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公开(公告)号：CN108198919B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201711430361.X
申请日：2017-12-26
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
Inventor： 宁如光
Abstract: 本发明提供的一种复合量子阱外延片，包括GaAs衬底，在GaAs衬底上依次外延生长缓冲层、AlGaAs/AlAs(DBR)反射层、n‑AlInP限制层、n‑AlGaInP波导层、突变MQW有源层、渐变MQW有源层、p‑AlGaInP波导层、p‑AlInP限制层和p‑GaP电流扩展层；突变MQW有源层和渐变MQW有源层材料为AlGaInP。本发明公开的一种复合量子阱外延片，通过对突变量子阱和渐变量子阱的组合设计，限制电子在量子阱结构中的快速移动，增强空穴载流子的移动能力，从而提高电子与空穴载流子的复合几率，能提高LED芯片的内量子发光效率。
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公开(公告)号：CN112864282B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110438714.0
申请日：2021-04-23
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/054 , H01L31/0304 , H01L31/041 , H01L31/078
Abstract: 本发明涉及一种抗辐照高效砷化镓太阳电池的制备方法，属于太阳能电池技术领域。一种抗辐照高效砷化镓太阳电池的制备方法，该太阳电池自下向上依次为Ge衬底、底电池、缓冲层、中底隧穿结、多反射中心布拉格反射镜、中电池、中顶隧穿结、顶电池和盖帽层，其中，多反射中心布拉格反射镜，反射镜由n组交替生长的AlGaInP层和GaInP层组成，通过设计一种新型光谱反射结构，在保证电池结构对入射光足够吸收的情况下，减薄电池区厚度，降低载流子复合几率，提高太阳电池的开路电压及抗辐照性能。
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公开(公告)号：CN113594285A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202111155240.5
申请日：2021-09-30
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种正向四结砷化镓太阳电池及其制作方法，该太阳电池自下向上依次为Ge衬底、Ge底电池、GaAs缓冲层、第一隧穿结、InyAlGaAs缓冲层、第一组DBR、第一子电池、第二隧穿结、第二组DBR、第二子电池、第三隧穿结、AlGaInP顶电池；所述第一子电池由InxAlGaAs背电场，InxGaAs基区，分段式量子点InxGaAs发射区及第一AlInP或GaInP窗口层组成；所述第二子电池由InxAlGaAs背电场，InxAlGaAs基区，分段式量子点InxAlGaAs发射区及第二AlInP或GaInP窗口层组成；所述AlGaInP顶电池由AlGaInP背电场、GaInP基区、GaInP发射区及IZO窗口层组成。本发明制作的正向四结砷化镓太阳电池，电流密度得到大幅提升，光电转换率高、稳定性好。
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公开(公告)号：CN113066913A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110616418.5
申请日：2021-06-03
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
Abstract: 本发明公开了N面出光AlGaInPLED薄膜芯片,所述芯片自下而上依次包括：基板、键合金属层、金属反射电极、介质层、P型欧姆接触层、发光层、N型电流扩展层、N型粗化层、N电极，所述N电极与N型粗化层直接形成欧姆接触。本发明还公开了LED薄膜芯片的制备方法。本发明直接在N型粗化层上制备欧姆接触，有效简化了N面出光AlGaInPLED薄膜芯片制备工艺，降低生产成本的同时解决了业界普遍采用n+‑GaAs作为欧姆接触层产生的吸光问题。
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公开(公告)号：CN112736157A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110358726.2
申请日：2021-04-02
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种三结砷化镓太阳电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明提供的一种三结砷化镓太阳电池，包括：Ge衬底；于所述Ge衬底上由下至上依次外延生长的底电池、GaAs缓冲层、中底隧穿结、AlInP缓冲层、InAlGaAs缓冲层、DBR、中电池、中顶隧穿结、顶电池以及盖帽层；其中，所述AlInP缓冲层具有一粗糙面，所述粗糙面设置于靠近所述InAlGaAs缓冲层的一侧，所述粗糙面由若干个金字塔形凸起均匀分布形成。本发明设计可以直接将材料的晶格常数过渡到目标值，降低生长时间，消除应力，获得高质量、平整的外延片。适合用于禁带匹配，晶格失配的三结砷化镓太阳电池。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113690335A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202111243885.4
申请日：2021-10-26
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/078 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及砷化镓太阳电池结构技术领域，具体是涉及一种改善型三结砷化镓太阳电池及其制作方法，该太阳电池自下向上依次为Ge衬底、Ge底电池、GaAs缓冲层、第一隧穿结、DBR、InGaAs中电池、第二隧穿结、GaInP顶电池；其中，所述第一隧穿结和所述第二隧穿结结构相同，为AlGaInP/InP/AlGaAsP/AlGaInP多异质结结构。本发明制作的太阳电池，其隧穿结采用多异质结隧穿结，可明显提高隧穿电流，降低隧穿结处的压降，同时增强隧穿结的辐照性能，改善产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN112736157B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110358726.2
申请日：2021-04-02
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种三结砷化镓太阳电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明提供的一种三结砷化镓太阳电池，包括：Ge衬底；于所述Ge衬底上由下至上依次外延生长的底电池、GaAs缓冲层、中底隧穿结、AlInP缓冲层、InAlGaAs缓冲层、DBR、中电池、中顶隧穿结、顶电池以及盖帽层；其中，所述AlInP缓冲层具有一粗糙面，所述粗糙面设置于靠近所述InAlGaAs缓冲层的一侧，所述粗糙面由若干个金字塔形凸起均匀分布形成。本发明设计可以直接将材料的晶格常数过渡到目标值，降低生长时间，消除应力，获得高质量、平整的外延片。适合用于禁带匹配，晶格失配的三结砷化镓太阳电池。
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公开(公告)号：CN112103356B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011235406.X
申请日：2020-11-09
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0725 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种高效三结砷化镓太阳电池及制作方法，太阳电池自下向上依次为Ge衬底、底电池、缓冲层、中底隧穿结、第一组DBR，中电池、中顶隧穿结、顶电池和盖帽层；其中，中电池由第二组DBR，In0.01GaAs基区，GaInP发射区和AlInP窗口层组成。通过双层DBR的引入，可大幅降低中电池基区的厚度，提高产品的辐照性能，同时，由于厚度的降低，可降低载流子迁移过程的复合几率，提高开路电压和短路电流密度。
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公开(公告)号：CN109148634A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810965173.5
申请日：2018-08-23
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/0725 , H01L31/0735 , H01L31/054 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0735 , H01L31/054 , H01L31/0725 , H01L31/1844
Abstract: 本发明涉及一种倒置三结砷化镓太阳电池。包括在砷化镓衬底上依次生长的(Al)GaInP顶电池，GaAs中电池，InGaAs底电池，各个子电池之间通过隧穿结连接。本发明中，中电池与底电池之间，以及底电池之后各生长一组分布式布拉格反射器(DBR)，通过DBR过滤位错，释放应力以及提高抗辐照性能。通过渐变缓冲层或者阶变缓冲层，将外延材料的晶格常数调至目标值，然后采用第一组DBR，过滤缓冲层中产生的位错，有效释放因晶格失配产生的应力，提高底电池的晶体质量；同时改善外延生长的厚度及掺杂的均匀性，提高太阳电池外延片的成品率及性能。
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公开(公告)号：CN113594285B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111155240.5
申请日：2021-09-30
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种正向四结砷化镓太阳电池及其制作方法，该太阳电池自下向上依次为Ge衬底、Ge底电池、GaAs缓冲层、第一隧穿结、InyAlGaAs缓冲层、第一组DBR、第一子电池、第二隧穿结、第二组DBR、第二子电池、第三隧穿结、AlGaInP顶电池；所述第一子电池由InxAlGaAs背电场，InxGaAs基区，分段式量子点InxGaAs发射区及第一AlInP或GaInP窗口层组成；所述第二子电池由InxAlGaAs背电场，InxAlGaAs基区，分段式量子点InxAlGaAs发射区及第二AlInP或GaInP窗口层组成；所述AlGaInP顶电池由AlGaInP背电场、GaInP基区、GaInP发射区及IZO窗口层组成。本发明制作的正向四结砷化镓太阳电池，电流密度得到大幅提升，光电转换率高、稳定性好。
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