公开(公告)号：CN102263139A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110136633.1

申请日：2011-05-24

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  李婷 ,  曹菲 ,  刘云涛 ,  邵雷

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/872

Abstract: 本发明提供的是一种改进的混合整流二极管结构，包括N+衬底区(100)、N型漂移区(101)、有源区结P+部分(102)、第一部分阳极电极(104)、阴极电极(105)、二氧化硅层(106)、第二部分阳极电极(107)；还包括有源区结P部分(103)，所述有源区结P部分(103)包围有源区结P+部分区域(102)。本发明将结终端保护环与二极管有源区同时形成，并且所有区域102都在区域103中形成，在不牺牲器件正向特性，输出电容的前提下，提高了结势垒肖特基二极管器件的耐压。本发明与普通MPS、JBS工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。

公开(公告)号：CN101533854B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200910071882.X

申请日：2009-04-23

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  曹菲 ,  赵旦峰 ,  葛梅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供的是一种具有渐变体连接的SOI LDMOS晶体管.包括源区(40)、体区(30)、漂移区(20)、漏区(50)、源电极(400)、漏电极(500)、栅电极(60)，埋置介质层(70)具有使SOI层与衬底半导体10相连接的渐变宽度的窗口(800、810和820)。本发明所述的具有渐变体连接的SOI LDMOS晶体管，可通过优化设计埋置介质层渐变宽度的窗口宽度，使得SOI层(有源区)与衬底半导体相连接，碰撞电离产生的空穴可由衬底流出。同时，可使器件区产生的焦耳热有效地流向衬底的热沉。不仅能减小自加热效应，还可抑制浮体效应。

公开(公告)号：CN101697356B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200910073105.9

申请日：2009-10-29

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  胡海帆 ,  曹菲

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种调制导通电阻UMOS晶体管。包括漏区(201)、漂移区(202)、场氧化层(203)、多晶硅极板(204)、沟道区(205)、源电极(206)、栅氧化层(207)、栅电极(208)，多晶硅极板(204)与栅电极(208)连接。可以根据器件具体导通特性、击穿特性的要求来具体设定器件各区域尺寸。这种结构可在不牺牲器件耐压的前提下，同时兼顾降低漏-源导通电阻的要求。本发明与常规UMOS晶体管工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。

公开(公告)号：CN101819998A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN201010159170.6

申请日：2010-04-29

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  胡海帆 ,  曹菲

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供的是一种具有应变硅结构的高压低功耗SOI LDMOS晶体管。包括源区(9)、体区(8)、漏区(5)、超结结构中n柱(3)、超结结构中p柱(4)、源电极(10)、漏电极(12)、栅电极(11)、埋置介质层(6)，所述超结结构中p柱(4)为与硅材料晶格不匹配的单晶材料，所述单晶材料是如Ge或SiGe使硅能够生成应变的材料，所述超结结构中n柱(3)为在超结结构中p柱(4)基础上生成的n型平行于源漏电极的横向张应变硅。本发明在不牺牲器件耐压的前提下，同时兼顾降低漏-源导通电阻的要求。本发明与常规SOI LDMOS晶体管工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。

公开(公告)号：CN101005059A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200710071667.0

申请日：2007-01-19

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  赵春晖 ,  曹菲

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种无需特殊工艺和特殊设备、生产效率高，易于推广使用的集成电路或半导体器件铜金属化阻挡层结构及其制备方法。它包括基片和在基片上设置的Zr粘附层、阻挡层、Zr缓冲层，阻挡层设置在Zr粘附层和Zr缓冲层之间，Zr缓冲层设置在最上面。本发明大大改善了Cu抗电迁徙能力、阻挡层的性能、层间粘附性以及降低接触电阻等方面，而且制备工艺无需特殊工艺和特殊设备、生产效率高，易于推广使用。

公开(公告)号：CN203038923U

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201220514766.8

申请日：2012-10-09

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  杨晓亮 ,  曹菲 ,  刘云涛 ,  邵雷

IPC: H01L27/12

Abstract: 本实用新型涉及集成电路领域，具体涉及一种抗辐射加固的绝缘体上硅结构。本实用新型在多晶硅衬底上覆盖有多晶硅氧化层（201），氧化层上覆盖有半绝缘多晶硅膜（301），半绝缘多晶硅层上覆盖有二氧化硅层（401），二氧化硅层上覆盖有多晶硅层（601）。在多晶硅衬底和该结构最上方的多晶硅层之间有通孔（501）。本实用新型提出了特别设计在双层SiO2层中加入具有平衡电荷作用的半绝缘性多晶硅膜（SIPOS）而形成的结构作为SOI结构的隐埋绝缘层，并在该隐埋绝缘层上设计出通孔结构，将其作为利用选择外延生长形成顶层SOI层的窗口，并兼有导热和传导电荷作用，改善了SOI器件导热、散热能力和抗总剂量辐射性能，达到了提高SOI器件的热稳定性和抗辐射加固目的。

公开(公告)号：CN202167495U

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201120167436.1

申请日：2011-05-24

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  李婷 ,  曹菲 ,  刘云涛 ,  邵雷

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/872

Abstract: 本实用新型提供的是一种改进的混合整流二极管结构，包括N+衬底区(100)、N型漂移区(101)、有源区结P+部分(102)、第一部分阳极电极(104)、阴极电极(105)、二氧化硅层(106)、第二部分阳极电极(107)；还包括有源区结P部分(103)，所述有源区结P部分(103)包围有源区结P+部分(102)。本实用新型将结终端保护环与二极管有源区同时形成，并且所有区域(102)都在区域(103)中形成，在不牺牲器件正向特性，输出电容的前提下，提高了结势垒肖特基二极管器件的耐压。本实用新型与普通MPS、JBS工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。

公开(公告)号：CN201877432U

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201020619724.1

申请日：2010-11-23

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  焦文利 ,  曹菲 ,  刘云涛 ,  邵雷

IPC: H01L29/812

Abstract: 本实用新型提供的是一种自对准内嵌肖特基结的功率半导体场效应晶体管。包括漏区、漂移区、栅氧化层、栅电极、场氧化层、沟道区、侧壁氧化层、阳极和源电极；在漏区之上形成位于基底上的漂移区掺杂层；在所述掺杂层上形成栅极区，栅极区包括栅氧化层、栅电极与场氧化层；在所述掺杂层之上形成位于栅极区两侧的侧壁氧化层；在所述掺杂层之上形成位于栅极区两侧的源极区，源极区包括沟道区、阳极与源电极；阳极与漂移区形成肖特基接触，其中阳极与源电极短接。本实用新型与常规功率MOSFET晶体管工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。