透明导电性薄膜的制造方法

    公开(公告)号:CN104750312A

    公开(公告)日:2015-07-01

    申请号:CN201510116669.1

    申请日:2012-08-24

    CPC classification number: H01B13/0036 G06F3/041 G06F2203/04103

    Abstract: 本发明提供透明导电性薄膜的制造方法。课题在于在透明导体层被图案化了的透明导电性薄膜中,即使在将基材的厚度减小至80μm以下时,也可抑止由可看到透明导体层的图案边界导致的美观性降低。本发明的制造方法包括:层叠体准备工序,准备在挠性透明基材上形成有未图案化的透明导体层的层叠体;图案化工序,将一部分透明导体层去除,图案化为在挠性透明基材上具有透明导体层的图案形成部和在挠性透明基材上不具有透明导体层的图案开口部;以及热处理工序,对透明导体层图案化之后的前述层叠体进行加热。优选热处理工序中的、图案形成部的尺寸变化率H1与图案开口部的尺寸变化率H2之差H1-H2的绝对值小于0.03%。

    透明导电性薄膜及触摸面板

    公开(公告)号:CN104484081A

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201410594671.5

    申请日:2010-09-28

    CPC classification number: G06F3/044 G06F3/045

    Abstract: 本发明涉及透明导电层进行了图案化且能够抑制因图案部和图案开口部的正下方之间的反射光的色相的差异导致的外观恶化的透明导电性薄膜,以及使用其的触摸面板。本发明的透明导电性薄膜(10)在透明基材(1)上依次形成有第1透明电介质层(2)及透明导电层(4)。优选的是,在将对图案部(P)照射白色光时的反射光的色相a*值及色相b*值分别设为a*P及b*P、将对图案开口部(O)的正下方照射白色光时的反射光的色相a*值及色相b*值分别设为a*O及b*O时,满足0≤|a*P-a*O|≤4.00的关系,且满足0≤|b*P-b*O|≤5.00的关系,所述图案部与所述图案开口部正下方之间的反射率差的绝对值为0.38%以上且5.38%以下。

    透明导电性薄膜的制造方法

    公开(公告)号:CN104360765A

    公开(公告)日:2015-02-18

    申请号:CN201410594622.1

    申请日:2010-09-28

    CPC classification number: G06F3/044 G06F3/045

    Abstract: 本发明涉及透明导电性薄膜的制造方法,其为在透明基材上依次形成有第1透明电介质层及透明导电层的透明导电性薄膜的制造方法,其具备以下工序:在透明基材上从该透明基材侧开始依次形成第1透明电介质层及透明导电层的工序;利用蚀刻液蚀刻所述透明导电层而进行图案化的工序;和对图案化了的所述透明导电层进行热处理,使该透明导电层结晶化的工序,所述第1透明电介质层由无机物形成,所述透明导电层通过图案化形成有图案部和图案开口部,在将对所述图案部照射白色光时的反射光的色相a*值及色相b*值分别设为a*P及b*P、将对所述图案开口部的正下方照射白色光时的反射光的色相a*值及色相b*值分别设为a*O及b*O时,满足0≤|a*P-a*O|≤4.00的关系,且满足0≤|b*P-b*O|≤5.00的关系。

    透明导电性薄膜及触摸面板

    公开(公告)号:CN102511023A

    公开(公告)日:2012-06-20

    申请号:CN201080042102.X

    申请日:2010-09-28

    CPC classification number: G06F3/044 G06F3/045

    Abstract: 本发明涉及透明导电层进行了图案化且能够抑制因图案部和图案开口部的正下方之间的反射光的色相的差异导致的外观恶化的透明导电性薄膜,以及使用其的触摸面板。本发明的透明导电性薄膜(10)在透明基材(1)上依次形成有第1透明电介质层(2)及透明导电层(4)。优选的是,在将对图案部(P)照射白色光时的反射光的色相a*值及色相b*值分别设为a*P及b*P、将对图案开口部(O)的正下方照射白色光时的反射光的色相a*值及色相b*值分别设为a*O及b*O时,满足0≤|a*P-a*O|≤4.00的关系,且满足0≤|b*P-b*O|≤5.00的关系。

    透明导电性膜
    60.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100460943C

    公开(公告)日:2009-02-11

    申请号:CN200510076019.5

    申请日:2005-06-03

    Abstract: 本发明提供一种透明导电性膜,其包括:透明基体膜;厚度为10-100nm、折光率为1.40-1.80、平均表面粗糙度Ra为0.8-3.0nm和x为1.0-2.0的透明SiOx薄膜;和含有铟-锡复合氧化物、厚度为20-35nm、SnO2/(In2O3+SnO2)比例为3-15wt%的透明导电性薄膜,其中该透明导电性薄膜通过所述透明SiOx薄膜位于所述透明基体膜的一侧。

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