电荷现象，改变载流子的表面复合速率，进而影响少子寿命的问题。方法：一、确定试样的芯片厚度a；二、计算入射粒子在试样芯片中的入射深度d；三、计算电离吸收剂量Id和位移吸收剂量Dd；四、使log[(Id+Dd)/Dd]>5；五、调整入射粒子的辐照通量或剂量率；六、进行一次辐照试样；七、进行二次辐照，即完成。该方法通过改变辐照通量或剂量率的方法来实现抑制电子器件内氧化物俘获正电荷的过程，本发明用于抑制电子元器件中氧化物俘获正电荷。
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公开(公告)号：CN106404651B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201610911382.2
申请日：2016-10-19
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G01N17/00
摘要： 脂肪族聚合物绝缘材料的空间辐照效应等效性评价方法，涉及粒子辐射环境用脂肪族聚合物绝缘材料不同辐照源位移辐照效应的等效性评价方法。解决了现有的宇航用脂肪族聚合物空间辐照效应评价方法，评价误差大的问题。计算各辐射源在待测材料样品中的LET值、电离吸收剂量及射程；根据各辐射源在待测材料样品中的射程，确定待测材料样品的厚度，使每种辐射源对应一块待测材料样品进行辐照试验，使各辐射源的辐照粒子完全穿透所对应的待测材料样品的厚度；辐照后，制定各辐射源在辐照条件下微观结构分析获得的各物理量与电离吸收剂量关系曲线，及性能测试获得的各物理量与电离吸收剂量的关系曲线。本方法用于对脂肪族聚合物绝缘材料进行评价。
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公开(公告)号：CN106353622B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201610911425.7
申请日：2016-10-19
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 基于氩气环境改变温度条件下电子元器件高能电子辐照效应的原位测试方法，涉及电子技术领域。本发明是为了解决电子元器件地面辐照过程中，由于环境气氛和温度的影响，导致电性能原位测试不准确和评价效率低的问题。本发明采用氩气环境，这样可以有效地排除以往辐照试验过程中空气中氧气的影响和真空辐照中负压的影响，提高了电子元器件原位测试的准确性。在辐照过程中进行变温辐照，温度区间选取双极晶体管工作的环境温度条件，这样的原位测试方法低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单，易于操作。本发明适用于双极型电子元器件空间辐照效应研究和试验。
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公开(公告)号：CN108345747A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810136616.X
申请日：2018-02-09
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 一种研究电离缺陷和位移缺陷间接交互作用的试验方法，它涉及电离/位移协同效应，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明的目的是为了制备一种结构，基于该结构应用不同类型的带电粒子，从而实现电离和位移缺陷间接交互作用的研究。方法：制备MIS结构，导体-绝缘体-半导体中导体、绝缘体和半导体的厚度分别为a1，a2和a3，计算入射粒子的入射深度、电离吸收剂量(Id)和位移吸收剂量(Dd)，3
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公开(公告)号：CN108345746A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810136611.7
申请日：2018-02-09
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G06F17/50
摘要： MOS工艺器件电离损伤引起的性能退化的等效评价方法，涉及MOS工艺器件性能退化的等效评价方法，为了满足针对不同类型辐照源的MOS工艺器件辐射损伤进行等效评价的需求。基于地面带电粒子辐照源，考虑氧化层的电场的影响对电离吸收剂量进行修正，得到修正电离吸收剂量，并确定性能退化与修正电离吸收剂量的函数关系曲线；针对特定轨道和任务要求计算该轨道下的电离吸收剂量DT，考虑氧化层的电场的影响对电离吸收剂量进行修正，得到该轨道下的修正电离吸收剂量，根据函数关系曲线找到该轨道下的修正电离吸收剂量所对应的性能退化情况，完成对在轨MOS工艺器件的性能退化的评价。本发明适用于等效评价MOS工艺器件的性能退化情况。
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公开(公告)号：CN108335770A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810130004.X
申请日：2018-02-08
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G21F1/02 , G21F1/08 , G21F1/10 , G21F1/12 , G21F3/00 , H01B1/02 , H01B1/04 , H01L23/373 , H01L23/48 , B82Y30/00
CPC分类号： H01L23/3736 , B82Y30/00 , G21F1/02 , G21F1/08 , G21F1/10 , G21F1/125 , G21F3/00 , H01B1/023 , H01B1/04 , H01L23/373 , H01L23/3735 , H01L23/3737 , H01L23/48
摘要： 一种多功能的梯度结构柔性防护薄膜，它涉及空间环境中电子器件防护领域，特别是一种抗空间带电粒子辐射以及具有优异导电导热性能的纳米薄膜防护金属膜柔性聚合物多层梯度结构功能防护材料。本发明是要解决现有抗空间辐射防护材料存在质量重、非柔性、成本高及易于产生二次粒子的问题。多功能的梯度结构柔性防护薄膜为三层结构，所述三层结构分别为纳米管薄膜、微纳米单质层和柔性聚合物；所述纳米管薄膜为石墨烯薄膜、氮化硼纳米管或碳纳米管薄膜；微纳米单质层中所述单质为铝、镍、钛、铜或银；所述柔性聚合物为低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超高分子量聚乙烯或微纳米粒子掺杂聚合物。本发明用于电子器件防护。
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公开(公告)号：CN108334706A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810135800.2
申请日：2018-02-09
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 双极器件位移损伤引起的性能退化的等效评价方法，涉及在轨双极器件的性能退化评价技术，为了满足针对不同类型辐照源的双极器件辐射损伤进行等效评价的需求。基于地面异种粒子辐照源，确定位移损伤引起的性能退化与位移吸收剂量的函数关系曲线；针对特定轨道和任务要求计算该轨道下的电离吸收剂量DI和位移吸收剂量DD，当双极器件以位移损伤为主时，根据函数关系曲线找到该位移吸收剂量DD所对应的性能退化情况，完成在轨双极器件的性能退化评价。本发明适用于等效评价在轨双极器件的性能退化情况。
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