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公开(公告)号：CN115332400B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202210960225.6
申请日：2022-08-11
Applicant: 福州大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种基于临时键合技术的Micro‑LED芯片结构的制备方法，包括以下步骤：步骤S1:在图形转移工艺前，将减薄后的蓝光/绿光外延片晶圆键合至临时衬底形成临时键合片；步骤S2:在临时键合片上制备独立的Micro‑LED芯片结构；步骤S3:在Micro‑LED芯片结构上设置结构保护层；步骤S4:剥离临时衬底，并清除减薄后的蓝光/绿光外延片衬底表面临时键合残留物；步骤S5:划裂减薄后的蓝光/绿光外延片为单颗Micro‑LED芯片，并剥离结构保护层。本发明有效的保护了Micro‑LED芯片结构的完整行，极大提升Micro‑LED芯片制备良率。
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公开(公告)号：CN111834389B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202010535556.6
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种μLED显示器件检测及修复方法，μLED显示器件阵列设置k个μLED像素，每个像素包含ni个芯片，以形成至少mi个发光体；μLED显示器件检测及修复包括以下步骤：S1）采用直接电学接触电流注入的逐点扫描或无直接电学接触的电场驱动方式对芯片进行驱动发光；S2）通过逐点扫描或拍摄处理发光图片获得不良像素的行列地址；S3）根据不良像素的行列地址进行寻址，采用非Au‑In互连方法在相应位置的芯片电极的备用区域与驱动背板对应电极的备用区域进行原位修复；S4）重复S1‑S3，直至良品率达到预期良率。该方法降低了μLED显示器件的制作难度、制作周期和制作成本，提高了μLED显示器件的良品率。
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公开(公告)号：CN117637934A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311672065.6
申请日：2023-12-07
Applicant: 福州大学 , 福建阿石创新材料股份有限公司 , 常州苏晶电子材料有限公司 , 福建兆元光电有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供了一种通过湿法腐蚀或机械剥离超大金属衬底制备GaN Micro‑LED的方法，包括以下步骤：步骤一、采用难熔金属作为超大衬底，对衬底表面进行抛光及清洗；步骤二、在衬底上制备缓冲层；步骤三、在缓冲层上生长氮化镓基Micro‑LED外延层，所述氮化镓基Micro‑LED外延层由下至上依次包括u型氮化镓、n型氮化镓、有源层和p型氮化镓层；步骤四、利用湿法腐蚀或者机械法将衬底剥离。应用本技术方案可提高转移良率和衬底的利用效率，并且降低成本。
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公开(公告)号：CN117334715A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311393430.X
申请日：2023-10-25
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种超高分辨率Micro‑LED显示阵列的制备方法。包括：依次在衬底上生长N‑GaN层、多量子阱层、P型GaN层、ITO透明电极；采用电子束光刻、变参量光刻或纳米压印等方法在ITO透明电极表面制备光刻胶阵列；继续利用电镀工艺制备焊料金属阵列；然后沉积离子注入保护层并进行图案化形成离子注入保护层阵列；最后采用离子注入工艺实现电学隔离效果以形成最后的超高分辨率Micro‑LED显示像元。本发明提供了一种只需要一步光刻便可实现超高分辨率Micro‑LED显示像元的制备方法，简化了制备工艺流程，可以避免复杂光刻对位及套刻工艺中积累的误差，并且利用离子注入来实现像素隔离，可以降低刻蚀工艺中会产生的边缘效应和尺寸效应，极大程度上实现器件发光单元之间的电学隔离。
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公开(公告)号：CN111834390B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202010535701.0
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种全彩化三极发光管显示器件及制造方法，包括缓冲层、设置于缓冲层上的第一半导体层、以及设置于第一半导体层上的第一接触电极、用以显示红光的R单元、用以显示绿光的G单元和用于显示蓝光的B单元。在所述第一接触电极和R单元、G单元、B单元中的第二接触电极之间分别施加一个小功率可变输入信号，在所述第一接触电极和R单元、G单元、B单元中的第三接触电极之间分别施加一个正向偏置电压，使得R单元、G单元和B单元发光。本发明可以实现用小功率输入信号驱动发光芯片发光而激发色彩转换层，从而实现全彩化显示。
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公开(公告)号：CN114141916B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202111401694.6
申请日：2021-11-24
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种纳米尺寸LED芯片阵列及其制备方法，在衬底上依次外延生长N型氮化镓层、量子阱有源层以及P型氮化镓层；在P型氮化镓层上图案化制作金属对该区域P型氮化镓中的掺杂物与氢形成的络合物起一定的作用，使氢从中解吸，以激活该区域；利用离子注入在除金属激活区域以外的区域形成高阻值区域；在高阻值区域上覆盖二氧化硅；分别在金属激活的P型氮化镓区域和N型氮化镓形成P型电极和N型电极。本发明技术方案采用离子注入形成电气隔离可以有效避免传统ICP刻蚀中的侧壁损伤问题和后续金属爬坡易断裂问题，并利用金属激活进一步提高激活区域的光电性能。
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公开(公告)号：CN114913783A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210585236.0
申请日：2022-05-27
Applicant: 福州大学
IPC: G09F9/33 , H01L25/075
Abstract: 本发明涉及一种减少微米级LED背光源芯片数量的方法，对微米级LED芯片按多边形进行阵列排列，所述微米级LED芯片包括上部设有凹形微透镜的顶点LED芯片和上部设有凸形微透镜的中心点LED芯片，在多边形顶点设置发光角度大的顶点LED芯片，在多边形中心点设置中心区域亮度高的中心点LED芯片，以在确保发光亮度的同时拉大芯片排列间距。该方法有利于在确保发光亮度和均匀性的情况下，减少微米级LED背光源芯片的数量。
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公开(公告)号：CN111834505B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202010536568.0
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种基于波长下转换的三极发光管，包括从下至上依次设置的衬底、缓冲层、三极管、发光芯片和色彩转换层；所述三极管包括从下至上依次设置的第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层，还包括从第一半导体层引出的第一接触电极和从第二半导体层内引出的第二接触电极；所述发光芯片包括从下至上依次设置第三半导体层、发光层和第四半导体层，以及从第四半导体层内引出的第三接触电极；所述色彩转换层包括从下至上依次设置光转换层和分布式布拉格反射层。本发明对输入信号功率放大，实现小功率输入信号驱动发光芯片激发色彩转换层而实现色彩转换；同时，有效降低发光器件的驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。
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公开(公告)号：CN110690246B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201910982274.8
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种非直接电学接触取向有序nLED发光显示器件，其特征在于，包括从上到下依次设置的上驱动电极基板，上驱动电极、纳米LED晶粒片、下驱动电极和下驱动电极基板；还设置有交流驱动控制模块，所述交流驱动控制模块两端分别连接上驱动电极和下驱动电极；所述纳米LED晶粒片由若干个纳米LED晶粒有序排列而成，保证放置于电极基板间时，每个纳米LED晶粒的发光层与电极基板平行，与电场方向垂直；所述上驱动电极和下驱动电极至少有一个与纳米LED晶粒之间通过绝缘介质层隔离，在交变驱动信号下，通过电磁耦合实现对所述纳米LED晶粒的点亮。本发明采用非直接电学接触方法实现有序nLED发光显示，可免去微米和纳米级LED巨量转移工艺，有效地降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN113467135A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110673338.3
申请日：2021-06-17
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1341 , G02F1/1339 , G02F1/1337
Abstract: 本发明涉及一种用于光场成像的双层液晶透镜及方法，包括从上至下依次设置的第一控制层、第二控制层和第三控制层；所述第一控制层和第二控制层之间设置有第一液晶层；所述第二控制层和第三控制层之间设置有第二液晶层；所述双层液晶透镜还设有第一驱动模块和第二驱动模块；所述所述第一驱动模块一端连接第一控制层、另一端连接第二控制层；所述第二驱动模块一端连接第二控制层、另一端连接第三控制层。本发明制作工艺简单，可自由切换标准光场成像和聚焦光场成像的两种模式，同时能提高光场成像系统的景深。
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