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公开(公告)号：CN207320126U
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201721056280.3
申请日：2017-08-22
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型公开了一种具有新型窗口层的高效三结级联砷化镓太阳电池，包括P型接触层、底电池、第一隧穿结、中电池、第二隧穿结、顶电池和窗口层。本实用新型采用具有粗化结构的ITO材料作为砷化镓太阳电池顶电池的窗口层。由于ITO的禁带宽度大于AlInP，可以降低窗口层对入射太阳光的吸收；同时对ITO材料进行粗化，可以有效提高太阳光的入射，并且由于ITO具有良好的导电性，可以去除传统的导电栅线，避免金属栅线带来的遮光问题，提高顶电池的电流密度，提高整个太阳电池的转换效率。综上，通过采用具有粗化结构的ITO材料作为砷化镓太阳电池顶电池的窗口层，可以增强太阳光的入射，减少太阳电池表面的遮挡，进而获得高效的太阳电池。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207289839U
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201721197101.8
申请日：2017-09-19
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: B24B57/02
Abstract: 本实用新型提供的一种衬底研磨工艺中研磨液喷洒装置，包括研磨液供液管、移动调节块和固定托架，研磨液供液管与移动调节块连接，移动调节块与固定托架连接。固定托架上设有导槽，移动调节块嵌入导槽中，移动调节块在导槽中沿着固定托架的长度方向往返自由移动。本实用新型公开的一种衬底研磨工艺中研磨液喷洒装置，研磨液消耗量少，方法简单、操作简便、成本低，通过自动连续地调节控制研磨液供液管的位置，极大地提高了研磨液分布的均匀性，避免了研磨过程中研磨液的堆积效应，可以有效避免晶片碎裂、划痕、暗裂等问题，提高了晶片研磨的厚度均匀性和成品率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN205790051U
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201620569290.6
申请日：2016-06-13
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L33/38
Abstract: 本实用新型公开了一种带ITO薄膜结构的LED芯片，包括GaAs衬底，在GaAs衬底的上面依次设有缓冲层、n-AIGaInP限制层、多量子阱（MQW）有源层、p-AIGaInP限制层和p-GaP窗口层，在p-GaP窗口层上设有ITO薄膜层，在GaAs衬底的下面制作背电极，其特征在于：在ITO薄膜层上设有金属电极层；金属电极层包括主电极和扩展电极，主电极连接在p-GaP窗口层上，扩展电极连接在ITO薄膜层上。本实用新型提高了整个金属电极层的附着性，确保发光器件工作电压稳定，提高产品的焊线可靠性，极大地提升了产品的质量和良率。
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公开(公告)号：CN205790045U
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201620567314.4
申请日：2016-06-13
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种ITO结构LED芯片，包括GaAs衬底，在GaAs衬底的上面依次设有外延生长缓冲层、n-AIGaInP限制层、多量子阱有源层、p-AIGaInP限制层和p-GaP窗口层，在p-GaP窗口层上设有ITO薄膜层，在ITO薄膜层上设有图形化的钻石刀片切割走道，在图形化的ITO薄膜层上设有金属电极层；在GaAs衬底的下面设有n电极层。本实用新型采用预制作的切割走道宽度大于刀片厚度4-6μm，这样避免了钻石刀片与ITO薄膜直接接触，减少对高速旋转状态的钻石切割刀片的阻力，并解决了ITO薄膜和GaP薄膜在刀片切割时直接接触容易伴随碎屑附着和产生的崩角、崩边、裂纹等问题，极大地提升了产品的外观质量、可靠性和成品良率。
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公开(公告)号：CN212011001U
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202020500387.8
申请日：2020-04-08
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/0735 , H01L31/0352 , H01L31/0304
Abstract: 本实用新型公开了一种GaSbxAs(1-x)空间电池外延片，包括Ge衬底，所述Ge衬底上依此设置有GaInP成核层、GaInAs缓冲层、GaAs隧穿结层、GaSbAs缓冲层、中电池、GaInP/AlGaAs隧穿结层、顶电池和欧姆接触层，所述GaSbAs缓冲层由五层组分递变GaSbxAs(1-x)缓冲层结构组成，本实用新型通过设置组分递变的GaSbxAs(1-x)缓冲层，新结构GaSbxAs(1-x)缓冲层层数和厚度的减少，将使得电池外延层晶格位错密度降低，提升电池晶格质量，从而减少载流子的非辐射复合，提升电池的光电转化效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN212011000U
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202020500394.8
申请日：2020-04-08
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/0725 , H01L31/0735 , H01L31/0304 , H01L31/055
Abstract: 本实用新型公开了一种提升空间太阳能电池光电转化效率的外延片，包括Ge衬底，所述Ge衬底上方依次设置有AlGaInP成核层、GaAs/GaInAs缓冲层、GaAs隧穿结层、GaInAs/AlGaInAs(DBR)反射层、中电池、GaInP/AlGaAs隧穿结层、顶电池和欧姆接触层，本实用新型通过通过在顶电池和中电池的基区和发射区中增加一层一定厚度高掺杂层结构，降低了中电池和顶电池中的PN结反向饱和电流，同时通过优化高掺杂厚度和掺杂，克服了高掺杂层对PN结耗尽层厚度和载流子迁移率的影响，增强了PN结内建电场强度，提升了电池的开路电压和短路电流，从而提升电池的整体光电转化效率。
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公开(公告)号：CN211789071U
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201921605345.4
申请日：2019-09-25
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L33/10
Abstract: 本实用新型公开了一种新型红光结构外延片，包括GaAs衬底，其中：所述GaAs衬底上依次设有缓冲层、AlGaAs/AlAs DBR反射层Ⅰ、AlGaAs/AlAs DBR反射层Ⅱ、AlGaAs/AlAs DBR反射层Ⅲ、AlGaAs/AlAs DBR反射层Ⅳ、AlGaAs/AlAs DBR反射层Ⅴ、AlGaAs/AlAs DBR反射层Ⅵ、n-AlInP限制层、n-AlGaInP波导层、MQW有源层、p-AlGaInP波导层、p-AlInP限制层和p-GaP电流扩展层。本实用新型通过设计DBR结构为多种厚度复合，增加DBR反射层的反射图谱的宽度，且由于不同DBR厚度对应不同波长的干涉相长，减少器件本身对光子的吸收，被反射的光子数更多，从而提高发光二极管的光提取效率。
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公开(公告)号：CN211455712U
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201921605356.2
申请日：2019-09-25
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种提高LED亮度的外延结构，目前决定内量子效率的主要因素是发光区的载流子数目和电子空穴对复合的几率，将电子和空穴尽可能的限制在发光层，能够提高电子空穴对复合几率，可以实现提高LED发光效率，本实用新型中在n-AlGaInP波导层和MQW有源层中插入多层限制层，通过组分的设计使限制层Ⅰ、限制层Ⅱ和限制层Ⅲ处于压应变，材料的势垒因此变高，限制电子和空穴的能力得到提高，从而提高电子与空穴对在量子阱中的复合几率，进而提高发光效率。
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公开(公告)号：CN209029400U
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201821954010.9
申请日：2018-11-26
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/0687 , H01L31/041 , H01L31/0352 , H01L31/054 , H01L21/683
Abstract: 本实用新型公开了一种具有抗辐射能力的抗辐照增强型空间电池外延片，包括衬底，所述衬底的上端安装有成核层，所述成核层的上端设置有缓冲层，所述缓冲层的上表面安装有第一隧穿结层，所述第一隧穿结层的顶部设置有反射层，所述反射层的上表面固定有中电池层。本实用新型结构科学合理，操作方便，通过设置的氧化剥离层能够实现衬底的氧化剥离，实现衬底重复利用，节省能源，降低生产成本，通过设置的阻隔层使中电池层的厚度增加，使得辐射通量更小的较高能量的质子停留在第一基区层，使得空间质子对中电池层的累积损伤更小，从而提高了电池的抗辐射能力，通过设置的聚光层能够改善电池外延片的聚光效率，提高光电转化效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207116394U
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201720983087.8
申请日：2017-08-08
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L21/673 , H01L33/00
Abstract: 本实用新型公开了一种LED用芯片花篮，包括内圈、内中圈、外中圈、外圈、长辐条和短辐条，内圈、内中圈、外中圈、外圈通过长辐条和短辐条固定在一起；内圈为中空结构；长辐条和短辐条呈均匀间隔分布。本实用新型可以有效地解决芯片的蚀刻化学处理关键工艺过程，使得清洗化学溶液和晶片表面充分接触反应，并能及时带走、减少溶液残留，避免了晶片在清洗的过程中晶片的正面贴在内圈的卡槽内、造成化学溶液无法和晶片表面充分接触和反应、从而造成晶片在清洗和蚀刻后出现清洗和不干净、溶液残留等各种芯片产品异常的问题，提升了产品品质，降低了生产异常成本，提高了经济效益。
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