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公开(公告)号：CN112736157B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110358726.2
申请日：2021-04-02
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种三结砷化镓太阳电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明提供的一种三结砷化镓太阳电池，包括：Ge衬底；于所述Ge衬底上由下至上依次外延生长的底电池、GaAs缓冲层、中底隧穿结、AlInP缓冲层、InAlGaAs缓冲层、DBR、中电池、中顶隧穿结、顶电池以及盖帽层；其中，所述AlInP缓冲层具有一粗糙面，所述粗糙面设置于靠近所述InAlGaAs缓冲层的一侧，所述粗糙面由若干个金字塔形凸起均匀分布形成。本发明设计可以直接将材料的晶格常数过渡到目标值，降低生长时间，消除应力，获得高质量、平整的外延片。适合用于禁带匹配，晶格失配的三结砷化镓太阳电池。
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公开(公告)号：CN112234124A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011187705.0
申请日：2020-10-30
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L21/033
Abstract: 本发明公开了一种改善LED芯片多金异常的方法，该方法包括：使用负性光刻胶均匀的覆盖在晶片表面，利用暗场掩膜板进行曝光，显影后将发光区的金属蚀刻干净，去除光刻胶后即可得到电极完整、发光区洁净的芯片。本发明可以从根本上消除LED芯片多金异常的出现，提高芯片的良率和生产效率。
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公开(公告)号：CN112864261B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110438705.1
申请日：2021-04-23
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/0392 , H01L31/055 , H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种柔性砷化镓太阳能电池及其制备方法，属于砷化镓太阳能电池技术领域。本发明提供的柔性砷化镓太阳能电池中，包括柔性衬底、接触层、底电池、中电池、顶电池、减反膜；其中，柔性衬底是通过将表面改性后的上转换材料与聚酰亚胺预聚物混合共同固化所得。本发明通过对上转换材料进行表面改性，使上转换材料颗粒表面带有氨基，使得上转换材料可以稳定均匀的分散在聚酰亚胺预聚物内而不发生团聚现象；在柔性砷化镓太阳能电池内引入上转换材料，有效扩宽了太阳能电池的吸收谱域，提高了砷化镓太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN112864282A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110438714.0
申请日：2021-04-23
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/054 , H01L31/0304 , H01L31/041 , H01L31/078
Abstract: 本发明涉及一种抗辐照高效砷化镓太阳电池的制备方法，属于太阳能电池技术领域。一种抗辐照高效砷化镓太阳电池的制备方法，该太阳电池自下向上依次为Ge衬底、底电池、缓冲层、中底隧穿结、多反射中心布拉格反射镜、中电池、中顶隧穿结、顶电池和盖帽层，其中，多反射中心布拉格反射镜，反射镜由n组交替生长的AlGaInP层和GaInP层组成，通过设计一种新型光谱反射结构，在保证电池结构对入射光足够吸收的情况下，减薄电池区厚度，降低载流子复合几率，提高太阳电池的开路电压及抗辐照性能。
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公开(公告)号：CN112713205A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202110329845.5
申请日：2021-03-29
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/041 , H01L31/0296 , H01L31/032
Abstract: 本发明涉及一种高抗辐照三结砷化镓太阳电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明提供的一种高抗辐照三结砷化镓太阳电池，该太阳电池包括由下至上依次设置Ge衬底、外延层、射线吸收层和减反膜层；其中，所述射线吸收层由CdSe/ZnS组成，CdSe/ZnS采用的粒径为5‑15nm。该层在紫外区有强吸收现象，可以吸收高能的导电粒子，从而可以有效的减少宇宙空间射线对太阳电池的损伤，增强太阳电池的抗辐照能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112864282B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110438714.0
申请日：2021-04-23
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/054 , H01L31/0304 , H01L31/041 , H01L31/078
Abstract: 本发明涉及一种抗辐照高效砷化镓太阳电池的制备方法，属于太阳能电池技术领域。一种抗辐照高效砷化镓太阳电池的制备方法，该太阳电池自下向上依次为Ge衬底、底电池、缓冲层、中底隧穿结、多反射中心布拉格反射镜、中电池、中顶隧穿结、顶电池和盖帽层，其中，多反射中心布拉格反射镜，反射镜由n组交替生长的AlGaInP层和GaInP层组成，通过设计一种新型光谱反射结构，在保证电池结构对入射光足够吸收的情况下，减薄电池区厚度，降低载流子复合几率，提高太阳电池的开路电压及抗辐照性能。
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公开(公告)号：CN112864261A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110438705.1
申请日：2021-04-23
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/0392 , H01L31/055 , H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种柔性砷化镓太阳能电池及其制备方法，属于砷化镓太阳能电池技术领域。本发明提供的柔性砷化镓太阳能电池中，包括柔性衬底、接触层、底电池、中电池、顶电池、减反膜；其中，柔性衬底是通过将表面改性后的上转换材料与聚酰亚胺预聚物混合共同固化所得。本发明通过对上转换材料进行表面改性，使上转换材料颗粒表面带有氨基，使得上转换材料可以稳定均匀的分散在聚酰亚胺预聚物内而不发生团聚现象；在柔性砷化镓太阳能电池内引入上转换材料，有效扩宽了太阳能电池的吸收谱域，提高了砷化镓太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN111863650A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010674058.X
申请日：2020-07-14
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 本发明公开了一种改善LED芯片外观的测试方法，该方法通过在电极透明导电膜上设置一个与4寸晶片形状大小一致的凸槽，将待测试的4寸晶片放置在测试机金属盘上，所述测试机金属盘上均匀分布着抽气孔，再将电极透明导电膜上的凸槽对应重叠覆盖在待测试的4寸晶片上，测试机上的抽气系统通过抽气孔抽气，使得晶片与电极透明导电膜紧密结合，测试完成后关掉测试机的抽气系统，即可轻易将电极透明导电膜移除，避免了撕去导电膜时造成晶片的破裂以及在晶片表面留下脏污；测试过程中，测试探针没有直接与P电极接触，极大的改善了芯片的外观。
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公开(公告)号：CN112687752B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110269888.9
申请日：2021-03-12
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0304 , H01L31/06 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种砷化镓太阳电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明提供的砷化镓太阳电池中，从该电池的背光面到受光面依次包括下电极、衬底层、砷化镓外延层、上电极和减反膜；其中，所述减反膜为双层结构，包括以TiO2@AZO为原料制成的内减反层和SiO2为原料制成的外减反层，所述内减反层紧邻所述上电极栅线设置，所述外减反层远离所述上电极栅线设置；所述TiO2@AZO为采用TiO2为内芯，AZO为外壳的核壳结构。该电池通过采用TiO2@AZO为原料通过真空蒸镀的方式沉积到上电极栅线表面或外延层表面制成内减反层，提高了上电极的导电效果和太阳光的透过率。
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公开(公告)号：CN112736157A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110358726.2
申请日：2021-04-02
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种三结砷化镓太阳电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明提供的一种三结砷化镓太阳电池，包括：Ge衬底；于所述Ge衬底上由下至上依次外延生长的底电池、GaAs缓冲层、中底隧穿结、AlInP缓冲层、InAlGaAs缓冲层、DBR、中电池、中顶隧穿结、顶电池以及盖帽层；其中，所述AlInP缓冲层具有一粗糙面，所述粗糙面设置于靠近所述InAlGaAs缓冲层的一侧，所述粗糙面由若干个金字塔形凸起均匀分布形成。本发明设计可以直接将材料的晶格常数过渡到目标值，降低生长时间，消除应力，获得高质量、平整的外延片。适合用于禁带匹配，晶格失配的三结砷化镓太阳电池。
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