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公开(公告)号：CN116169181B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202211207376.0
申请日：2022-09-30
申请人： 富芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/866 , H01L21/329
摘要： 本发明公开了一种低漏电低压TVS器件，包括P型半导体衬底P0，所述P型半导体衬底P0上下两侧局部区域开设有N型扩散区N11和N12，位于P型半导体衬底P0上下两侧还开设有N型扩散区N21和N22，N型扩散区N21位于N型扩散区N11的两侧，N型扩散区N22位于N型扩散区N12的两侧，N型扩散区N11和N12的结深比N型扩散区N21和N22的结深深，本发明基于两个并联的PN结，较大面积的PN结击穿电压较高，漏电流较低，决定整个器件击穿电压的PN结面积较小，因而整个器件的漏电流大大降低，同时由于焊接区域的PN结结深较深，抵抗焊接应力的能力得以大大提升。
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公开(公告)号：CN115346979B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN202211273525.3
申请日：2022-10-18
申请人： 富芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/74 , H01L21/332
摘要： 本发明公开了一种基于晶闸管结构的TVS器件及其制造方法，利用纵向晶闸管和纵向二极管构建纵向晶闸管结构的单向TVS器件，包括N型半导体衬底；所述N型半导体衬底的下侧中间区域开设有P型掺杂区，所述N型半导体衬底的下侧位于P型掺杂区的两侧开设有N型掺杂区一，所述N型半导体衬底内还设置有N型电压调制区，所述N型电压调制区与N型半导体衬底上侧之间形成P型掺杂阱，所述P型掺杂阱内的设置有N型掺杂区二，本发明的基于晶闸管结构的TVS器件引入了电压调制区，使单向TVS器件的击穿电压易于控制，同时采用了纵向晶闸管结构，TVS器件的电流集中效应大大降低，功率密度得以提升。
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公开(公告)号：CN114985199B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN202210587895.8
申请日：2022-05-26
申请人： 富芯微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种高压超快恢复二极管生产用涂胶装置，机台通过两侧的导向腔滑动连接有二极管安装部，二极管安装部上设置有多个同步转动的装夹部，装夹部用于二极管的装夹，其中，机台的台面一端架设有用于二极管涂胶的涂胶部，机台的台面另一端架设有用于二极管涂胶后烘干的烘干部，二极管安装部在涂胶部和烘干部之间能够滑动切换，使二极管随二极管安装部在进入涂胶部和烘干部时，二极管均能够实现回转涂胶和回转烘干，回转涂胶能够使二极管外周面上的涂胶更加均匀，提高二极管的涂胶质量，回转烘干能够使涂胶后的二极管受热均匀，提高二极管表面的烘干质量，从而有效提高二极管的涂胶质量。
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公开(公告)号：CN115188718A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210786088.9
申请日：2022-07-04
申请人： 富芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L23/04 , H01L23/10 , H01L23/367 , H01L23/48 , H01L21/673
摘要： 本发明公开了用于封装芯片的承载带及芯片封装结构，涉及芯片封装技术领域。包括基板，基板顶部中心开设有芯片槽，芯片槽内部固定连接有用于固定芯片的固定器，基板顶部两侧等距开设有多个嵌入槽，嵌入槽内部固定连接有引脚，基板顶部固定连接有连接方环，连接方环顶部设置有一圈凸起，连接方环顶部位于凸起的外围处固定连接有热熔胶圈，连接方环顶部固定连接有封装盖。本发明通过在封装机构中使用压芯器，在对芯片进行封装的过程中，芯片上的触电连接上引脚后，利用压芯器的中心压板和压脚压覆在芯片和引脚上，将用于芯片和引脚连接的连接线一并进行固定，从而能够防止在芯片运输过程中由于振动导致连接线断裂使得芯片失效的情况出现。
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公开(公告)号：CN114784001A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210531279.0
申请日：2022-05-16
申请人： 富芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/088
摘要： 本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应管，涉及半导体场效应管技术领域。包括框架，所述框架的内部安装有一号P形半导体，所述一号P形半导体顶端的一侧安装有一号N形半导体，所述一号P形半导体顶端的另一侧安装有二号N形半导体，所述一号P形半导体底端的一侧安装有三号N形半导体，所述一号P形半导体底端的另一侧安装有四号N形半导体，所述三号N形半导体和四号N形半导体之间安装有N形半导体通道。本发明通过增强型金属氧化物半导体场和耗尽型金属氧化物半导体场相互作用的设置，使得该装置还具有了控制两个不能够同时工作的装置的运行，该设计保证了上述两个工作装置的互不干扰，保证了机械的正常运行。
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公开(公告)号：CN114774879A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210542806.8
申请日：2022-05-19
申请人： 富芯微电子有限公司
IPC分类号： C23C16/26 , C23C16/455 , C23C16/44
摘要： 本发明公开了一种碳化硅单晶片的镀膜装置，涉及晶片处理技术领域，镀膜装置包括镀膜箱体、惰性气体输入组件以及甲烷气体输入组件，所述镀膜箱体内侧设有镀膜空腔，用于对碳化硅单晶片进行镀膜处理；还包括定位机构，所述定位机构布设在镀膜空腔内，用于对晶片进行定位固定；喷气管以及喷气筒在定位机构周侧布设有多组，以对晶片全方位喷气镀膜处理，本发明还公开了一种碳化硅单晶片的镀膜方法，将待镀膜碳化硅晶片横置在两喷气筒间，当两侧第二喷气孔在喷射甲烷气体时，甲烷气体可以与碳化硅晶片上下表面均匀接触，使得甲烷气体在碳化硅晶片表面裂解形成碳膜，稳定性和均匀性更高。
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公开(公告)号：CN114203798A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111485765.5
申请日：2021-12-07
申请人： 富芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/329
摘要： 本发明公开了一种增强型TVS结构器件，包括N型半导体衬底，所述N型半导体衬底的P型基区上开设有用于少子注入结构区，所述少子注入结构区用于注入少数载流子，所述少子注入结构区为点状阵列结构，通过在N型半导体衬底的P型基区上开设有用于少子注入结构区，即实现在常规TVS结构器件的基础上，增设了少子注入补偿结构机制，当高压浪涌信号经过本案中的TVS结构器件时，少子注入补偿结构会向P型基区内注入少数载流子，这部分少数载流子会经过P型基区漂移至N型半导体衬底区，降低TVS结构器件在导通时的整体导通电阻，从而降低残压峰值，使被保护的后级IC受到更低的过压干扰。
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公开(公告)号：CN112272013A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011203551.X
申请日：2020-11-02
申请人： 富芯微电子有限公司
IPC分类号： H03F3/34
摘要： 本发明公开了一种具有降噪功能的运放芯片，本发明涉及运放芯片技术领域。通过降噪运放芯片主体放置在外调节框架件的内部，外调节框架件包括第一调节框架、第二调节框架、第三调节框架和第四调节框架，第一调节框架包括第一调节框架主体，第一调节框架主体的短轴端上均固定设置有延伸杆，每个延伸杆背离第一调节框架主体的一端上均固定设置有延伸杆调节块，并且延伸杆调节块设置在同侧，第二调节框架包括第二调节框架主体，第二调节框架主体的长轴端上均固定设置有延伸卡结块，解决了其运输时没有专门的运输存放器具，并且不能根据不同规格大小的运放芯片进行对应的调节，影响存放运输的效率，增加运输的成本的问题。
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公开(公告)号：CN110589416A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910859175.0
申请日：2019-09-11
申请人： 富芯微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种IGBT芯片贴片用自动上下料装置，包括安装板、框架、底框和端部框，所述框架的顶部中端竖直连接有转动杆，转动杆的上方安装有安装板，安装板的中部贯穿设置有穿孔，且安装板的顶部边缘均匀贯穿设置有若干个分隔槽，分隔槽的内部中端活动连接有环形边缘板。贴片后，第一伸缩柱收缩向上移动，带动贴片器械从分隔槽的内部脱离，安装板继续转动，带动贴片后的芯片移动，芯片移动到进气管端部气管喷头的上部后，进气管向气管喷头的内部输送气体，气体从气管喷头的内部向外喷出，进而气流与芯片的底部接触，气流将芯片从分隔槽的内部吹动脱离。通过装载架和端部框可以使得芯片在贴片中可以自动的上料和下料，工作效率得到提高。
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公开(公告)号：CN118610207A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410849508.2
申请日：2024-06-27
申请人： 富芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L21/266 , H01L21/324
摘要： 本发明公开了一种过压浪涌保护器件及其制造方法，包括N型半导体衬底，N型半导体衬底设置有第二P型掺杂基区、第一P型掺杂基区，第二P型掺杂基区内设置有第一N型发射区，第一P型掺杂基区内设置有第二N型发射区，N型半导体衬底设置有沟槽区，沟槽区内设置有玻璃钝化层，N型半导体衬底设置有第一N型掺杂区、第二N型掺杂区，第二P型掺杂基区和第一P型掺杂基区均设置有金属层，本发明通过调整N型掺杂区的浓度可以得到适当击穿电压的过压浪涌保护器件，N型掺杂区是在刻蚀出沟槽区后形成的，其浓度和结深非常利于控制，不需要极长的扩散时间，从而能大大缩短瞬态浪涌抑制器的制造周期，使得最终的产品参数稳定，生产效率得到显著提高。
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