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公开(公告)号:CN104750312A
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:CN201510116669.1
申请日:2012-08-24
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G06F3/041
CPC classification number: H01B13/0036 , G06F3/041 , G06F2203/04103
Abstract: 本发明提供透明导电性薄膜的制造方法。课题在于在透明导体层被图案化了的透明导电性薄膜中,即使在将基材的厚度减小至80μm以下时,也可抑止由可看到透明导体层的图案边界导致的美观性降低。本发明的制造方法包括:层叠体准备工序,准备在挠性透明基材上形成有未图案化的透明导体层的层叠体;图案化工序,将一部分透明导体层去除,图案化为在挠性透明基材上具有透明导体层的图案形成部和在挠性透明基材上不具有透明导体层的图案开口部;以及热处理工序,对透明导体层图案化之后的前述层叠体进行加热。优选热处理工序中的、图案形成部的尺寸变化率H1与图案开口部的尺寸变化率H2之差H1-H2的绝对值小于0.03%。
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公开(公告)号:CN104484081A
公开(公告)日:2015-04-01
申请号:CN201410594671.5
申请日:2010-09-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明涉及透明导电层进行了图案化且能够抑制因图案部和图案开口部的正下方之间的反射光的色相的差异导致的外观恶化的透明导电性薄膜,以及使用其的触摸面板。本发明的透明导电性薄膜(10)在透明基材(1)上依次形成有第1透明电介质层(2)及透明导电层(4)。优选的是,在将对图案部(P)照射白色光时的反射光的色相a*值及色相b*值分别设为a*P及b*P、将对图案开口部(O)的正下方照射白色光时的反射光的色相a*值及色相b*值分别设为a*O及b*O时,满足0≤|a*P-a*O|≤4.00的关系,且满足0≤|b*P-b*O|≤5.00的关系,所述图案部与所述图案开口部正下方之间的反射率差的绝对值为0.38%以上且5.38%以下。
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公开(公告)号:CN104360765A
公开(公告)日:2015-02-18
申请号:CN201410594622.1
申请日:2010-09-28
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G06F3/041
Abstract: 本发明涉及透明导电性薄膜的制造方法,其为在透明基材上依次形成有第1透明电介质层及透明导电层的透明导电性薄膜的制造方法,其具备以下工序:在透明基材上从该透明基材侧开始依次形成第1透明电介质层及透明导电层的工序;利用蚀刻液蚀刻所述透明导电层而进行图案化的工序;和对图案化了的所述透明导电层进行热处理,使该透明导电层结晶化的工序,所述第1透明电介质层由无机物形成,所述透明导电层通过图案化形成有图案部和图案开口部,在将对所述图案部照射白色光时的反射光的色相a*值及色相b*值分别设为a*P及b*P、将对所述图案开口部的正下方照射白色光时的反射光的色相a*值及色相b*值分别设为a*O及b*O时,满足0≤|a*P-a*O|≤4.00的关系,且满足0≤|b*P-b*O|≤5.00的关系。
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公开(公告)号:CN103518239A
公开(公告)日:2014-01-15
申请号:CN201280022847.9
申请日:2012-05-01
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G02F1/13338 , B32B7/02 , B32B7/12 , B32B2307/202 , B32B2457/202 , B32B2457/208 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , Y10T428/24355 , Y10T428/31554 , Y10T428/31565
Abstract: 本发明的透明导电性层叠体的在第一透明树脂薄膜的单面或两面具有覆盖层的覆盖薄膜和在第二透明树脂薄膜的单面具有透明导电体层的透明导电性薄膜以使覆盖薄膜的覆盖层一侧与透明导电性薄膜的不具有透明导电体层的一侧相向的方式,通过粘合剂层而层叠,前述粘合剂层在120℃下的储能模量为80000Pa以下,且前述粘合剂层与覆盖层的粘接力为5~20N/25mm。所述透明导电性层叠体的透明导电体层被图案化,即使在因加热处理而透明导电体层被结晶化的情况下,也能防止由图案化形成的高度差大于设计值而美观性变差的问题。
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公开(公告)号:CN102184754B
公开(公告)日:2013-06-19
申请号:CN201110043079.2
申请日:2008-01-18
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G06F3/044 , G06F3/04886 , H01H2201/028 , H01H2209/082 , H01H2219/012 , H01H2229/016 , H01H2239/006 , Y10T428/24612 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明提供一种透明导电体层已被图案化而且外观良好的透明导电性薄膜。该透明导电性薄膜是在透明的薄膜基材的单面或两面上,经由两层底涂层地具有透明导电体层的透明导电性薄膜,所述透明导电性薄膜的特征在于,所述透明导电体层被图案化,且在不具有所述透明导电体层的非图案部具有至少一层底涂层,经由两层底涂层设置已被图案化的透明导电体层,从透明的薄膜基材开始第一层的底涂层的折射率n为1.5~1.7,从透明的薄膜基材开始第二层的底涂层的折射率n为1.4~1.5。
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公开(公告)号:CN102543267A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201110332529.X
申请日:2011-10-25
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G06F3/044 , G06F3/045 , G06F2203/04103 , Y10T428/24802 , Y10T428/24868 , Y10T428/2495
Abstract: 本发明提供透明导电性薄膜及触摸面板,所述透明导电性薄膜在将透明导电层图案化了的情况下也可以将图案部P和图案开口部O的可视性差异抑制在较小的程度。所述透明导电性薄膜在透明薄膜基材1上依次具备第1电介质层21、第2电介质层22、及透明导电层3,第1电介质层的厚度d21比第2电介质层的厚度d22大,第1电介质层的厚度d21为8~40nm,第2电介质层的厚度d22为3~25nm,第1电介质层的厚度d21与第2电介质层的厚度d22之差d21-d22为3~30nm。
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公开(公告)号:CN102511023A
公开(公告)日:2012-06-20
申请号:CN201080042102.X
申请日:2010-09-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明涉及透明导电层进行了图案化且能够抑制因图案部和图案开口部的正下方之间的反射光的色相的差异导致的外观恶化的透明导电性薄膜,以及使用其的触摸面板。本发明的透明导电性薄膜(10)在透明基材(1)上依次形成有第1透明电介质层(2)及透明导电层(4)。优选的是,在将对图案部(P)照射白色光时的反射光的色相a*值及色相b*值分别设为a*P及b*P、将对图案开口部(O)的正下方照射白色光时的反射光的色相a*值及色相b*值分别设为a*O及b*O时,满足0≤|a*P-a*O|≤4.00的关系,且满足0≤|b*P-b*O|≤5.00的关系。
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公开(公告)号:CN101490768B
公开(公告)日:2012-04-25
申请号:CN200780027394.8
申请日:2007-06-07
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B32B7/02 , B32B5/16 , B32B7/12 , B32B2264/102 , B32B2307/202 , B32B2307/412 , B32B2307/536 , G06F3/0414 , Y10T428/24942 , Y10T428/256 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/269
Abstract: 本发明提供一种透明导电性层叠体,是在透明的薄膜基材的一个面经由电介质薄膜设有透明的导电性薄膜、在透明的薄膜基材的另一个面经由透明的粘合剂层贴合有透明基体的透明导电性层叠体,其特征是,上述透明基体是至少将2张透明的基体薄膜经由透明的粘合剂层层叠的层叠透明基体;上述电介质薄膜由第一透明电介质薄膜和第二透明电介质薄膜形成,所述第一透明电介质薄膜由相对折射率为1.6~1.9的SiOx膜(x为1.5以上且小于2)制成,所述第二透明电介质薄膜由SiO2膜制成。所述透明导电性层叠体的表面压力耐久性出色。
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公开(公告)号:CN101143498B
公开(公告)日:2010-06-02
申请号:CN200710148726.X
申请日:2007-09-06
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G06F3/045 , Y10T428/25 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/31507 , Y10T428/31721 , Y10T428/31725 , Y10T428/31786 , Y10T428/31855
Abstract: 本发明提供一种透明导电性叠层体,其透明的薄膜基材的一面具有透明导电性薄膜、透明的薄膜基材的另一面经由透明的粘合剂层贴合有透明基体,透明导电性薄膜是从透明的薄膜基材侧依次形成由SnO2/(SnO2+In2O3)为2~6重量%的铟·锡复合氧化物构成的第一透明导电性薄膜、和由SnO2/(SnO2+In2O3)超过6重量%、且20重量%以下的铟·锡复合氧化物构成的第二透明导电性薄膜而成,第一透明导电性薄膜的厚度(t1)与第二透明导电性薄膜的厚度(t2)有以下(1)~(3)关系,且第一透明导电性薄膜与第二透明导电性薄膜均为结晶膜,(1)t1=10~30nm、(2)t2=5~20nm、(3)t1+t2=20~35nm,透明基体是经由透明的粘合剂层叠层了至少两张透明的基体薄膜的叠层透明基体。
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公开(公告)号:CN100460943C
公开(公告)日:2009-02-11
申请号:CN200510076019.5
申请日:2005-06-03
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02F1/1333 , H01B5/14 , H05B33/00
Abstract: 本发明提供一种透明导电性膜,其包括:透明基体膜;厚度为10-100nm、折光率为1.40-1.80、平均表面粗糙度Ra为0.8-3.0nm和x为1.0-2.0的透明SiOx薄膜;和含有铟-锡复合氧化物、厚度为20-35nm、SnO2/(In2O3+SnO2)比例为3-15wt%的透明导电性薄膜,其中该透明导电性薄膜通过所述透明SiOx薄膜位于所述透明基体膜的一侧。
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