-
公开(公告)号：CN101847423B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201010202590.8
申请日：2008-09-25
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11B7/00 , G11B7/0037 , G11B7/005 , G11B7/08511 , G11B7/12 , G11B7/126 , G11B7/1263 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B19/125 , G11B19/128 , G11B2007/0013
Abstract: 一种用于对光信息记录介质进行重放的光信息记录介质重放装置(10)，该光信息记录介质由层叠多个包含有长度短于光学系分辨极限的记录标记的信息记录层而成，在该光信息记录介质重放装置(10)中，进行设定使得用于对最接近重放激光入射面的信息记录层进行重放的重放激光功率，小于对最远离重放激光入射面的信息记录层进行重放的重放激光功率并且在满足该光信息记录介质重放装置(10)所需重放信号特性下的最小重放激光功率以上。由此，对接近重放激光入射面的信息记录层进行重放时，能够防止重放激光功率高的重放激光误射到该信息记录层，从而能够获得良好的重放品质。即，能够通过确定最适当的重放激光功率以实现进行稳定超分辨重放的光信息记录介质重放装置(10)。
-
公开(公告)号：CN101689384B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200880023912.3
申请日：2008-07-08
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11B7/0053 , G11B7/126 , G11B7/24 , G11B7/24079
Abstract: 超分辨率介质(1)设有信息信号区域(11)和测试引导区域(12)，信息信号区域(11)记录有视频或音频等内容；测试引导区域(12)记录有用于调整设定值的重放设定值调整信息，其中，该设定值是用于进行重放的设定值。形成在信息信号区域(11)的第1预坑列的最短标记长度小于重放装置所具有的光学系统分辨极限长度。记录于测试引导区域(12)的、用以调整设定值的第2预坑列中的标记长度种类与第1预坑列的一部分或全部标记长度种类相同。第2预坑列含有、标记长度低于重放装置之光学系统分辨极限长度的预坑。第1预坑列以及第2预坑列中的标记长度有3种以上。由此，对于超分辨率介质(1)，能够根据各介质进行最佳的重放。
-
公开(公告)号：CN102334162A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201080009329.4
申请日：2010-02-22
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11B7/00736 , G11B7/08511 , G11B7/24038 , G11B19/127 , G11B2007/0013 , G11B2220/235
Abstract: 本发明包括用于对所访问的信息记录层(L1)进行特定的层编号取得部(222)和用于对层编号取得部(222)所特定出的信息记录层(L1)的种类进行判别的层种类判别部(223)。由此，即使在由于信息记录重放装置的误动作等而导致访问到与理应访问的信息记录层不同的其他信息记录层的情况下，也能够防止记录或者重放控制方式等的设定与该信息记录层的方式等构成误配。
-
公开(公告)号：CN101847423A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010202590.8
申请日：2008-09-25
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11B7/00 , G11B7/0037 , G11B7/005 , G11B7/08511 , G11B7/12 , G11B7/126 , G11B7/1263 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B19/125 , G11B19/128 , G11B2007/0013
Abstract: 一种用于对光信息记录介质进行重放的光信息记录介质重放装置(10)，该光信息记录介质由层叠多个包含有长度短于光学系分辨极限的记录标记的信息记录层而成，在该光信息记录介质重放装置(10)中，进行设定使得用于对最接近重放激光入射面的信息记录层进行重放的重放激光功率，小于对最远离重放激光入射面的信息记录层进行重放的重放激光功率并且在满足该光信息记录介质重放装置(10)所需重放信号特性下的最小重放激光功率以上。由此，对接近重放激光入射面的信息记录层进行重放时，能够防止重放激光功率高的重放激光误射到该信息记录层，从而能够获得良好的重放品质。即，能够通过确定最适当的重放激光功率以实现进行稳定超分辨重放的光信息记录介质重放装置(10)。
-
公开(公告)号：CN1573990B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200410032411.5
申请日：2004-04-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/257 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的光信息记录介质是一种具有形成与记录信息对应的凹凸形状的坑及/或沟的基板，并利用光束照射通过光学方法重放所述信息用光信息记录介质或具有记录层的光信息记录介质，该介质包括随着因光束照射所产生的温度变化而照射光束的透射率也变化的温度敏感层21及光吸收层22。由此，能提供可高密度记录信息并高精度、可靠地重放的光信息记录介质、采用该介质的记录方法、重放方法、重放装置及记录装置。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113545168B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN201980093140.9
申请日：2019-03-11
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 发光元件(Xr)包括：供给空穴的阳极(22)、供给电子的阴极(25)、配置于所述阳极(22)与所述阴极(25)之间的发光层(24)，所述发光层(24)包含：多个量子点荧光体(41)以及p型掺杂剂(51)，多个量子点荧光体(41)伴随供给自所述阳极(22)的空穴与供给自所述阴极(25)的电子的结合进行发光。
-
公开(公告)号：CN114430934B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN201980100677.3
申请日：2019-09-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H05B33/14 , G09F9/30 , H10K59/121 , H10K59/122
Abstract: 发光装置具备:第一子像素，设置有第一发光元件；以及第二子像素，设置有第二发光元件，与所述第一子像素一起构成多个像素中的一个像素，所述第一发光元件具有第一阴极、第一阳极以及第一发光层，所述第一发光层包含第一量子点且设于所述第一阴极和所述第一阳极之间，所述第二发光元件具有第二阴极、第二阳极以及第二发光层，所述第二发光层包含第二量子点且设置于所述第二阴极和所述第二阳极之间，所述第二量子点发出比所述第一量子点的发光波长长的光，所述第一发光层的厚度比所述第二发光层的厚度厚。
-
公开(公告)号：CN115298721B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202080097850.1
申请日：2020-03-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , H10K50/115 , H10K50/852 , H10K59/35 , H05B33/02 , H05B33/12 , H05B33/14 , H05B33/22 , H05B33/24 , H05B33/28
Abstract: 发光元件包括:反射电极；透明电极；发光层，设于所述反射电极和所述透明电极之间，且包含量子点；以及选择性反射层，其相对于所述透明电极设置在所述发光层的相反侧，并具有反射率比其他波段高的反射波段，所述选择性反射层的反射波段的长波长端的波长(λt2)是:在所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长(λ0)靠短波长侧的波长(λ1)长，且是在比所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长(λ0)靠长波长侧的波长(λ2)短。
-
-
公开(公告)号：CN111755033B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202010556982.8
申请日：2014-04-08
Applicant: 夏普株式会社 , 忆术控股股份有限公司
IPC: G11B7/005 , G11B7/013 , G11B7/13 , G11B7/1374 , G11B7/1392 , G11B20/10
Abstract: 再生装置(100)具备：向作为超分辨率介质的光盘(1)照射再生光的光拾取器(6)；将反射光变换为再生信号的RF信号处理电路(9)；对再生信号的质量进行评价的i‑MLSE检测部(141)；和利用再生信号的质量评价结果来校正球面像差的球面像差校正部(142)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
79
records
(took 0.03 seconds)
