Ku频段下变频器
    51.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109286373A

    公开(公告)日:2019-01-29

    申请号:CN201811114346.9

    申请日:2018-09-25

    IPC分类号: H03D7/16

    摘要: 本发明公开了一种Ku频段下变频器,包括:本振模块、变频模块和控制模块;其中,所述本振模块接收参考信号,并将输出的本振信号输出至所述变频模块,所述变频模块将输入的Ku频段射频输入信号转换为中频输出信号;所述控制模块连接于所述本振模块和变频模块,以进行频率的控制和状态的反馈。该Ku频段下变频器可以实现Ku频段较高输入频率通过下变频的方式输出低频率中频范围。

    Ka波段带通滤波器
    52.
    实用新型

    公开(公告)号:CN221102370U

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202322759332.5

    申请日:2023-10-13

    IPC分类号: H01P1/20

    摘要: 本实用新型涉及高频滤波器领域,公开了一种Ka波段带通滤波器,所述Ka波段带通滤波器包括高频基板和多级耦合线组,所述高频基板沿长度方向的两端分别设置有输入微带线和输出微带线,所述输入微带线和所述输出微带线相互平行且分别相对于所述高频基板的长度方向呈倾斜布置,所述多级耦合线组设置于所述输入微带线和所述输出微带线之间的所述高频基板上,所述多级耦合线组中相邻的两级耦合线组相互平行且分别相对于所述高频基板的长度方向呈倾斜布置,本实用新型通过在输入微带线和输出微带线之间设置多级倾斜的耦合线组进行信号传输,不用加载额外的传输线,从而减小滤波器的体积,容易集成的同时降低了生产成本。

    一种频率合成器结构
    53.
    实用新型

    公开(公告)号:CN220492175U

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202322148737.5

    申请日:2023-08-10

    IPC分类号: H01P1/213

    摘要: 本实用新型公开了一种频率合成器结构,包括腔体(1),腔体(1)一侧设有本振腔(2)和功分放大腔(3),腔体(1)另一侧设有供电腔(4),本振腔(2)设在功分放大腔(3)上方,本振腔(2)和功分放大腔(3)之间设有隔板(5),采用本实用新型的频率合成器结构,加工简单、结构布局合理、可阻断信号串扰。

    一种便于拆装式固态脉冲发射机

    公开(公告)号:CN218099581U

    公开(公告)日:2022-12-20

    申请号:CN202221735592.8

    申请日:2022-07-05

    IPC分类号: G01S7/282 H05K7/20

    摘要: 一种便于拆装式固态脉冲发射机,属于脉冲发射机技术领域,该固态脉冲发射机,包括上端开口的箱体,箱体内设置有发射机本体,箱体外设置有多个出风口,箱体的上端开口处卡接有中部开口的安装板,安装板位于箱体外侧的部分通过多个导向滑动组件与箱体相连,安装板开口处的下端安装有散热风扇,安装板开口处的上端通过多个锁紧组件与滤网可拆卸相连,本实用新型的有益效果是,本实用新型结构设计合理,拆卸和安装方便,便于对其内部进行检修,散热效果好。

    功率放大器散热结构
    55.
    实用新型

    公开(公告)号:CN219761738U

    公开(公告)日:2023-09-26

    申请号:CN202320461117.4

    申请日:2023-03-07

    IPC分类号: H05K7/20

    摘要: 本实用新型涉及散热领域,公开了一种功率放大器散热结构,该功率放大器散热结构包括散热架、导热结构、散热片和盖板,其中,导热结构固接于散热架的底部,散热架的顶部部分向内凹陷形成有散热空腔,散热片设置多个,多个散热片固接于散热架内;每相邻两个散热片之间形成有流动通道,流动通道均连通至散热空腔;盖板盖设于散热空腔上,盖板上设置有出风口和进风口,出风口位于散热空腔的上方,散热空腔内的空气能够通过出风口排出;进风口位于散热片的上方,盖板于进风口处设置有送风装置,送风装置设置为能够通过进风口向散热片送风。该功率放大器散热结构具有更好的散热效果。

    一种S波段高增益放大电路
    56.
    实用新型

    公开(公告)号:CN218103089U

    公开(公告)日:2022-12-20

    申请号:CN202221767409.2

    申请日:2022-07-06

    摘要: 本实用新型公开的S波段高增益放大电路,S波段高增益放大电路包括:数控衰减器,输入端连接射频输入端,输出端依次连接第一级低噪声放大器、模拟衰减器、隔离器、高增益模块,高增益模块的输出端为射频输出端;MCU控制器,MCU控制器与数控衰减器、模拟衰减器及高增益模块中的衰减器通讯连接。本实用新型提供的S波段高增益放大电路可以实现射频信号增益≥45dB,噪声系数≤1.8dB,平坦度≤±0.25dB,发射功率P‑1≥20dBm。