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公开(公告)号:CN102121108A
公开(公告)日:2011-07-13
申请号:CN201110043355.5
申请日:2011-02-23
Applicant: 广东东硕科技有限公司
CPC classification number: C23F11/149 , H05K3/282 , H05K2203/0591 , H05K2203/124
Abstract: 本发明涉及无铅印制电路板用复配OSP处理剂,用于印制电路板铜面形成优良可焊性保护膜。它公开了作为成膜活性成分是一个复配的咪唑化合物,即由二氟代苄基苯并咪唑和2,4位二芳基取代的咪唑化合物组成。所述二氟代苄基苯并咪唑为新的有机化合物,用量比例为0.01~0.1wt%,所述2,4位二芳基取代咪唑的用量比例为0.1~1.0wt%。本发明的处理剂不含溴、铅、汞等有害物质,绿色环保,符合欧盟RoHS标准和REACH法规,在印制电路板形成的OSP膜对铜焊盘有非常出色的保护功能,其抗氧化、抗变色和可焊性能力优良,克服内存插槽孔上锡不良的问题。所述二氟代苄基苯并咪唑结构通式如下:。
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公开(公告)号:CN101033550B
公开(公告)日:2010-09-29
申请号:CN200710027308.5
申请日:2007-03-27
Applicant: 广东东硕科技有限公司 , 广东光华化学厂有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微蚀液及其在印制线路板沉银前处理中的应用。它公开了沉银微蚀液各组分含量为,过硫酸钠80-100g/L,硫酸1.5%-2.5%V/V,C8的有机酸以及包括有一个或两个羟基的C2-C5的有机酸0.10-0.30mol/L。沉银前处理中的应用是将需要镀银的印制线路板经过常规的酸性除油除去铜表面氧化物及其油脂后,将线路板浸入到以上微蚀液中,微蚀液的温度控制在32-40℃,线路板在微蚀液中处理1.5-2.5分钟,微蚀后的线路板浸入到沉银镀液中1.5-2.5分钟,即可得到一层均匀光亮的银沉积在铜面上。本发明公开的微蚀液能调节瞬间微蚀速率,保持铜面平滑,提高镀银层的平整度,使得银层表面光亮,提高镀层的可焊性及抗老化能力,工序简单,成本低。
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公开(公告)号:CN101033550A
公开(公告)日:2007-09-12
申请号:CN200710027308.5
申请日:2007-03-27
Applicant: 广东东硕科技有限公司 , 广东光华化学厂有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微蚀液及其在印制线路板沉银前处理中的应用。它公开了沉银微蚀液各组分含量为,过硫酸钠80-100g/L,硫酸1.5%-2.5%V/V,C2-C8的有机酸0.10-0.30mol/L。沉银前处理中的应用是将需要镀银的印制线路板经过常规的酸性除油除去铜表面氧化物及其油脂后,将线路板浸入到以上微蚀液中,微蚀液的温度控制在32-40℃,线路板在微蚀液中处理1.5-2.5分钟,微蚀后的线路板浸入到沉银镀液中1.5-2.5分钟,即可得到一层均匀光亮的银沉积在铜面上。本发明公开的微蚀液能调节瞬间微蚀速率,保持铜面平滑,提高镀银层的平整度,使得银层表面光亮,提高镀层的可焊性及抗老化能力,工序简单,成本低。
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公开(公告)号:CN1944414A
公开(公告)日:2007-04-11
申请号:CN200610122985.0
申请日:2006-10-24
Applicant: 广东东硕科技有限公司 , 广东光华化学厂有限公司
IPC: C07D233/56
Abstract: 本发明涉及一种二苯基咪唑化合物及其制备方法,用于印刷线路板有机助焊剂保护膜处理液,它公开了2-(3′,4′-二甲氧苯基)4-苯基-5-甲基咪唑的化学结构式,以及公开了制备方法为用香草醛通过甲基化反应生成3,4-二甲氧基苯甲醛B,后者B和1-苯基1,2-丙二酮C、乙酸铵D和助剂在冰乙酸中加热回流发生缩合反应得化合物A,合适的配料比mol/mol:B∶C∶D=1∶1∶5-9;反应后回收部分乙酸,再经氨水中和,析出固体,过滤得粗品,再经水洗、提纯后,为白色固体。本发明水溶性和酸性溶液中的溶解性好,化合物A在使用过程中基本无沉淀,保证了其利用率高及印制线路板的质量,原料易得,反应条件温和,成本低廉,适合工业化生产。
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公开(公告)号:CN119143642A
公开(公告)日:2024-12-17
申请号:CN202411314236.2
申请日:2024-09-20
Applicant: 广东光华科技股份有限公司 , 广东东硕科技有限公司 , 光华科学技术研究院(广东)有限公司
IPC: C07C319/24 , C07C323/66
Abstract: 本申请涉及有机物合成技术领域,具体涉及聚二硫二丙烷磺酸盐及其制备方法。本申请的制备方法,包括以下步骤:将硫脲源、丙磺酸内酯和溶剂于35℃~65℃的温度下混合、进行开环反应,制备异硫脲丙烷磺酸内盐;将异硫脲丙烷磺酸内盐和碱金属氢氧化物溶液混合,于40℃~100℃的温度下进行碱解反应,制备3‑巯基丙烷磺酸的碱金属盐;碱金属氢氧化物溶液中包括碱金属氢氧化物的摩尔数与所述异硫脲丙烷磺酸内盐的摩尔数比值为(2.1~2.5):1;于3‑巯基丙烷磺酸的碱金属盐中加入氧化剂,于15℃~35℃的温度下进行氧化反应,制备聚二硫二丙烷磺酸盐。本申请的制备方法具有较低的制备温度,能有效降低副反应的发生,具有安全、产率和纯度较高的优点。
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公开(公告)号:CN118345467A
公开(公告)日:2024-07-16
申请号:CN202410733502.9
申请日:2024-06-07
Applicant: 光华科学技术研究院(广东)有限公司 , 广东光华科技股份有限公司 , 广东东硕科技有限公司
IPC: C25D3/48
Abstract: 本申请涉及电镀技术领域,特别涉及一种无氰金电镀液和镀金的方法。无氰金电镀液包括亚硫酸金盐、络合剂、辅助络合剂、缓冲剂、结晶调整剂和复合磺酸盐;所述络合剂包括亚硫酸盐和亚硫酸氢盐中的一种或几种;所述络合剂在所述无氰金电镀液中的含量为10g/L~50g/L;辅助络合剂包括糖、糖醇和糖酸中的一种或几种;所述复合磺酸盐包括第一磺酸盐和第二磺酸盐,所述第一磺酸盐包括具有式I所示结构的化合物,所述第二磺酸盐包括具有式II所示结构的化合物。本申请的无氰金电镀液在存储期和使用过程中的稳定性好,镀液寿命长。镀层平整、与基材结合力好。
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公开(公告)号:CN114752939B
公开(公告)日:2024-07-16
申请号:CN202210568533.4
申请日:2022-05-24
Applicant: 光华科学技术研究院(广东)有限公司 , 广东光华科技股份有限公司 , 广东东硕科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种蚀刻液,蚀刻液包括如下组分:无机酸、氧化剂、铜缓蚀剂、助溶剂与水;其中,所述铜缓蚀剂包括含有苯磺酰胺基团的化合物与有机羧酸的混合物;所述有机羧酸的分子式为R‑COOH,R为具有2至5个C原子并且被2至4个羟基取代的烃基。该蚀刻液高效、性能稳定且反应条件温和,对铜腐蚀作用小,并且环保。
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公开(公告)号:CN117568803A
公开(公告)日:2024-02-20
申请号:CN202311598363.5
申请日:2023-11-28
Applicant: 光华科学技术研究院(广东)有限公司 , 广东光华科技股份有限公司 , 广东东硕科技有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种铜制件粗化蚀刻液和铜制件的粗化方法。铜制件粗化蚀刻液包括有机酸、有机酸盐、氯离子、铜离子、式I化合物、表面活性剂和水。本发明可以有效地降低铜制件粗化蚀刻液对铜面侧面的侧蚀,能够匹配现阶段印刷线路板朝着小型化、高密度化的发展所需的工艺精度。同时,本发明的铜制件粗化蚀刻液能够在铜面出现均匀蜂窝状凹凸,有利于保证粗化后的铜面与干膜、阻焊膜、ABF膜或者油墨等膜层的结合力。#imgabs0#式I。
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公开(公告)号:CN116041236A
公开(公告)日:2023-05-02
申请号:CN202211724812.1
申请日:2022-12-30
Applicant: 光华科学技术研究院(广东)有限公司 , 广东东硕科技有限公司 , 广东光华科技股份有限公司
IPC: C07C327/36 , C25D3/38 , C25D3/40 , C25D7/04 , C07C333/20 , C07C329/16 , C07C329/00 , C07D213/59 , C07D215/12
Abstract: 本发明提供了一种二硫代酯类有机物,结构如通式(1)或(2)所示。该二硫代酯类有机物具有可灵活调控光亮剂的吸附性能和去极化性能的优势,性能更为可控、优越。进一步地,本发明的二硫代酯类有机物搭配抑制剂和整平剂,能够进一步优化微孔附近的电流分布,协同提升酸铜镀液的电镀加工性能。另外,对于镀层的力学性能,尤其在延展性上也表现出明显的提升。
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公开(公告)号:CN109706453B
公开(公告)日:2021-02-23
申请号:CN201811628787.0
申请日:2018-12-28
Applicant: 广东东硕科技有限公司
Abstract: 本发明涉及苯并吡嗪类化合物在铜面粗化中的应用及包含其的铜面粗化用组合物。其中,苯并吡嗪类化合物具有式(Ⅰ)所示的结构其中,R1、R2、R3、R4和R5各自独立地选自氢原子、甲基、羟基、羧基或硝基;R5和R6各自独立地选自氢原子、羧基或氯原子。上述苯并吡嗪类化合物及包含其的铜面粗化用组合物具有能使得激光钻孔前的铜面颜色均匀,比表面积大并且铜层微蚀量低的优点,可以有效地提高由其制备而成的线路板的品质。
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