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公开(公告)号：CN116333586A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310319780.5
申请日：2023-03-29
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C09D179/08 , C09D5/25 , C09D7/63
Abstract: 本发明公开了一种高耐热浸渍漆及其制备方法和应用，属于绝缘材料制备技术领域。本发明解决现有浸渍漆浸渍漆、耐热性差的问题。本发明通过分子结构设计，制备了具有类似双马来酰亚胺树脂树脂分子结构的液态树脂，并将其与耐热稀释剂等原料，通过预聚、复配制得耐热浸渍漆，该浸渍漆既具有较低的漆液粘度，同时具有较高的初始分解温度，经冷热冲击验证后，具有在200级以上环境使用的可能性，可用于长期使用温度为200℃的电机定子线圈浸渍。
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公开(公告)号：CN113787795B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202110919482.0
申请日：2021-08-11
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: B32B27/30 , B32B27/08 , B32B27/02 , B32B27/28 , B32B27/18 , B32B37/06 , B32B37/10 , D01F8/16 , D01F8/10
Abstract: 本发明公开了一种三明治结构聚吡咯/聚偏氟乙烯复合薄膜的制备方法；属于高储能密度电介质电容器应用领域。本发明解决了掺杂填料导致击穿强度过低的问题。本发明复合薄膜分为三层，上层和下层为聚偏氟乙烯薄膜，中间层为掺杂态聚吡咯/聚偏氟乙烯复合薄膜。上层和下层采用流延法制得；采用静电纺丝法制备中间层；在通过热压法获得三明治结构复合薄膜。本发明三明治结构的引入大大提高了复合薄膜的击穿强度，且具有较低的损耗。三明治结构聚吡咯/聚偏氟乙烯复合薄膜的储能性能优异，设计方案简单，安全，在储能领域将具有很好的潜力，特别是在电气和电子设备的小型化，轻量化和集成方面有更明显的作用。
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公开(公告)号：CN115785864A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211467351.4
申请日：2022-11-22
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C09J163/00 , C09J11/04
Abstract: 一种PI‑Al2O3和PI‑BN共掺杂高导热环氧树脂复合材料的制备方法，属于电子元器件灌封胶领域。本发明要解决导热填料与聚合物基体间两相界面的不相容，进而导致导热填料不能均匀地分散于基体中，从而使实验得出的复合材料导热系数远低于其理论值的问题。本发明是用PI修饰球形Al2O3和PI修饰片状BN后，由于PAA自身的部分酰亚胺化及PAA与环氧基团的反应，增加了导热颗粒与环氧树脂基体之间的相互作用，减少了填料团聚和界面空隙现象，进而提高了复合材料的导热性。并且其填料复配后与环氧树脂复合，提高了理论最大填充体积分数，降低了填料的拥挤程度，从而有利于改善高填充复合体系的加工流动性，并保障形成完整的导热网络和降低复合材料的热膨胀系数。
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公开(公告)号：CN113787795A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110919482.0
申请日：2021-08-11
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: B32B27/30 , B32B27/08 , B32B27/02 , B32B27/28 , B32B27/18 , B32B37/06 , B32B37/10 , D01F8/16 , D01F8/10
Abstract: 本发明公开了一种三明治结构聚吡咯/聚偏氟乙烯复合薄膜的制备方法；属于高储能密度电介质电容器应用领域。本发明解决了掺杂填料导致击穿强度过低的问题。本发明复合薄膜分为三层，上层和下层为聚偏氟乙烯薄膜，中间层为掺杂态聚吡咯/聚偏氟乙烯复合薄膜。上层和下层采用流延法制得；采用静电纺丝法制备中间层；在通过热压法获得三明治结构复合薄膜。本发明三明治结构的引入大大提高了复合薄膜的击穿强度，且具有较低的损耗。三明治结构聚吡咯/聚偏氟乙烯复合薄膜的储能性能优异，设计方案简单，安全，在储能领域将具有很好的潜力，特别是在电气和电子设备的小型化，轻量化和集成方面有更明显的作用。
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公开(公告)号：CN111454644B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202010260466.0
申请日：2020-04-03
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C09D163/02 , C09D5/08 , C08G59/44
Abstract: 基于库伦阻塞作用的防腐涂料的制备方法，涉及一种防腐涂料的制备方法。是要解决现有防腐涂料的防腐效果差的技术问题。方法：一、将氯化锰、五价金属醇盐和络合剂加入蒸馏水中溶解，反应制得溶胶；水热反应，烘干得粉体；二、粉体加入水溶性聚合物，烘干，煅烧，得表面包碳的纳米填料；三、将环氧树脂溶于醋酸丁酯中，再加入表面包碳的纳米填料，分散得A组份；将低分子聚酰胺树脂溶于醋酸丁酯中，再加入氧化石墨烯，分散得B组份；将A组份和B组份混合，喷涂成膜。本方法制备的防腐涂料同时实现了隔断氧气和水的物理隔绝防腐和隔断电子通路的电化学防腐，因此涂料的防腐性能优异。本发明应用于防腐涂料领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111171379B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202010038009.7
申请日：2020-01-14
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 球状Ag@T‑ZnOw粉体的制备方法以及制备高介电聚合物复合薄膜的方法和应用，涉及一种球状复合粉体的制备方法及其应用。本发明要解决球状纳米银作为增强相因无法产生量子遂穿效应导致很难满足现代微电容器和传感器对介电性能的需求的技术问题。本发明以硝酸银、聚乙烯吡咯烷酮和乙二醇为原料制备球状Ag然后加入四针状氧化锌，反应后洗涤、离心、烘干得到球状Ag@T‑ZnOw粉体。采用铺膜和压片制备介电聚合物复合薄膜。本发明球状Ag@T‑ZnOw粉体可发生量子遂穿效应，具有优良的电学性能，加入聚合物基体后，可以制备传感器，微电容器等器件，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111171379A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010038009.7
申请日：2020-01-14
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 球状Ag@T-ZnOw粉体的制备方法以及制备高介电聚合物复合薄膜的方法和应用，涉及一种球状复合粉体的制备方法及其应用。本发明要解决球状纳米银作为增强相因无法产生量子遂穿效应导致很难满足现代微电容器和传感器对介电性能的需求的技术问题。本发明以硝酸银、聚乙烯吡咯烷酮和乙二醇为原料制备球状Ag然后加入四针状氧化锌，反应后洗涤、离心、烘干得到球状Ag@T-ZnOw粉体。采用铺膜和压片制备介电聚合物复合薄膜。本发明球状Ag@T-ZnOw粉体可发生量子遂穿效应，具有优良的电学性能，加入聚合物基体后，可以制备传感器，微电容器等器件，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN104553199B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201510022447.3
申请日：2015-01-16
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法。传统聚偏氟乙烯是一种热塑性聚合物，有限的介电常数满足不了现代嵌入式电容器和半导体存储器件对材料高介电性能的要求，钛酸钡作为高介电常数的铁电陶瓷广泛应用于聚合物中改善聚合物的介电性能；但是掺杂量较高时，随着复合材料的介电性能的提高时其力学性能也急剧下降，达不到高容量电器元件对聚合物介电性能和力学性能的要求。一种三层介电聚偏氟乙烯薄膜，其组成是：纯聚偏氟乙烯层，所述的纯聚偏氟乙烯层（2）的上面具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层（3），所述的纯聚偏氟乙烯层的下面也具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层（1）。本发明应用于三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法。
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公开(公告)号：CN106884158A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201710011908.6
申请日：2017-01-06
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C23C18/12
CPC classification number: C23C18/1212
Abstract: 本发明公开了一种耐高温耐腐蚀的二氧化硅涂层及其制备方法和应用；属于二氧化硅涂层技术领域。本发明要解决目前二氧化硅涂层的制备方法一般需要在高温条件下进行，不利于工业生产且通常疏水性能不好，容易受到空气中水蒸气的影响，使用寿命较短的技术问题。本发明：将无水乙醇分成两等分，其中一份无水乙醇与正硅酸乙酯混合搅拌配制溶液A，另外一份无水乙醇和去离子水混合搅拌后滴加氟硅烷偶联剂配制溶液B，再在水浴加热、冷凝回流条件下，将溶液A和溶液B混合搅拌，缓慢滴加N,N‑二甲基甲酰胺，再加入硝酸搅拌反应后制得的胶液，去除氧化膜的硅钢片用胶液浸渍提拉后二次热处理。本发明产品用作水轮叶片表面耐磨涂层。
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