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公开(公告)号：CN111321383A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010201547.3
申请日：2020-03-20
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种特定非晶态结构钛酸钡(BTO)薄膜材料及制备方法。该薄膜沉积在p型Si基板上，薄膜具有较完整的Ba-Ti-O网络结构但失去BaTiO3晶相的平移对称性，厚度为40nm以下，是一种优异的高介栅绝缘层薄膜材料。该薄膜通过射频磁控溅射法在自然温度下进行去反溅射沉积。首先获得沉积态非晶薄膜，后经过在空气或氮气中较低温度下二步热处理的方法制得。这种特定非晶态结构BTO/p-Si单元可有效形成异质结，其结中的内建电场可通过栅绝缘层(BTO)网络结构中的氧空位浓度调控而调制。基于形成这种高效可调的内建电场，这种方法制备的特定非晶态结构钛酸钡薄膜材料在MOS晶体管等领域将有巨大的应用价值，且本发明的薄膜制备工艺较为简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN109234678A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810866019.2
申请日：2018-08-01
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种铜掺杂钛酸钡/镍锌铁氧体复相薄膜材料及制备方法。该薄膜铜掺杂镍锌铁氧体相和钛酸钡相呈均匀致密分布，其中镍锌铁氧体相沿(111)晶面取向生长。该薄膜通过射频磁控溅射法并通过在溅射源靶材外侧外加带窗口的铜罩同步引入铜掺杂离子，以先获得非晶沉积薄膜，后经过在空气气氛下热处理的方法制得。相比于不掺杂的钛酸钡/镍锌铁氧体复相薄膜，这种制备方法可以获得在复相体系中铁磁相具有(111)取向生长特征的铁电、铁磁两相复合薄膜。这种铁磁相(111)取向生长的铁电、铁磁两相复合薄膜有利于实现高性能磁、电耦合，相对制备工艺较为简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN105203244B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510683154.X
申请日：2015-10-20
申请人： 浙江大学
IPC分类号： G01L5/00
摘要： 本发明公开了一种具有不规则表面微突的电子皮肤，从下往上依次包括衬底、支撑层、压敏感应层、电极层及柔性保护层，柔性保护层边缘通过双面粘性层与衬底粘结，将支撑层、压敏感应层及电极层封装；所述的支撑层表面与压敏感应层表面均具有微突起；该电子皮肤是利用表面微观高度不均一的材料作为模板采用化学溶液法制得。本发明的电子皮肤具有双灵敏度特性，在低压力区域高达909kPa‑1，在高压力区域达到46kPa‑1，其总的压力敏感区间由可达到20kPa以上。本发明的电子皮肤及其制备方法新颖简单，效果显著，性能优异且成本低廉，具有用于机器人领域的巨大潜力和优势。
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公开(公告)号：CN105294093A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510766456.3
申请日：2015-11-11
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种以PBO玻璃相为隔离阻挡层的BTO/NZFO复相陶瓷及其制备方法，该BTO/NZFO复相陶瓷的复合颗粒表面包裹有PBO玻璃相，采用低活性前驱体共烧法制备，步骤为：先用溶胶-凝胶法制备得到BTO/NZFO复合原料粉体，然后将其进行预烧结，再进行去活性烧结，获得已经结晶的具有低反应活性的BTO/NZFO复合粉体。将该复合粉体与PBO玻璃粉混合，进行共烧，得到以PBO玻璃相为隔离阻挡层的BTO/NZFO复相陶瓷。本发明的复相陶瓷具有巨介电常数、较高的磁导率和较低的介电损耗。本发明制备工艺简单，可批量生产，得到的复相陶瓷性能结构稳定、性能优异，有望应用于工业领域。
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公开(公告)号：CN103833342B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410034746.4
申请日：2014-01-24
申请人： 浙江大学
IPC分类号： H01F1/36 , C04B35/26 , C04B35/622
摘要： 本发明公开的复合多共振吸收钛掺杂钡铁氧体吸波材料具有以下同源合成结构特征：xBaTinFe12-nO19+(1-x)BaTimFe12-mO19，x=0.2~0.7，n=0.2~0.6，m=0.4~1.0，m≠n，所掺杂的离子为Ti4+。本发明将具有不同本征参数峰值的材料合成为一个复合体系，形成的吸波系统中各个本征参数具有相应不同的匹配共振频率，从而获得具有多共振吸波特性的复合多共振吸波材料。本发明制备工艺简单，成本低廉，R波段（26.5~40GHz）频率范围内出现多重吸收峰，是一种吸波频段较宽的材料，可广泛应用于相应的电磁防护以及微波隐身领域。
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公开(公告)号：CN103803961B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410037671.5
申请日：2014-01-26
申请人： 浙江大学
IPC分类号： C04B35/26 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种BTO晶相原位隔离NZFO晶粒的高渗流阈值复相陶瓷及制备方法。其组成为（1-x）BaTiO3/xNi0.5Zn0.5Fe2O4，0.9≤x≤0.95，以NZFO晶相为主相，BTO晶相以晶体的形态完全均匀地包裹在NZFO晶粒周围，形成铁电/铁磁两相复合陶瓷。制备方法为：首先，制得BTO/NZFO复合粉体；其次经加压成型，并在低于最高致密化烧结温度下进行烧结，得到BTO/NZFO复合陶瓷；然后，再将烧结温度升高，使含量较少的BTO相完全融化成液态，将NZFO相的晶粒完全分隔开来，接着，再将复相陶瓷快速冷却至室温，将NZFO晶粒间的熔融态BTO固化成玻璃态；最后，将复相陶瓷进行二次退火处理，使玻璃态BTO再结晶。本发明的复相陶瓷，其渗流阈值可达90%以上，同时具有高介电常数、高磁导率和较低的介电损耗、磁损耗。
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公开(公告)号：CN103274424B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201310200685.X
申请日：2013-05-27
申请人： 浙江大学
IPC分类号： C01B33/44
摘要： 本发明公开了一种以0.84nm水合高岭石经两步液相置换法制备的丝氨酸/高岭石插层物及制备方法，该方法为：水合高岭石与乙二醇混合并搅拌反应得到乙二醇/高岭石插层复合物，再取乙二醇/高岭石插层复合物与丝氨酸溶液混合反应得到丝氨酸/高岭石插层复合物。高岭石层间距扩大至d001=1.13nm，插层率可达到35%~75%，丝氨酸在高岭石层间以平行于高岭石片层方式呈单层排列，其羧基与高岭石的内表面羟基形成氢键，氨基与高岭石硅氧层的氧原子形成氢键。本发明制备工艺简单，可批量生产，得到的丝氨酸/高岭石插层复合物可稳定长时间存在。
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公开(公告)号：CN104030667A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410204906.5
申请日：2014-05-15
申请人： 浙江大学
IPC分类号： C04B35/26 , C04B35/622 , C09K3/00
摘要： 本发明公开的锆掺杂钡铁氧体吸波材料，其化学式为BaFe12-xZrxO19，其中x=0.3~0.5，所述锆掺杂钡铁氧体为多晶粉体，钡铁氧体中同时存在Fe3+和Fe2+。其制备步骤包括：将硝酸钡、硝酸铁和硝酸锆混合，加入去离子水溶解成硝酸盐溶液；将EDTA置于去离子水中溶解成EDTA溶液；将硝酸盐溶液加入到EDTA溶液中，经加热、干燥，得干凝胶；将干凝胶烧结得锆掺杂钡铁氧体粉料，再研磨，得到锆掺杂钡铁氧体吸波材料。本发明的吸波材料具有匹配厚度薄且吸波频段宽的特点，可用于吸波涂层，在电磁屏蔽和隐身领域可以有广泛的应用。
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公开(公告)号：CN102701229A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210195865.9
申请日：2012-06-14
申请人： 浙江大学
IPC分类号： C01B33/40
摘要： 本发明公开了一种水合肼-高岭石插层复合物制备0.84nm水合高岭石的方法。将高岭石粉末与水合肼按比例混合搅拌24~48h，得到水合肼-高岭石插层复合物和多余的水合肼的混合物；混合物用无水乙醇离心清洗两次后，得到水合肼-高岭石插层复合物；最后将得到的复合物在40~80℃下热处理8~1h即可得到0.84nm水合高岭石，本发明制备的0.84nm水合高岭石在空气中能够长时间稳定存在，被用来作为制备其他高岭石插层复合物的前驱体。采用的原料对环境无污染，制备工艺简单快速，成本低，易于实现工业化生产。
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公开(公告)号：CN102584217A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210024838.5
申请日：2012-02-06
申请人： 浙江大学
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/26 , C04B35/624 , C03C17/22
摘要： 本发明公开了一种射频磁控溅射制备BaTiO3-Ni0.5Zn0.5Fe2O4铁电铁磁复合陶瓷薄膜及制备方法。先制备含有Ni-Zn-Fe-Ba-Ti源的溶胶前驱体，烘干、热处理后成型并烧结成靶材；然后利用磁控溅射法在ITO/玻璃基板上沉积膜层；在空气气氛下热处理制备得到两相复合陶瓷薄膜。其薄膜既具有铁电性，又具有铁磁性。本发明结合了磁控溅射法具有制备方便，薄膜性能稳定，工艺与传统半导体工艺兼容的优点，又利用溶胶凝胶方法可以达到相当高的均匀性的特点，综合控制在一个均匀系统中原位形成两相并保持了两相各自的铁电性和铁磁性。本发明可以在磁电传感器、四态存储器及抗电磁干扰（EMI）器件等微电子器件领域得到应用。
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