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公开(公告)号:CN108557837B
公开(公告)日:2021-09-28
申请号:CN201810061817.8
申请日:2018-01-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有垂直孔道的SBA‑15多孔薄膜的制备方法,其以P123、SDS和C16TMAB混合作为三元表面活性剂,以酸化硅酸钠作为硅源,将两者混合制备模板溶液后,利用简单的旋涂成膜工艺技术,在硅片衬底上制备薄膜层,再通过干燥、焙烧除去其中的三元表面活性剂后,经水热处理制得具有垂直孔道的SBA‑15多孔薄膜。本发明制备方法新颖,制作成本低,制备工艺简单,所得具有垂直结构的SBA‑15薄膜能够应用于光电器件和锂电池方面的制备。
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公开(公告)号:CN108102643B
公开(公告)日:2019-07-09
申请号:CN201810061802.1
申请日:2018-01-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于垂直孔道SBA‑15限域的量子点发光薄膜的制备方法。其先制备具有垂直孔道的SBA‑15多孔薄膜,随后再以其为模板,通过旋涂的方式灌入量子点前驱体溶液,使量子点在SBA‑15薄膜的垂直孔道中形成,再在其表面旋涂一层高分子聚合物进行封装,从而形成所述基于垂直孔道SBA‑15限域的量子点发光薄膜。本发明制备方法新颖,制作成本低,制备工艺简单,其通过SBA‑15的孔道限域作用,可使形成的量子点具有粒径均一、单色性好等优势。
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公开(公告)号:CN108557837A
公开(公告)日:2018-09-21
申请号:CN201810061817.8
申请日:2018-01-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有垂直孔道的SBA-15多孔薄膜的制备方法,其以P123、SDS和C16TMAB混合作为三元表面活性剂,以酸化硅酸钠作为硅源,将两者混合制备模板溶液后,利用简单的旋涂成膜工艺技术,在硅片衬底上制备薄膜层,再通过干燥、焙烧除去其中的三元表面活性剂后,经水热处理制得具有垂直孔道的SBA-15多孔薄膜。本发明制备方法新颖,制作成本低,制备工艺简单,所得具有垂直结构的SBA-15薄膜能够应用于光电器件和锂电池方面的制备。
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公开(公告)号:CN108102643A
公开(公告)日:2018-06-01
申请号:CN201810061802.1
申请日:2018-01-23
Applicant: 福州大学
CPC classification number: C09K11/025 , B29C41/04 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C09K11/664 , C09K11/883
Abstract: 本发明公开了一种基于垂直孔道SBA‑15限域的量子点发光薄膜的制备方法。其先制备具有垂直孔道的SBA‑15多孔薄膜,随后再以其为模板,通过旋涂的方式灌入量子点前驱体溶液,使量子点在SBA‑15薄膜的垂直孔道中形成,再在其表面旋涂一层高分子聚合物进行封装,从而形成所述基于垂直孔道SBA‑15限域的量子点发光薄膜。本发明制备方法新颖,制作成本低,制备工艺简单,其通过SBA‑15的孔道限域作用,可使形成的量子点具有粒径均一、单色性好等优势。
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公开(公告)号:CN108254817B
公开(公告)日:2019-08-09
申请号:CN201810061244.9
申请日:2018-01-23
Applicant: 福州大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明涉及一种金/SiO2壳核微结构与二硫化钼复合光学膜的制备方法,利用简单的旋涂成膜工艺技术,在硅基衬底上,以金核作为等离子激元增强中心,以SiO2壳作为隔离层,旋涂形成金/SiO2壳核微结构与二硫化钼复合光学层,再通过有机物旋涂、封装工艺,最终制备出金/SiO2壳核微结构与二硫化钼复合光学薄膜。本发明制备方法新颖,制备工艺简单,其中,利用金/SiO2壳核结构复合纳米微粒在外界电场作用下等离子体激元增强效应,改变其下面二硫化钼薄膜周围电场分布和强度,从而获得很好的表面增强拉曼散射,表现出可靠的重复性和很好的稳定性。同时,这种结构还有很灵敏的侦测能力。
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公开(公告)号:CN108254817A
公开(公告)日:2018-07-06
申请号:CN201810061244.9
申请日:2018-01-23
Applicant: 福州大学
IPC: G02B5/00
CPC classification number: G02B5/008
Abstract: 本发明涉及一种金/SiO2壳核微结构与二硫化钼复合光学膜的制备方法,利用简单的旋涂成膜工艺技术,在硅基衬底上,以金核作为等离子激元增强中心,以SiO2壳作为隔离层,旋涂形成金/SiO2壳核微结构与二硫化钼复合光学层,再通过有机物旋涂、封装工艺,最终制备出金/SiO2壳核微结构与二硫化钼复合光学薄膜。本发明制备方法新颖,制备工艺简单,其中,利用金/SiO2壳核结构复合纳米微粒在外界电场作用下等离子体激元增强效应,改变其下面二硫化钼薄膜周围电场分布和强度,从而获得很好的表面增强拉曼散射,表现出可靠的重复性和很好的稳定性。同时,这种结构还有很灵敏的侦测能力。
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公开(公告)号:CN108192619A
公开(公告)日:2018-06-22
申请号:CN201810063711.1
申请日:2018-01-23
Applicant: 福州大学
CPC classification number: C09K11/883 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09K11/02
Abstract: 本发明涉及一种金/SiO2核壳微结构与半导体量子点复合量子点发光薄膜的制备方法,利用简单的旋涂成膜工艺技术,在ITO玻璃衬底上,以金核作为等离子激元增强中心,以SiO2壳作为隔离层,以CdSe半导体量子点作为光致发光中心、旋涂形成金/SiO2核壳微结构与半导体量子点复合发光层,再通过有机物旋涂、封装工艺,最终制备出金/SiO2核壳微结构与半导体量子点复合发光薄膜。本发明制备方法新颖,制作成本低,制备工艺简单。其中,利用金/SiO2壳核结构纳米颗粒在外界电场作用下等离子体激元增强效应,改变其下面半导体量子点周围电场分布和强度,最终提升半导体量子点薄膜的发光性能。
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公开(公告)号:CN108232042A
公开(公告)日:2018-06-29
申请号:CN201810065630.5
申请日:2018-01-23
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L51/56 , H01L51/0003 , H01L51/502
Abstract: 本发明涉及一种贵金属/SiO2复合粒子与半导体量子点混合量子点发光二极管器件的制备方法。利用简单的旋涂成膜工艺技术,在图案化的ITO玻璃衬底上,分别旋涂空穴注入层PEDOT:PSS、空穴传输层、贵金属/SiO2复合粒子‑半导体量子点混合量子点层、电子传输层,再通过磁控溅射蒸镀电极以及封装工艺,最终制备出贵金属/SiO2复合粒子与半导体量子点混合量子点发光二极管器件。利用金属等离子体激元增强效应提升半导体量子点周围的电场强度,从而有效提升在电致发光发光层载流子复合的利用效率,使得半导体量子点电致发光强度和发光效率剧增。
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公开(公告)号:CN108130085A
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201810063616.1
申请日:2018-01-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种贵金属/SiO2复合粒子-半导体量子点叠层量子点发光薄膜。在ITO玻璃衬底上,组装单层金属纳米颗粒核作为等离子激元增强中心,并在金属纳米颗粒外包SiO2壳作为隔离层;以CuInS/ZnS量子点半导体量子点作为光致发光中心。利用旋涂工艺制备贵金属/SiO2复合粒子-半导体量子点叠层量子点发光薄膜,最后通过有机物旋涂、封装工艺,最终制备出所述量子点发光薄膜。本发明制备方法新颖,制作成本低,制备工艺简单,本发明制备方法新颖,制作成本低,制备工艺简单,成为最有可能提高半导体量子点处光场强度,提升激发光利用效率,从而最终提升半导体量子点发光光学膜整体发光性能的最有效方法。
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