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公开(公告)号:CN102826647B
公开(公告)日:2014-03-12
申请号:CN201210289935.7
申请日:2012-08-15
Applicant: 哈尔滨工业大学宜兴环保研究院
CPC classification number: Y02W10/15
Abstract: 一种以菌丝球为载体的好氧反硝化反应器,涉及水处理技术领域,包括封闭式反应器,反应器底部置有曝气头,进水管、出水管分别设置在反应器的上下侧面,反应器内置有生物质载体,所述的生物质载体为菌丝球,菌丝球上挂膜有好氧反硝化菌,本反应器可使硝化细菌与好氧反硝化细菌在全周期好氧的条件下,同时良好的生长繁殖,达到稳定的同步硝化反硝化效果,利用菌丝球为载体,可以解决好氧反硝化菌在系统内竞争力弱,难以形成优势菌群致使其大量流失,造成整个系统稳定运行周期短的问题,对整个反应器系统的长期稳定运行起到关键性作用。
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公开(公告)号:CN102962466A
公开(公告)日:2013-03-13
申请号:CN201210499205.X
申请日:2012-11-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用激光制备纳米金属颗粒的方法,它涉及制备纳米金属颗粒的方法,本发明要解决现有制备纳米金属颗粒的方法中存在超细粉体污染、颗粒尺寸不易控制和纳米粒子重新团聚的问题。本发明中一种利用激光制备纳米金属颗粒的方法按以下步骤进行:一、采用溅射、蒸镀或化学气相沉积方法在透明基板表面制备一层金属薄膜;二、将附着金属薄膜的透明基板放置于惰性气体舱中,并充入惰性气体;三、启动激光器发出激光束透过惰性气体舱的上表面和透明基板照射到金属薄膜表面上进行扫描;四、金属薄膜受热蒸发变成气态纳米金属颗粒遇惰性液体后凝固成为固态纳米金属颗粒,完成制备过程。本发明可应用于纳米材料工程领域。
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公开(公告)号:CN102672296A
公开(公告)日:2012-09-19
申请号:CN201210181935.5
申请日:2012-06-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K1/06 , B23K1/20 , H01L21/60 , H01L21/607
CPC classification number: H01L24/81 , H01L2224/16145 , H01L2924/01322 , H01L2924/00
Abstract: 一种多层堆叠芯片低温超声键合形成单金属间化合物焊点的方法,属于电子制造技术领域,涉及一种多层堆叠芯片的低温键合方法。为了实现叠层封装中堆叠芯片的低温高可靠互连,本发明所述方法为打孔→填充导电金属及焊盘平整化→制备钎料层→夹持对中→超声键合→成品,其中超声键合具体步骤如下:精密对准和对中后,采用超声焊接机进行超声键合。本发明适用于叠层封装中芯片厚度100μm以下的2~5层硅通孔芯片的低温键合,互连焊点厚度小于10μm。本发明采用超声键合方法,键合温度50~200℃,有效降低温度对芯片的影响;可以快速实现叠层芯片间单金属间化合物连接,提高封装可靠性。
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公开(公告)号:CN102515763A
公开(公告)日:2012-06-27
申请号:CN201110355061.6
申请日:2011-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/468 , C04B35/47 , C04B35/472 , C04B35/26 , C04B35/624
Abstract: 一种钙钛矿结构陶瓷溶胶的制备方法,它涉及陶瓷溶胶制备方法。本发明要解决现有的方法所配制的溶胶稳定性不好、成膜性差的问题。本发明钙钛矿结构陶瓷溶胶制备的过程为:一、水解过程:将原料试剂加入到由去离子水、冰乙酸与乙二醇甲醚所形成的混合溶剂中,室温下搅拌直至其充分溶解;二、脱水过程:在剧烈搅拌的条件下,将脱水剂乙酸酐滴加至上述溶液中,再加入聚乙烯醇或聚乙二醇400的稳定剂,室温下持续搅拌一段时间;三、聚合过程:将配制完成的溶液在室温下静置后,得到稳定的溶胶。本发明所配制溶胶稳定期长、成膜性好,其制备工艺简单、成本低,易于产业化。本发明的制备方法应用于钙钛矿结构陶瓷溶胶制备领域。
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公开(公告)号:CN101304064A
公开(公告)日:2008-11-12
申请号:CN200810064911.5
申请日:2008-07-11
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 华之光电子(深圳)有限公司
Abstract: 一种采用激光在热沉背部加热的LED芯片与热沉键合方法,本发明涉及一种LED芯片与热沉键合的方法。它解决了激光束直接照射到钎料层上,钎料在短时间内急剧升温而产生的氧化甚至气化,以及不能保证LED芯片与热沉可靠键合的问题。具体步骤为:首先分别在LED芯片的背面及热沉的焊盘上镀金Au;然后在所述镀金Au焊盘上镀或印刷上钎料层;将LED芯片贴装在镀金Au焊盘的钎料层上;用激光束对准热沉上的LED芯片位置背面加热,直到钎料熔化为止。本发明的优点在于激光束对芯片位置背面的热沉进行加热,避免了钎料的氧化和气化;多个芯片可预先贴放在待键合位置,然后进行键合。本发明可应用于LED芯片封装领域。
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公开(公告)号:CN101036946A
公开(公告)日:2007-09-19
申请号:CN200710072186.1
申请日:2007-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 微小钎料合金焊球的制作装置及方法,它涉及一种电子封装工业用合金焊球的制作装置及方法,为了解决现有焊球制作装置设备庞大、结构复杂、制作成本高以及现有焊球制作工艺的工序繁杂、效率低、制作出的焊球精度低的问题。本发明装置的气体供给装置的气体输出端分别连接压力控制器的输入端和气体保护装置的顶端,升降工作平台设置在气体保护装置下部并可以上下移动,冷却凝固装置安装在气体保护装置内的升降工作平台上;本发明的方法由固态的钎料加入到液滴生成器;气体保护装置内充满氩气或者氮气;钎料熔化;熔滴分散;焊球成型;收集、清洗、干燥、包装步骤完成。本发明的装置具有结构简单、成本低的优点,本发明的方法具有工艺灵活性好的特点。
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公开(公告)号:CN1328774C
公开(公告)日:2007-07-25
申请号:CN200510009616.6
申请日:2005-01-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/78 , H01L2924/00014 , H01L2924/01007 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2224/48 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种集成电路芯片面阵列封装方法所使用锡球的制造设备。双电热丝熔切法锡球制备机由送丝机(1)、剪丝机构(2)、相同的两个电热丝(11)、罩体(7)、平台(4)和油盒(12)组成,送丝机(1)、剪丝机构(2)、电热丝(11)、平台(4)和油盒(12)都封闭在罩体(7)内,送丝机(1)设置在罩体(7)内的上部,剪丝机构(2)设置在送丝机(1)的下方,送丝机(1)的出丝通道(1-1)向正下方的投影位于水平方向平行设置的两个电热丝(11)的中间,两个电热丝(11)分别固定在剪丝机构(2)的能够水平方向合拢和分开的左平动板(2-1)和右平动板(2-2)上,剪丝机构(2)连接在平台(4)上,油盒(12)设置在电热丝(11)的下方。
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公开(公告)号:CN1645585A
公开(公告)日:2005-07-27
申请号:CN200510009617.0
申请日:2005-01-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开集成电路芯片面阵列封装的凸点制作方法。双电热丝熔切直接钎料凸点制作方法通过下述步骤实现:一、通过载物台在水平面上的位置调整,使固定在载物台上的基板焊盘移动到所需要制作凸点的位置对准设置在基板焊盘上方的钎料丝及导向定位漏斗;二、钎料丝垂直向下进给使钎料丝的下端部穿过水平方向平行设置的两条电热丝之间;三、两条电热丝并拢后再分开,钎料丝的下端部熔化为熔滴后经导向定位漏斗的导向滴落在基板焊盘上,形成凸点连接;重复以上步骤完成整个基板焊盘上的凸点制作,以上步骤都是在惰性气体或氮气保护的环境下进行的。由于本方法的步骤很少,改变了原来繁多的凸点制作工艺方法,减少了原来生产环节所带来的诸多不良因素。
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公开(公告)号:CN1645584A
公开(公告)日:2005-07-27
申请号:CN200510009616.6
申请日:2005-01-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/78 , H01L2924/00014 , H01L2924/01007 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2224/48 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种集成电路芯片面阵列封装方法所使用锡球的制造设备。双电热丝熔切法锡球制备机由送丝机1、剪丝机构2、相同的两个电热丝11、罩体7、平台4和油盒12组成,1、2、11、4和12都封闭在7内,1设置在7内的上部,2设置在1的下方,1的出丝通道1-1向正下方的投影位于水平方向平行设置的两个11的中间,两个11分别固定在2的能够水平方向合拢和分开的左平动板2-1和右平动板2-2上,2连接在4上,12设置在11的下方。由于本发明的设备把钎料丝的剪切和熔化成球简单地通过电热丝的开合运动来实现,设备的结构简单,价格便宜,操作简单,大多数军工企业、中小企业和科研部门的实验室都能购置和拥有。
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公开(公告)号:CN1603426A
公开(公告)日:2005-04-06
申请号:CN200410044044.0
申请日:2004-11-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 激光处理提高硼酸铝晶须/铝复合材料表面耐磨耐蚀方法,它涉及的是金属材料表面处理领域。它的步骤是:a.对工件表面进行预磨处理,粗糙度为0.01μm~10μm;b.用激光对工件表面进行辐照,其保护气体为Ar或N2,激光的参数是:输出功率为300W~1900W、脉冲宽度为0.1ms~5ms、扫描速率为1mm/s~100mm/s、激光处理区域的搭接宽度为25%~75%、脉冲频率为10Hz~20Hz。本发明能在硼酸铝晶须/铝复合材料表面形成抗腐蚀性、耐磨性的表层,此表层与基体结合强度高,不脱落,工艺简单快速。
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