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1.

发明授权
电路基板及电子装置有权

公开(公告)号：CN107004643B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201580067691.X

申请日：2015-12-14

申请人： 京瓷株式会社

发明人： 郡山慎一 , 小川成敏 , 小长井雅史 , 落合建壮 , 新纳范高

IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/13 , H01L23/373 , H05K1/02

CPC分类号： H01L23/3735 , H01L21/4857 , H01L23/12 , H01L23/13 , H01L23/15 , H01L23/373 , H01L23/3736 , H01L33/641 , H01L51/529 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2924/0002 , H05K1/02 , H01L2924/00014

摘要： 电路基板(1)具有：绝缘基板(2)、被接合到绝缘基板(2)的一个主面的金属电路板(3)、被接合到绝缘基板(2)的与一个主面相反侧的主面的金属制的散热板(4)，散热板(4)的厚度为金属电路板(3)的厚度的3.75倍以上，散热板(4)所含有的金属粒子的粒径小于金属电路板(3)所含有的金属粒子的粒径，距绝缘基板(2)的相反侧的主面的距离越大则变得越小。

2.

发明授权
各向异性导电膜及连接结构体有权

公开(公告)号：CN106797082B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201580055635.4

申请日：2015-10-28

申请人： 迪睿合株式会社

发明人： 塚尾怜司

IPC分类号： H01R11/01 , H01B5/16

CPC分类号： H01L24/32 , C08K3/08 , C08K9/02 , C08K2201/001 , C09J7/10 , C09J9/02 , C09J2201/602 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , H01B1/22 , H01L24/13 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/13644 , H01L2224/27001 , H01L2224/27003 , H01L2224/2711 , H01L2224/27462 , H01L2224/27464 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29357 , H01L2224/29364 , H01L2224/2939 , H01L2224/294 , H01L2224/29444 , H01L2224/29455 , H01L2224/29499 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/83101 , H01L2224/83851 , H01L2224/83862 , H01L2224/83874 , H01L2924/14 , H01R4/04 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665

摘要： 本发明提供一种各向异性导电膜，即使连接微间距的连接端子的情况下，也能够抑制短路的发生，并且使导电粒子被各连接端子充分捕捉，提高导通可靠性。该各向异性导电膜具有导电粒子(2)排列成一列的导电粒子单元(3)、或导电粒子(2)排列成一列的导电粒子单元(3)和单独的导电粒子(2a)在绝缘粘接剂层(4)中被配置成格子状的结构。选自相邻的导电粒子单元(3)和单独的导电粒子(2a)中的导电粒子彼此的最接近距离(La)为导电粒子(2，2a)的粒径的0.5倍以上。

3.

发明授权
用于低温加压烧结的方法和装置有权

公开(公告)号：CN106796898B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201580053121.5

申请日：2015-09-21

申请人： 丹佛斯硅动力有限责任公司

发明人： 罗纳德·艾西尔 , 霍尔格·乌尔里奇

IPC分类号： H01L21/60 , H05K3/32

CPC分类号： H01L24/83 , B22F3/14 , B22F2301/10 , B22F2301/255 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L2224/29139 , H01L2224/29294 , H01L2224/29295 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/32225 , H01L2224/75101 , H01L2224/75102 , H01L2224/7511 , H01L2224/7525 , H01L2224/75315 , H01L2224/755 , H01L2224/83048 , H01L2224/83075 , H01L2224/83095 , H01L2224/83101 , H01L2224/83201 , H01L2224/83204 , H01L2224/8384 , H01L2224/83911 , H01L2224/83948 , H05K3/32 , H05K2203/0278 , H05K2203/1131 , H05K2203/1157 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012

摘要： 用于通过低温加压烧结生产电子组件的方法，该方法包括以下步骤：将电子部件安排在具有导体轨道的电路载体上，通过低温加压烧结将该电子部件连接到该电路载体上的接合材料而将该电子部件连接到该电路载体上，其特征在于，为了避免该电子部件或该导体轨道的氧化，该低温加压烧结在具有0.005％至0.3％的相对氧含量的低氧气氛中进行。

4.

发明授权
功率模块的制造方法有权

公开(公告)号：CN107039388B

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201710229276.0

申请日：2014-12-02

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 池田直辉 , 小田寿志 , 长谷川真纪 , 川藤寿

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01L25/50 , H01L21/4825 , H01L21/4842 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L23/4334 , H01L23/49503 , H01L23/49513 , H01L23/4952 , H01L23/49531 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

摘要： 本发明的目的在于提供一种能够实现功率模块的小型化的技术。该功率模块具有：1个控制IC(4)和多个RC‑IGBT(Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor)(21)。控制IC(4)具有高耐压IC(High‑Voltage Integrated Circuit)的功能和低耐压IC(Low‑Voltage Integrated Circuit)的功能。多个RC‑IGBT(21)配置在控制IC(4)的四个方向中的三个方向，仅经由导线(22)与控制IC(4)连接。

5.

发明授权
封装上封装构件有权

公开(公告)号：CN106653703B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201610101407.2

申请日：2016-02-25

申请人： 美光科技公司

发明人： 施信益

IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/538

CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了一种封装上封装构件，包含一底部芯片封装，包含一中介层，具有第一侧及第二侧；至少一芯片，设在中介层第一侧上一芯片设置区域内；多数个导孔器件，设在中介层第一侧上一周边区域内，其中各所述导孔器件包含一基材部及一连接部，且所述连接部连接所述基材部；一模塑料，设在所述第一侧上，所述模塑料包围所述芯片及所述导孔器件；以及多数个焊锡凸块，设在所述第二侧上。一顶部芯片封装，设在所述底部芯片封装上且通过所述多数个导孔器件与所述底部芯片封装电连接。

6.

发明授权
半导体器件及其制造方法有权

公开(公告)号：CN106471612B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201580033449.0

申请日：2015-06-05

申请人： 索尼公司

发明人： 村井诚 , 高冈裕二 , 山田宏行 , 佐藤和树 , 今井诚

IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/12

CPC分类号： H01L23/49838 , H01L21/4853 , H01L21/563 , H01L23/3185 , H01L23/49816 , H01L23/49866 , H01L23/49894 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/11 , H01L2224/13082 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13564 , H01L2224/13609 , H01L2224/13611 , H01L2224/13639 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/8112 , H01L2224/81815 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

摘要： 一种半导体器件，包括以下：半导体芯片和封装基板，在封装基板上设置有所述半导体芯片。半导体芯片包括芯片主体以及设置在所述芯片主体的元件形成表面上的多个包含焊料的电极。封装基板包括以下：基板主体；以及设置在所述基板主体的表面上的多个配线和阻焊层。阻焊层作为连续层设置在基板主体的表面之上和配线上，并且阻焊层在所述配线中的每一个之上具有缺口。所述缺口中的每一个具有在该缺口内的配线的长度方向上伸长的平面形状，并且缺口的长度根据封装基板的热膨胀系数调节。

7.

发明授权
多元件封装体及其制备方法有权转让

公开(公告)号：CN106409813B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201510611270.0

申请日：2015-09-23

申请人： 美光科技公司

发明人： 管式凡 , 罗翊仁

IPC分类号： H01L23/535 , H01L21/768 , H01L21/60 , H01L21/78

CPC分类号： H01L23/5386 , H01L21/52 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/823475 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/522 , H01L23/525 , H01L23/562 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/0401 , H01L2224/11849 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/17181 , H01L2224/81815 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2924/1434 , H01L2924/3511 , H01L2224/81 , H01L2224/11 , H01L2924/014 , H01L2924/00014

摘要： 本发明公开了一种多元件封装体及其制造方法，该多元件封装体包含基板、至少两个元件区域、第一重布局层、外部晶片、多个第一连接件与导电接触。此两个元件区域是自基板形成，且基板具有相对的第一表面与第二表面。第一重布局层设置于第一表面上并电性连接至此两个元件区域，而外部晶片设置于第一重布局层上。此些第一连接件设置于第一重布局层与外部晶片之间，以连接第一重布局层与外部晶片。导电接触则自基板的第二表面朝第一表面延伸以电性连接元件区域。借此，本发明的多元件封装体及其制造方法，多元件封装体中的基板与元件区域之间不具有任何界面使元件区域能直接集成，降低元件区域断线或损坏的风险。

8.

发明授权
用于生产具有防潮电绝缘盖的开关器件的方法以及用于生产具有该开关器件的装置的方法有权

公开(公告)号：CN105551977B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201510702838.X

申请日：2015-10-26

申请人： 赛米控电子股份有限公司

发明人： C·格布尔 , H·海尔布龙纳

IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/31

CPC分类号： H05K3/32 , H01L23/3121 , H01L23/367 , H01L23/49811 , H01L23/49833 , H01L23/4985 , H01L24/50 , H01L24/86 , H01L25/07 , H01L25/072 , H01L2224/32225 , H01L2224/73269 , H01L2224/8384 , H05K3/10 , H01L2924/00014

摘要： 本发明提供生产电力电子开关器件的方法，该器件包括基板、布置于基板上的功率半导体组件、连接装置及端子装置，该方法包括以下步骤：A)提供基板，其包括绝缘片层及彼此电绝缘的导体轨道，功率半导体组件布置于导体轨道上并粘合地连接至导体轨道；B)布置实施为膜层叠体的连接装置；C)布置薄的耐压耐温防潮绝缘层，其遵循连接装置的表面轮廓，并包括位于连接装置上的覆盖部段且包括重叠部段，重叠部段沿周向在所有侧与连接装置重叠并在周向接触区域中覆盖基板；D)将连接装置粘合地连接至基板，由此开关器件在内部通过连接装置以遵循电路的方式连接；E)将绝缘层的覆盖部段连接至连接装置；F)将绝缘层的重叠部段连接至基板的接触区域。