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公开(公告)号:CN104866000A
公开(公告)日:2015-08-26
申请号:CN201510133061.X
申请日:2015-02-17
申请人: ABB有限公司
发明人: J-P·基蒂拉
IPC分类号: G05F1/56
CPC分类号: H03K17/567 , H03K17/0812 , H03K17/14 , H03K17/162 , H03K17/168
摘要: 提供一种具有稳压器的栅极驱动电路及方法。本发明涉及包括用于产生到IGBT晶体管的栅极(X4)的双极性电压的装置(V2、V3)以及用于补偿IGBT晶体管的米勒电流的装置(V1、C3)的栅极驱动电路。根据本发明,用于补偿的装置(V1、C3)由在栅极(X4)和电源电压(10)之间的与电容器(C3)串联连接的开关元件(V1)所形成。
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公开(公告)号:CN104854786A
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201280077512.7
申请日:2012-12-04
申请人: 奥的斯电梯公司
IPC分类号: H02M7/483
CPC分类号: H02M3/33507 , H02M1/08 , H02M3/07 , H02M7/487 , H02M2001/0006 , H03K17/567 , H03K2217/0081
摘要: 一种中性点钳位式多级电平转换器包括:DC电压链路,其具有正轨道和负轨道;耦接到AC节点的相支线,所述相支线具有串联在所述负轨道和所述AC节点之间的第一开关和第二开关,所述相支线具有串联在所述正轨道和所述AC节点之间的第三开关和第四开关;以及栅极驱动电源,其具有电荷泵区段,所述电荷泵区段生成用于所述第一开关的第一栅极驱动电压和用于所述第二开关的第二栅极驱动电压。
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公开(公告)号:CN104756390A
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:CN201380055729.2
申请日:2013-09-20
申请人: TM4股份有限公司
CPC分类号: H02M7/537 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H02M7/003 , H03K17/0828 , H03K17/567
摘要: 用于受控电源开关模块的本拓扑涉及一种模块,其中,优化顶部电源开关的发射极的寄生电感,以允许作为反馈在该顶部电源开关的栅极驱动电路中的这个寄生电感上注入过压的采样,以在大于预定值的过压期间将下降的栅极电压的斜率变缓。
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公开(公告)号:CN102754206B
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:CN201180009225.8
申请日:2011-02-02
申请人: 特兰斯夫公司
CPC分类号: H01L27/0883 , H01L21/8258 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/642 , H01L23/647 , H01L25/165 , H01L25/18 , H01L27/0605 , H01L2224/48137 , H01L2224/48195 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H03K17/567 , H01L2924/00
摘要: 一种电子部件,其包括都包封在单个封装体中的高压耗尽型晶体管和低压增强型晶体管。所述高压耗尽型晶体管的源电极电连接到所述低压增强型晶体管的漏电极,所述高压耗尽型晶体管的漏电极电连接到所述单个封装体的漏引线,所述低压增强型晶体管的栅电极电连接到所述单个封装体的栅引线,所述高压耗尽型晶体管的栅电极电连接到所述单个封装体的附加引线,且所述低压增强型晶体管的源电极电连接到所述单个封装体的导电的结构部分。
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公开(公告)号:CN104716815A
公开(公告)日:2015-06-17
申请号:CN201310694494.3
申请日:2013-12-16
申请人: 台达电子企业管理(上海)有限公司
CPC分类号: H01L27/0605 , H01L27/085 , H01L29/808 , H02M1/08 , H02M1/36 , H02M3/156 , H02M3/1588 , H02M7/5387 , H02M2001/0058 , H03K17/102 , H03K17/107 , H03K17/567 , H03K17/74 , H03K2017/6875 , Y02B70/1466 , Y02B70/1491
摘要: 一种功率电路、控制方法、电源系统及功率电路的封装结构在此揭露。功率电路包含准级联功率单元。准级联功率单元包含常通式开关、常闭式开关、控制单元、第一开关单元及第二开关单元。常闭式开关以串联方式电性耦接至常通式开关。控制单元的第一端及第三端分别电性耦接至常闭式开关的控制端及常通式开关的控制端。第一开关单元的第一端及第二端分别电性耦接至常通式开关的控制端及常闭式开关的第二端。第二开关单元的第一端及控制端分别电性耦接至控制单元的第二端及常通式开关的第二端。
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公开(公告)号:CN104579274A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201410767492.7
申请日:2014-12-12
申请人: 成都芯源系统有限公司
发明人: 艾瑞克·布劳恩
IPC分类号: H03K17/687
CPC分类号: H03K17/162 , H03K17/284 , H03K17/567 , H03K2217/0036 , H03K2217/0063 , H03K2217/0072
摘要: 本发明提出了一种开关电路及其驱动方法,所述开关电路包括上拉功率开关和具有寄生体二极管的下拉功率开关。所述下拉功率开关由可输出具有三级电平的下拉驱动信号的下拉驱动电路驱动。所述下拉功率开关在所述下拉驱动信号的控制下,在下拉功率开关关断后并且上拉功率开关导通前的死区时间内,保持微导通,以分流流过与下拉功率开关并联的体二极管的电流,从而减少储存于体二极管内的电荷,降低功率损耗,提高电路效率。
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公开(公告)号:CN104578719A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201410504762.5
申请日:2014-09-26
申请人: 三菱电机株式会社
IPC分类号: H02M1/08
CPC分类号: H02M1/08 , H02M3/06 , H02M3/158 , H02M7/537 , H02M7/5387 , H03K17/567 , H03K2217/0036 , Y10T307/609
摘要: 得到一种半导体装置以及半导体模块,其在施加高电压的环境下也能够抑制电力消耗,并根据电源电压相对于基准电位的电位状态而控制输出。电阻分压电路(1)具有串联连接在电源电位(HVB)和基准电位(Com)之间的电阻(R1、R2),并输出电阻(R1、R2)的连接点处的电位(VMON)。瞬态响应检测电路(2)具有一端与电源电位(HVB)连接的电阻(R3)、以及连接在电阻(R3)的另一端和基准电位(Com)之间的电容器(C1),并输出电阻(R3)和电容器(C1)的连接点处的电位(Vdvdt)。AND电路(3)对电阻分压电路(1)的输出信号和瞬态响应检测电路(2)的输出信号进行AND运算。输出电路(4)根据AND电路(3)的输出信号而控制通断。
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公开(公告)号:CN103151906B
公开(公告)日:2015-04-22
申请号:CN201110401443.8
申请日:2011-12-06
申请人: 上海儒竞电子科技有限公司
IPC分类号: H02M1/088
CPC分类号: H02M1/08 , H02M7/217 , H02M2001/0003 , H03K17/567 , H03K17/6877 , H03K2217/0081
摘要: 本发明提供一种无需额外电源的自举驱动电路,该电路包括功率单元、开关单元、自举单元、驱动单元;所述功率单元用以输出直流电压;所述开关单元与功率单元相连,用以控制与功率单元的连通与关断;所述自举单元与所述开关单元相连,用以提供驱动电能,输出驱动电源;所述自举单元包括一储能电容;所述驱动单元与所述自举单元相连,用以在所述驱动电源的驱动下输出控制信号。本发明根据自举单元中储能电容的充放电,完成了自举驱动过程,不需额外电源,形成了无需额外电源的自举驱动电路,克服了一般驱动单元需要额外电源,降低了功率损耗,满足了电路的要求,适合三相AC-DC变换器需要驱动控制的应用场合。
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公开(公告)号:CN102859858B
公开(公告)日:2015-04-15
申请号:CN201180016904.8
申请日:2011-02-04
申请人: 松下电器产业株式会社
发明人: 田米正树
IPC分类号: H02M7/5387 , H02M1/00 , H02M1/08
CPC分类号: H02M1/088 , H03K17/122 , H03K17/164 , H03K17/567
摘要: 本发明在并联连接多个开关元件构成臂的电力变换装置中,谋求元件的长寿命化。本发明是具有上下臂和栅极驱动电路的逆变器装置,所述栅极驱动电路按照指示接通/截止期间的栅极控制信号(Gup_S)分别使对应的臂驱动,其中,上下臂分别并联连接有多个开关元件,每个栅极驱动电路具有开关用栅极控制电路(230u)和导通用栅极控制电路(231u),所述开关用栅极控制电路(230u)在接通期间开始时使开关元件(210u)的导通开始,并在接通期间中使导通结束,所述导通用栅极控制电路(231u)在与接通期间的开始对应的开关元件(210u)的导通开始后,且在导通结束前使开关元件(211u和212u)的导通开始,与开关元件(211u和212u)相比,开关元件(210u)的寄生电容更小。
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公开(公告)号:CN104124877A
公开(公告)日:2014-10-29
申请号:CN201410166703.1
申请日:2014-04-23
申请人: 赛米控电子股份有限公司
发明人: 英戈·施陶特
CPC分类号: H02M7/003 , H01L23/3735 , H01L25/18 , H01L2924/0002 , H02M1/32 , H02M7/487 , H03K17/567 , H03K17/74 , H03K2217/0009 , H01L2924/00
摘要: 本发明涉及一种三级变流器半桥,其带有第一基底(2)和与该第一基底(2)分开布置的第二基底(3),其中,三级变流器半桥(1)的功率半导体开关(T1、T2、T3、T4)和二极管(D1、D2、D3、D4)以如下方式分配到第一基底(2)和第二基底(3)上,即,在三级变流器半桥(1)以高的功率因数进行优选的运行时,在布置在第一基底(2)上的功率半导体开关(T1、T2)和二极管(D1、D3)之间以及在布置在第二基底(3)上的功率半导体开关(T3、T4)和二极管(D2、D4)之间不出现或仅极少出现电流换向。本发明提供一种具有降低的开关过压的三级变流器半桥。
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