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公开(公告)号：CN116647209B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310889813.X
申请日：2023-07-20
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
IPC分类号： H03H11/24
摘要： 本发明公开了一种新型毫米波数字衰减器，包括查找表模块、单片机、高精度数模转换器以及第一支路、第二支路和可变增益衰减器；所述高精度数模转换器与可变增益衰减器之间并列设置有第一支路、第二支路；所述第一支路、第二支路分别包括低通滤波器、缓冲器。所述查找表模块用于存储可变增益衰减器所需的偏置电压值及对应的步进衰减；所述单片机用于控制高精度数模转换器输出可变增益衰减器所需的偏置电压；所述低通滤波器用于过滤高频脉动干扰信号，所述缓冲器用于使高精度数模转换器输出信号增加延时，以消除负载牵引对电路的影响。本发明有效解决了毫米波频段应用时衰减器衰减精度以及动态范围不足的情况，具有较好的实用性。
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公开(公告)号：CN116455359B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310708109.X
申请日：2023-06-15
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
IPC分类号： H03H17/00
摘要： 本发明涉及射频芯片技术领域，具体地说，涉及一种宽带数控延时线；通过设置第一延时单元，生成延时特性随频率增加而下降的第一延时信号；设置第二延时单元，生成延时特性随频率增加而上升的第二延时信号，并根据第二延时信号补偿第一延时信号，两部分的延时特性相互补偿后，得到一个宽带延时特性的延时线；在此基础上，增加频率监测控制单元和自适应宽带补偿单元，通过监测工作频率的变化，自适应调整延时单元中接入整个延时线芯片电容大小，从而补偿实际电路中电感的电感量随频率增加而变大的特性，抑制延时线工作频率偏移，显著提升了延时线的工作带宽。
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公开(公告)号：CN116545468A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310828479.7
申请日：2023-07-07
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及通信技术领域，具体地说，涉及一种高速波束赋形芯片；通过设置快速刷新单元根据所述第一控制信号确定数据刷新方式，并生成第二控制信号，定位待刷新的串并转换单元；设置串并转换单元，根据第二控制信号，生成一对互补的第三控制信号；设置波束赋形单元，根据第三控制信号改变高速波束赋形芯片的工作状态，完成数据刷新，实现了对多通道波束赋形芯片快速数据刷新，缩短了系统的反应时间。
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公开(公告)号：CN116505884A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310755848.4
申请日：2023-06-26
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及射频前端技术领域，具体地说，涉及一种宽频带Doherty功率放大器；本发明采用输出匹配网络2b取代四分之一波长传输线，通过调节第一谐振腔与第二谐振腔之间的位置将负载阻抗直接进行阻抗变换；采用宽带补偿网络取代补偿线，并根据第一谐振腔和第二谐振腔的中心位置，调节宽带补偿网络的移相频率点位置，得到在宽频带内高阻抗的辅助放大单元，抑制主放大单元在低功率输出时的功率泄露，提升了Doherty功率放大器的工作带宽。
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公开(公告)号：CN115913138B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310160114.1
申请日：2023-02-24
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
摘要： 本申请提供一种偏置电路、功率放大器和电子设备，所述偏置电路用于向功率放大器提供偏置电流，包括：输入电流支路，与供电电源连接，所述输入电流支路用于根据所述供电电源产生第一电流；输出电流支路，与所述输入电流支路连接，用于根据所述第一电流输出偏置电流；偏置电流补偿单元，与所述输入电流支路及所述供电电源连接，所述偏置电流补偿单元，用于调节所述第一电流，以保证在所述供电电源波动时，所述偏置电流保持不变。通过上述方案，保证功率放大器中的射频晶体管电性能不会因供电电源输入的偏置电压的波动发生较大变化。
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公开(公告)号：CN116187113A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310487052.5
申请日：2023-05-04
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
IPC分类号： G06F30/20 , G06F113/18 , G06F119/08
摘要： 本发明公开了一种基于高倍红外热成像的集成电路芯片热仿真结温校正方法，建立仿真热模型并进行简化，省略掉集成电路结构模型并简化为发热晶体管区域的面积热源；基于仿真热模型导出发热晶体管区域芯片表面温度云图、芯片表面结温值；在测试平台上对芯片进行测试，使用高倍红外热成像仪检测并得到晶体管区域芯片温度场分布，导出集成电路芯片表面温度云图，得到芯片表面结温值；根据上述的芯片表面结温值得到仿真热模型的校正系数K，实现对仿真热模型校正。本发明在产品设计初期即可以得出产品相应工况的结温较高准确值，提高产品散热评估准确性。
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公开(公告)号：CN116054757A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310102899.7
申请日：2023-02-01
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种线性pHEMT功率放大电路及放大器，涉及集成电路技术领域。该线性pHEMT功率放大电路包括输入单元、射频放大单元、输出单元、直流偏置单元以及整流单元，所述直流偏置单元、整流单元和射频放大单元依次连接，所述输入单元的一端与射频放大单元连接，另一端与信号输入端连接，所述射频放大单元的一端与输入单元连接，另一端与第一电源连接，所述输出单元的一端与射频放大单元连接，另一端与信号输出端连接，所述直流偏置单元的一端与第二电源连接，另一端与整流单元连接，所述整流单元的一端与直流偏置单元连接，另一端与射频放大单元连接。本发明实施例使线性pHEMT功率放大器得到了更好的线性特性。
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公开(公告)号：CN115952764A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202310227851.9
申请日：2023-03-10
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
IPC分类号： G06F30/398 , G06F30/392 , G06F119/08
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体地说，涉及一种提高放大器芯片散热性能的晶体管电路及优化方法；首先通过进行初步电路设计，在热模型中设置散热影响要素的参数进行仿真分析，计算出初始的晶体管结温和热源热影响区域范围；然后改变散热影响要素的参数，得到新的晶体管结温；最后对比晶体管结温，判断放大器芯片散热指标是否合格；若不合格，重复调整散热影响要素的参数，直至放大器芯片散热指标合格，得到散热影响要素优化后的参数；实现了放大器芯片晶体管电路结构的优化设计，改善了功率放大器芯片的散热能力，提高了芯片的高温工作性能指标和芯片长期工作的可靠性。
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公开(公告)号：CN115842522A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202310109343.0
申请日：2023-02-14
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及射频前端技术领域，具体地说，涉及一种Doherty功率放大器；在第一功放单元和第二功放单元的基础上增加频率检测单元、补偿单元；通过设置频率检测单元，根据输入的第三信号生成控制信号；通过设置补偿单元，根据控制信号控制射频开关的导通和关断，在第二功放单元未开启状态时，增大第二功放单元的输出阻抗值，抑制所述第一信号的输出功率泄露，明显提升了Doherty功率放大器的工作带宽，通过设置功分单元，将输入信号进行功率分配的同时，根据频率的变化，调节进入第一功放单元支路和第二功放单元支路信号的功率比，补偿由于工作频率变化，第二功放单元输入阻抗随之变化导致的第二功放单元支路增益变化。
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公开(公告)号：CN115693310A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202310011285.8
申请日：2023-01-05
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种同轴微带垂直转换结构，所述电路板上对应设置有信号孔和接地孔，信号孔为非金属化通孔；所述信号孔外围的反焊盘的外围的电路板的顶层上设置有信号孔焊盘、焊锡、同轴微带过渡段、微带线，信号针的端部穿过电路板并通过焊锡与信号孔焊盘的一端连接，所述信号孔焊盘的另一端和同轴微带过渡段的一端连接，所述同轴微带过渡段位于反焊盘上，且同轴微带过渡段的另一端跨越反焊盘并与微带线连接。本发明将信号孔设计为非金属化孔，避免了寄生电容，本发明同时兼顾信号针传输段阻抗匹配问题和在反焊盘内的微带线阻抗失配问题，极大的改善了现有同轴连接器与电路板上的微带线垂直连接转换时存在的阻抗不连续问题和回波损耗较大的问题。
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