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公开(公告)号：CN111378373A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811627123.2
申请日：2018-12-28
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： C09G1/02
摘要： 本发明提供一种用于抛光钨的化学机械抛光液，包括硅溶胶、硝酸铁和有机酸络合剂，其中所述硅溶胶的研磨颗粒表面被硅烷耦合剂处理过，抛光液的pH值为4.0-5.5。本发明的用于抛光钨的化学机械抛光液，该抛光液通过调节pH值，实现在低的研磨剂固含量的条件下，具有较高的二氧化硅抛光速度，可以清除叠层效应中形成的、凹陷处钨残留，提高抛光质量、提升产生良率；降低了产品制造成本，并有利于高倍浓缩。
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公开(公告)号：CN103773244B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201210396145.9
申请日：2012-10-17
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/321 , H01L21/306
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463
摘要： 本发明提供一种用于阻挡层抛光的碱性抛光液，含有研磨颗粒，唑类化合物，C1~C4季铵碱，氧化剂，水和调节硅片表面平整度的表面活性剂。该抛光液可以有效控制铜线细线区的侵蚀（erosion），快速实现全局平坦化。
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公开(公告)号：CN106916536A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510996511.8
申请日：2015-12-25
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/306
CPC分类号： C09G1/02 , H01L21/30625
摘要： 本发明旨在提供一种用于抛光阻挡层的碱性化学机械抛光液，该抛光液由研磨颗粒、唑类化合物、磷酸、氯化铵、和双氧水组成，本发明通过添加平均粒径小于30nm的研磨颗粒,可以实现对低介电材料(low‑K)的抛光速度小于二氧化硅(TEOS)的抛光速率，同时抛光后，基材表面的犬牙(fang)和缺陷(Defect)现象得到显著改善。
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公开(公告)号：CN102820210B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201110153102.3
申请日：2011-06-08
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
摘要： 本发明提供了一种采用同时含有氧化剂、硫酸氢盐、硫酸盐以及硫脲或硫脲的衍生物的清洗液清洗化学机械抛光后的硅片的方法。采用本发明的化学机械抛光清洗液可有效加速金属污染物的溶解，解决了硅片表面银离子污染的清洗问题，根除了移动金属离子的扩散，提高了芯片的可靠性，提高了生产的良率。
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公开(公告)号：CN102408834B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201010287359.3
申请日：2010-09-20
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/304 , C09G1/02
摘要： 本发明公开了一种化学机械抛光液，包括：研磨颗粒，含卤素的氧化剂，唑类化合物和有机碱，所述的化学机械抛光液具有碱性的pH值。该抛光液实现了在氧化剂存在的条件下，不仅不抑制了硅和铜的抛光速度，还显著提高了硅的抛光速度的问题。
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公开(公告)号：CN104371550A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201310354651.6
申请日：2013-08-14
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： C09G1/02
CPC分类号： C09G1/02 , H01L21/304
摘要： 本发明提供了一种包含有硅烷偶联剂的用于抛光硅层的化学机械抛光液，其可以实现化学机械抛光液的高倍浓缩和胶体的稳定性，并可提高硅材料的抛光速率。
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公开(公告)号：CN102399494B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201010277685.6
申请日：2010-09-10
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
CPC分类号： C09G1/02 , H01L21/3212
摘要： 本发明涉及一种化学机械抛光液，其同时含有：研磨颗粒、含卤素的氧化剂、有机胺、乙二胺四乙酸(EDTA)、pH值调节剂，以及所述的化学机械抛光液具有碱性的pH值。该抛光液可以实现在碱性抛光环境下，对硅和铜都具有非常高的抛光速度。该抛光液中还可以继续加入氨基酸，使硅和铜的去除速率保持稳定。
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