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公开(公告)号：CN105000529B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201510353479.1
申请日：2015-06-24
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本发明涉及一种基于MEMS工艺的多压力形式压力传感器芯片及其制备方法，所述压力传感器芯片在制备过程由表面微机械加工工艺决定产品量程，对于相同的表面工艺，可选择是否需要后工序，以分别制作密封表压、表压和绝压压力传感器芯片；对于高量程产品，芯片尺寸可以做到0.6mm；压敏电阻采用多晶硅电阻，具有低温漂和耐高温特性；敏感膜上设计质量块，可防止释放粘连现象，同时可提高压力传感器过载能力，质量块位于压敏电阻应力匹配区域，可提高压力传感器灵敏度和线性度。本发明涉及的基于MEMS工艺的压力传感器芯片工艺简单、芯片尺寸小、成本低、生产效率高、温度特性好、耐静电击穿能力强、可用于各种耐高温领域。
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公开(公告)号：CN104280186B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201410508124.0
申请日：2011-11-23
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本发明涉及一种温漂自补偿SOI压力传感器的制备方法及补偿方法，其包括SOI衬底，所述SOI衬底上设有用于配置成惠斯通电桥的桥路电阻，且SOI衬底对应设置桥路电阻的表面设置用于对惠斯通电桥进行温度补偿的补偿电阻，所述补偿电阻及桥路电阻上设置电连接的互连引线；桥路电阻及补偿电阻间通过绝缘隔离层及钝化层相隔离，绝缘隔离层覆盖于SOI衬底上，钝化层覆盖于绝缘隔离层上；刻蚀对应于设置桥路电阻另一侧的SOI衬底以形成压力腔及压力敏感膜，所述压力腔及压力敏感膜位于桥路电阻的正下方。本发明结构紧凑，实现温漂自补偿，降低成本，稳定性高，一致性好，适合批量生产，适应范围广，安全可靠。
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公开(公告)号：CN104280186A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410508124.0
申请日：2011-11-23
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本发明涉及一种温漂自补偿SOI压力传感器的制备方法及补偿方法，其包括SOI衬底，所述SOI衬底上设有用于配置成惠斯通电桥的桥路电阻，且SOI衬底对应设置桥路电阻的表面设置用于对惠斯通电桥进行温度补偿的补偿电阻，所述补偿电阻及桥路电阻上设置电连接的互连引线；桥路电阻及补偿电阻间通过绝缘隔离层及钝化层相隔离，绝缘隔离层覆盖于SOI衬底上，钝化层覆盖于绝缘隔离层上；刻蚀对应于设置桥路电阻另一侧的SOI衬底以形成压力腔及压力敏感膜，所述压力腔及压力敏感膜位于桥路电阻的正下方。本发明结构紧凑，实现温漂自补偿，降低成本，稳定性高，一致性好，适合批量生产，适应范围广，安全可靠。
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公开(公告)号：CN118555892A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410926556.7
申请日：2024-07-11
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明涉及适于多向检测且便于封装的流量传感器芯片的制备方法。包括制作中心热源结构、上游热电堆下层热电偶和下游热电堆下层热电偶；制作上游热电堆上层热电偶和下游热电堆上层热电偶；通过光刻在芯片表面分别形成冷结区通孔和热结区通孔，中心热源结构呈十字型镂空结构；第一上游热电堆测温正电极、第一上游热电堆测温负电极、第二上游热电堆测温正电极、第二上游热电堆测温负电极、第一下游热电堆测温正电极、第一下游热电堆测温负电极、第二下游热电堆测温正电极、第二下游热电堆测温负电极、中心热源加热正电极和中心热源加热负电极呈同一直线排布。克服了流量传感器了封装难度大且无法对多个流入方向的气体进行检测的问题。
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公开(公告)号：CN118495465A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410914192.0
申请日：2024-07-09
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种四分区自检测流量传感器芯片的制备方法。包括提供衬底；制作支撑结构层；制作一层铂薄膜电阻层，对铂薄膜电阻层光刻图形化后形成中心热源结构，中心热源结构呈十字结构；制作上游测温元件热电堆和下游测温元件热电堆；通过等离子体增强化学气相沉积法在芯片顶面沉积一层钝化层；在钝化层表面制作一层只覆盖在芯片的中心热端位置上方的遮光隔热层；通过等离子体增强化学气相沉积法在衬底背面沉积一层阻挡层；通过深硅刻蚀对衬底进行背面刻蚀，将芯片的中心热端位置进行释放，形成背面释放腔，背面释放腔贯穿于阻挡层并延伸至支撑结构层。本发明克服了不适于多方向的气体流入的流量监测且热量容易向外扩散的问题。
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公开(公告)号：CN115493715B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202110683029.4
申请日：2021-06-18
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本发明公开了一种耐高温型温度传感器，包括安装座，所述安装座的上端固定连接有固定箱，所述安装座内插设有安装套管，所述安装套管的两端内侧壁之间共同固定连接有固定板，所述固定板内滑动连接有传感针头，所述传感针头的上端固定连接有第一热敏感组件。本发明还提出了一种耐高温型温度传感器的芯片制造工艺，包括以下制备步骤：S1、原料切片；S2、晶圆涂膜；S3、晶圆光刻显影、蚀刻；S4、离子注入；S5、晶圆测试，本发明通过设置降温机构，实现对芯片主体的表面进行降温，通过设置连接机构，实现可对安装套管进行便捷的拆卸，通过设置单向进液阀以及单向出液阀，实现自动添加冷却液，提高装置实用性。
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公开(公告)号：CN118102841B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410502640.6
申请日：2024-04-25
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种量程可调的流量芯片的制作工艺。本发明包括提供衬底；制作支撑结构层；沉积第一绝缘层；形成N型多晶硅半导体层；形成下层热电堆以及至少一组中心热源，下层热电堆包括上游测温元件热电堆下层热电偶和下游测温元件热电堆下层热电偶，每组中心热源包括沿横向依次设置的上游加热元件热源热电偶、中心加热元件热源热电偶和下游加热元件热源热电偶；沉积一层第二绝缘层；形成P型多晶硅半导体层；形成上层热电堆；沉积一层第三绝缘层；形成连接导线结构；沉积一层钝化层。本发明实现了不同量程的流量测量。
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公开(公告)号：CN115183918B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210853844.5
申请日：2022-07-20
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种适用于MEMS压力传感器的带温补电桥平衡结构，其可以调节零点电压和满量程电压，实现温度补偿，提高了MEMS压力传感器的测量精度，同时简化了电桥结构，降低了生产工艺成本并提高了可靠性，其包括由第一压敏电阻R1、第二压敏电阻R2、第三压敏电阻R3、第四压敏电阻R4构成的惠斯通电桥，其特征在于：所述惠斯通电桥与地GND之间串联有第一限幅电阻R；所述第四压敏电阻R4的两端并联有第一调零电阻Ro‑，或者所述第一压敏电阻R1的两端并联有第二调零电阻Ro+。
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公开(公告)号：CN118125372A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410291659.0
申请日：2024-03-14
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本发明涉及压力传感器封装技术领域，用于解决芯片在封装过程中容易出现偏移导致性能缺失，以及在注胶过程中会出现漏胶的问题，具体为利用MEMS技术实现高精度压力传感器加工的封装工艺，本发明是利用导电滚轮与不同阻值的电阻片接触，进而实现控制电流的大小，改变电磁体的磁吸能力，随着电磁体的磁吸能力变强，吸引永磁体进行移动，并通过一系列结构带动其下方设置的夹板对芯片进行夹持，使芯片的位置得到纠正，确保芯片的放置位置准确，待芯片位置得到校准后，通过微型电动推杆带动垫块下移并抵紧在芯片的顶部，有效减少胶水的流动易造成芯片的推动和移动的问题发生，进一步确保芯片封装的位置准确，使封装后的芯片性能得到保障。
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公开(公告)号：CN118102841A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410502640.6
申请日：2024-04-25
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种量程可调的流量芯片的制作工艺。本发明包括提供衬底；制作支撑结构层；沉积第一绝缘层；形成N型多晶硅半导体层；形成下层热电堆以及至少一组中心热源，下层热电堆包括上游测温元件热电堆下层热电偶和下游测温元件热电堆下层热电偶，每组中心热源包括沿横向依次设置的上游加热元件热源热电偶、中心加热元件热源热电偶和下游加热元件热源热电偶；沉积一层第二绝缘层；形成P型多晶硅半导体层；形成上层热电堆；沉积一层第三绝缘层；形成连接导线结构；沉积一层钝化层。本发明实现了不同量程的流量测量。
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