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公开(公告)号：CN115873598B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202211580428.9
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有纳米立方体结构的PN结ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱光电材料及其制备方法，在立方形ZnS种子的基础上，通过热注入法和两步法合成ZnS/Cu2Se/ZnS立方体量子阱结构，最终形成的是由ZnS核和外壳包覆Cu2Se中间层的立方体结构。通过制备有机前驱体、热注入法、高温合成与退火、纯化等工艺，制备出立方体结构ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱材料。本发明运用热注入法和两步法制备具有立方体结构ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱材料，实施简易，便于控制，该材料在能带上具有Ⅰ型结构，所以拥有高的量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，在量子点的照明、显示等材料领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN116685159A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310749107.5
申请日：2023-06-25
Applicant: 福州大学
IPC: H10K50/115 , H10K50/15 , H10K50/17 , H10K50/85 , H10K71/00
Abstract: 本发明提出一种表面等离子共振增强超高分辨QLED器件及其制备方法，制备完成的QLED器件结构包括：ITO玻璃基板（6）、空穴注入层（5）、空穴传输层（4）、量子点发光层（3）、电子传输层（2）和金属阴极（1），其中，空穴注入层（5）、空穴传输层（4）、量子点发光层（3）设置在由绝缘聚合物与嵌入其中具有表面等离子增强效应的纳米颗粒组成的图形化像素阻隔层（7）的孔隙中。本发明通过将功能层涂布在像素阻隔层的孔隙中构建发光单元，实现高分辨图案化像素阵列。嵌入在绝缘聚合物层中的纳米颗粒与量子点无接触，产生强的表面等离子共振增强荧光效应，从而提升器件的发光效率、寿命以及稳定性。
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公开(公告)号：CN115172638A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210781660.2
申请日：2022-07-05
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种转印图案化自组装绝缘材料制备微纳QLED的方法，在透明导电衬底的ITO层上依次沉积空穴注入层、空穴传输层和图案化绝缘材料、发光层、电子传输层、金属阴极，所述图案化绝缘材料的制备方法为：先制备带图案化柱状的PDMS印章；再将起固定在亚相表面上，并放置玻璃基板，通过LB膜拉膜机自组装生成图案化的绝缘材料LB膜；并提出水面，对其进行80℃退火；最后将含有图案化绝缘材料的玻璃基板贴合到空穴传输层上，依次按压、分离，使图案化的绝缘材料被转印到空穴传输层上。该方法可以使QLED器件的像素尺寸缩小至微纳级别，从而获得高亮度、高PPI的显示像素单元。
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公开(公告)号：CN113540372B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202110675293.3
申请日：2021-06-18
Abstract: 本发明提出一种基于LS技术的叠层白光QLED及制备方法，其提供的叠层白光QLED包括基板、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、三色量子点发光层、电子传输层以及阴极层。本发明所制备的叠层白光QLED，可以直接通过LS技术直接将三种不同颜色的量子点薄膜转移到器件上，并且没有溶剂的参与，无需在红、绿、蓝三色量子点发光层之间添加缓冲层，节省工艺流程，实现低开启电压的叠层白光QLED。
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公开(公告)号：CN113937244A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111005348.6
申请日：2021-08-30
Abstract: 本发明提出一种转印图案化电极制备微米LED的方法，所述方法中，先制备带图案凹槽的PDMS印章，再通过PDMS印章在PET面上印制图案形状的PVA图形，然后以印制出的PVA图形制备图案化的电极，在图案化的电极上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、量子点薄膜、电子传输层、金属阴极；本发明所述方法可以使QLED器件的像素尺寸缩小至微米级别，从而获得高亮度、高PPI的显示像素单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113937242A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110984773.8
申请日：2021-08-26
Abstract: 本发明涉及一种超精细化量子点薄膜及其高分辨QLED制备方法。首先通过光刻方法制备像素bank结构的模板。此外，量子点薄膜通过自组装的方法在PDMS印章上形成。再将上述的PDMS印章和像素bank结构的模板接触并进行加热。PDMS印章在80℃加热过程中粘性减弱，导致所接触部分的量子点被像素bank模板带走，剩余的量子点构成超精细的像素图案。最后将上述的PDMS印章贴合到空穴传输层上，依次按压、分离PDMS印章，使超精细像素化的量子点薄膜被转印到空穴传输层上。这里采用的构图技术使量子点薄膜有着超精细的像素点且制备的像素点均匀。最终使QLED器件的像素尺寸可缩小至几微米甚至微米以下，从而获得高亮度的超高分辨率显示像素单元，可应用下一代显示。
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公开(公告)号：CN113707835A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110973186.9
申请日：2021-08-24
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种纳米压印图案化量子点LED制备方法，其特征在于：通过使用带有凹陷图案的PDMS印章压印的方法在LED中制备一层图案化的绝缘材料，阻挡该部分的载流子注入，以实现与印章图案一致的图案化发光。该方法通过使用带有图案化的印章制作相应的发光图案，所制作的单像素尺寸可达纳米级别，从而获得高分辨率的EL器件，制备流程简单，可重复性较高，且印章可重复使用，适用于大量生产。
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公开(公告)号：CN112701230B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202011538453.1
申请日：2020-12-23
Abstract: 本发明属于电子传输层QLED制备技术领域，具体涉及一种干法转移ZnO纳米薄膜制备钙钛矿QLED电子传输层的方法。先在辅助衬底上制备一层ZnO纳米薄膜，然后将预先制备的粘性弹性体PDMS贴合在ZnO薄膜上，利用弹性体PDMS的粘性吸附ZnO纳米薄膜，将PDMS/ZnO与辅助衬底分离。然后进行退火使PDMS印章粘性减弱，将PDMS/ZnO贴合到钙钛矿量子点发光层上并按压，ZnO纳米颗粒被转移至钙钛矿层上，最后将PDMS印章与ZnO层分离。本发明通过PDMS印章转移ZnO纳米薄膜至钙钛矿量子点发光层上作为电子传输层，不仅可以构建完美的异质界面，还可避免溶液加法中溶剂作用或真空工艺的热效应对钙钛矿量子点发光层的破坏。
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公开(公告)号：CN113540372A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110675293.3
申请日：2021-06-18
Abstract: 本发明提出一种基于LS技术的叠层白光QLED及制备方法，其提供的叠层白光QLED包括基板、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、三色量子点发光层、电子传输层以及阴极层。本发明所制备的叠层白光QLED，可以直接通过LS技术直接将三种不同颜色的量子点薄膜转移到器件上，并且没有溶剂的参与，无需在红、绿、蓝三色量子点发光层之间添加缓冲层，节省工艺流程，实现低开启电压的叠层白光QLED。
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公开(公告)号：CN108557837B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201810061817.8
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有垂直孔道的SBA‑15多孔薄膜的制备方法，其以P123、SDS和C16TMAB混合作为三元表面活性剂，以酸化硅酸钠作为硅源，将两者混合制备模板溶液后，利用简单的旋涂成膜工艺技术，在硅片衬底上制备薄膜层，再通过干燥、焙烧除去其中的三元表面活性剂后，经水热处理制得具有垂直孔道的SBA‑15多孔薄膜。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，所得具有垂直结构的SBA‑15薄膜能够应用于光电器件和锂电池方面的制备。
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