公开(公告)号：CN1573990B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200410032411.5

申请日：2004-04-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高森信之 ,  田岛秀春 ,  森豪 ,  山本真树

IPC: G11B7/24

CPC classification number: G11B7/243 ,  G11B7/257 ,  Y10T428/21

Abstract: 本发明的光信息记录介质是一种具有形成与记录信息对应的凹凸形状的坑及/或沟的基板，并利用光束照射通过光学方法重放所述信息用光信息记录介质或具有记录层的光信息记录介质，该介质包括随着因光束照射所产生的温度变化而照射光束的透射率也变化的温度敏感层21及光吸收层22。由此，能提供可高密度记录信息并高精度、可靠地重放的光信息记录介质、采用该介质的记录方法、重放方法、重放装置及记录装置。

公开(公告)号：CN113545168B

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN201980093140.9

申请日：2019-03-11

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 吉川弘文 ,  两轮达也 ,  山本真树 ,  土江贵洋

IPC: H05B33/14 ,  H05B33/22

Abstract: 发光元件(Xr)包括：供给空穴的阳极(22)、供给电子的阴极(25)、配置于所述阳极(22)与所述阴极(25)之间的发光层(24)，所述发光层(24)包含：多个量子点荧光体(41)以及p型掺杂剂(51)，多个量子点荧光体(41)伴随供给自所述阳极(22)的空穴与供给自所述阴极(25)的电子的结合进行发光。

公开(公告)号：CN114430934B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN201980100677.3

申请日：2019-09-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 榊原裕介 ,  山本真树 ,  上田吉裕

IPC: H05B33/14 ,  G09F9/30 ,  H10K59/121 ,  H10K59/122

Abstract: 发光装置具备:第一子像素，设置有第一发光元件；以及第二子像素，设置有第二发光元件，与所述第一子像素一起构成多个像素中的一个像素，所述第一发光元件具有第一阴极、第一阳极以及第一发光层，所述第一发光层包含第一量子点且设于所述第一阴极和所述第一阳极之间，所述第二发光元件具有第二阴极、第二阳极以及第二发光层，所述第二发光层包含第二量子点且设置于所述第二阴极和所述第二阳极之间，所述第二量子点发出比所述第一量子点的发光波长长的光，所述第一发光层的厚度比所述第二发光层的厚度厚。

公开(公告)号：CN115298721B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202080097850.1

申请日：2020-03-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北野圭辅 ,  山本真树

IPC: G09F9/30 ,  H10K50/115 ,  H10K50/852 ,  H10K59/35 ,  H05B33/02 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22 ,  H05B33/24 ,  H05B33/28

Abstract: 发光元件包括:反射电极；透明电极；发光层，设于所述反射电极和所述透明电极之间，且包含量子点；以及选择性反射层，其相对于所述透明电极设置在所述发光层的相反侧，并具有反射率比其他波段高的反射波段，所述选择性反射层的反射波段的长波长端的波长(λt2)是:在所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长(λ0)靠短波长侧的波长(λ1)长，且是在比所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长(λ0)靠长波长侧的波长(λ2)短。

公开(公告)号：CN115868248A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202080102811.6

申请日：2020-08-04

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北野圭辅 ,  山本真树

IPC: H05B33/14

Abstract: 一种发光元件包括：第一发光层，其具有第一量子点，并发出包含第一峰值波长的第一光；第二发光层，其具有第二量子点，并发出包含第二峰值波长的第二光，第二峰值波长成为大于第一峰值波长的波长；基板，其在面上供第一发光层和第二发光层在第一方向上相邻配置；以及第一堤，其在基板上，以分隔第一发光层与第二发光层的方式设置，第一堤使第一光透射。

公开(公告)号：CN111755033B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202010556982.8

申请日：2014-04-08

Applicant: 夏普株式会社 ,  忆术控股股份有限公司

Inventor： 田岛秀春 ,  山本真树 ,  山田博久 ,  中峻之 ,  小西正人

IPC: G11B7/005 ,  G11B7/013 ,  G11B7/13 ,  G11B7/1374 ,  G11B7/1392 ,  G11B20/10

Abstract: 再生装置(100)具备：向作为超分辨率介质的光盘(1)照射再生光的光拾取器(6)；将反射光变换为再生信号的RF信号处理电路(9)；对再生信号的质量进行评价的i‑MLSE检测部(141)；和利用再生信号的质量评价结果来校正球面像差的球面像差校正部(142)。

公开(公告)号：CN111755032B

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202010556955.0

申请日：2014-04-08

Applicant: 夏普株式会社 ,  忆术控股股份有限公司

Inventor： 田岛秀春 ,  山本真树 ,  山田博久 ,  中峻之 ,  小西正人

IPC: G11B7/005 ,  G11B7/013 ,  G11B7/13 ,  G11B7/1374 ,  G11B7/1392 ,  G11B20/10

Abstract: 再生装置(100)具备：向作为超分辨率介质的光盘(1)照射再生光的光拾取器(6)；将反射光变换为再生信号的RF信号处理电路(9)；对再生信号的质量进行评价的i‑MLSE检测部(141)；和利用再生信号的质量评价结果来校正球面像差的球面像差校正部(142)。

公开(公告)号：CN111755033A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010556982.8

申请日：2014-04-08

Applicant: 夏普株式会社 ,  忆术控股股份有限公司

Inventor： 田岛秀春 ,  山本真树 ,  山田博久 ,  中峻之 ,  小西正人

IPC: G11B7/005 ,  G11B7/013 ,  G11B7/13 ,  G11B7/1374 ,  G11B7/1392 ,  G11B20/10

Abstract: 再生装置(100)具备：向作为超分辨率介质的光盘(1)照射再生光的光拾取器(6)；将反射光变换为再生信号的RF信号处理电路(9)；对再生信号的质量进行评价的i-MLSE检测部(141)；和利用再生信号的质量评价结果来校正球面像差的球面像差校正部(142)。

公开(公告)号：CN109243499B

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN201811084441.9

申请日：2014-04-08

Applicant: 夏普株式会社 ,  忆术控股股份有限公司

Inventor： 山田博久 ,  中峻之 ,  山本真树 ,  足立佳久 ,  田岛秀春 ,  小西正人

IPC: G11B7/007

Abstract: 光盘(100)具备：介质信息区域(101)，其按照规定的调制方式来形成比再现装置所具有的光学系统分辨极限的长度长的长度的凹以及/或者凸，从而记录种类识别信息，并通过第1地址数据格式来记录地址信息；和数据区域(102)，其按照规定的调制方式来形成包含比光学系统分辨极限的长度短的长度的凹以及/或者凸，从而记录内容数据，并通过第2地址数据格式来记录地址信息。

公开(公告)号：CN108133716B

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN201810164419.9

申请日：2014-04-08

Applicant: 夏普株式会社 ,  忆术控股股份有限公司

Inventor： 中峻之 ,  山田博久 ,  山本真树 ,  田岛秀春 ,  小西正人

IPC: G11B7/007 ,  G11B7/24085 ,  G11B7/005 ,  G11B7/013 ,  G11B7/1374 ,  G11B7/24 ,  G11B7/24065 ,  G11B7/24079 ,  G11B7/243

Abstract: 本发明为光信息记录介质以及再生方法。在将根据从第1坑点串的最长坑点(P1max)或最长间隙(S1max)获得的反射光量而算出的反射率设为第1反射率、将根据从第2坑点串的最长坑点(P2max)或最长间隙(S2max)获得的反射光量而算出的反射率设为第2反射率的情况下，第1坑点串被形成为第1反射率与第2反射率大致相同。