公开(公告)号：CN102456730A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110326799.X

申请日：2011-10-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  金村雅仁 ,  中村哲一 ,  宫岛丰生 ,  武田正行 ,  渡部庆二 ,  吉川俊英 ,  今西健治 ,  多木俊裕 ,  今田忠纮

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/0228 ,  H01L23/291 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：第一半导体层，形成在衬底上；第二半导体层，形成在所述第一半导体层上；源电极和漏电极，形成在所述第二半导体层上；绝缘膜，形成在所述第二半导体层上；栅电极，形成在所述绝缘膜上；以及保护膜，覆盖所述绝缘膜，所述保护膜是通过热CVD、热ALD或真空气相沉积形成的。利用本发明，在于栅电极与半导体层之间插入了绝缘膜、并且覆盖有绝缘保护膜的半导体器件中，能够维持足够程度的绝缘强度。

公开(公告)号：CN101045820B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200610106004.3

申请日：2006-07-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中田义弘 ,  矢野映

IPC: C08L83/16 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/31633 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/31695

Abstract: 一种形成绝缘膜的组合物以及制造半导体器件的方法，其中该方法包括以下步骤：在衬底(10)上形成多孔材料的第一绝缘膜(38)；在第一绝缘膜(38)上形成第二绝缘膜(40)，该第二绝缘膜(40)包含，该硅化合物含30-90％的Si-CH3结合物；向形成在第一绝缘膜(38)上的第二绝缘膜(40)照射紫外线，以固化第一绝缘膜(38)。因此，具有消除CH3基的波长的紫外线被第二绝缘膜充分吸收，从而第一绝缘膜通过紫外线固化被优先高度强化，并且第一绝缘膜在不增加介电常数的情况下可使膜密度增加。

公开(公告)号：CN100557778C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200710141756.8

申请日：2007-08-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中田义弘 ,  矢野映

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：形成绝缘膜，该绝缘膜包含具有Si-CH3和Si-OH键的材料；以及用紫外线照射该绝缘膜，其中：在紫外线照射后，通过X射线电光子分光光谱确定的C浓度降低率不大于30%，并且绝缘膜中从C-H键、O-H键和Si-OH的Si-O键中选出的一个或多个键的减少率不小于10%。本发明提供一种低介电常数绝缘膜，其具有高模强度并可以避免因为吸收湿气而导致的介电常数增大；一种半导体器件，其可以避免因寄生电容增大而造成的器件响应速度的延迟以及可靠性降低；以及其制造方法。

公开(公告)号：CN101045820A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200610106004.3

申请日：2006-07-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中田义弘 ,  矢野映

IPC: C08L83/16 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/31633 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/31695

Abstract: 一种形成绝缘膜的组合物以及制造半导体器件的方法，其中该方法包括以下步骤：在衬底(10)上形成多孔材料的第一绝缘膜(38)；在第一绝缘膜(38)上形成第二绝缘膜(40)，该第二绝缘膜(40)包含，该硅化合物含30－90％的Si－CH3结合物；向形成在第一绝缘膜(38)上的第二绝缘膜(40)照射紫外线，以固化第一绝缘膜(38)。因此，具有消除CH3基的波长的紫外线被第二绝缘膜充分吸收，从而第一绝缘膜通过紫外线固化被优先高度强化，并且第一绝缘膜在不增加介电常数的情况下可使膜密度增加。