一种开关电路及其驱动方法

    公开(公告)号:CN104579274A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201410767492.7

    申请日:2014-12-12

    IPC分类号: H03K17/687

    摘要: 本发明提出了一种开关电路及其驱动方法,所述开关电路包括上拉功率开关和具有寄生体二极管的下拉功率开关。所述下拉功率开关由可输出具有三级电平的下拉驱动信号的下拉驱动电路驱动。所述下拉功率开关在所述下拉驱动信号的控制下,在下拉功率开关关断后并且上拉功率开关导通前的死区时间内,保持微导通,以分流流过与下拉功率开关并联的体二极管的电流,从而减少储存于体二极管内的电荷,降低功率损耗,提高电路效率。

    半导体装置以及半导体模块

    公开(公告)号:CN104578719A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201410504762.5

    申请日:2014-09-26

    IPC分类号: H02M1/08

    摘要: 得到一种半导体装置以及半导体模块,其在施加高电压的环境下也能够抑制电力消耗,并根据电源电压相对于基准电位的电位状态而控制输出。电阻分压电路(1)具有串联连接在电源电位(HVB)和基准电位(Com)之间的电阻(R1、R2),并输出电阻(R1、R2)的连接点处的电位(VMON)。瞬态响应检测电路(2)具有一端与电源电位(HVB)连接的电阻(R3)、以及连接在电阻(R3)的另一端和基准电位(Com)之间的电容器(C1),并输出电阻(R3)和电容器(C1)的连接点处的电位(Vdvdt)。AND电路(3)对电阻分压电路(1)的输出信号和瞬态响应检测电路(2)的输出信号进行AND运算。输出电路(4)根据AND电路(3)的输出信号而控制通断。

    无需额外电源的自举驱动电路

    公开(公告)号:CN103151906B

    公开(公告)日:2015-04-22

    申请号:CN201110401443.8

    申请日:2011-12-06

    IPC分类号: H02M1/088

    摘要: 本发明提供一种无需额外电源的自举驱动电路,该电路包括功率单元、开关单元、自举单元、驱动单元;所述功率单元用以输出直流电压;所述开关单元与功率单元相连,用以控制与功率单元的连通与关断;所述自举单元与所述开关单元相连,用以提供驱动电能,输出驱动电源;所述自举单元包括一储能电容;所述驱动单元与所述自举单元相连,用以在所述驱动电源的驱动下输出控制信号。本发明根据自举单元中储能电容的充放电,完成了自举驱动过程,不需额外电源,形成了无需额外电源的自举驱动电路,克服了一般驱动单元需要额外电源,降低了功率损耗,满足了电路的要求,适合三相AC-DC变换器需要驱动控制的应用场合。

    电力变换装置
    59.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102859858B

    公开(公告)日:2015-04-15

    申请号:CN201180016904.8

    申请日:2011-02-04

    发明人: 田米正树

    IPC分类号: H02M7/5387 H02M1/00 H02M1/08

    摘要: 本发明在并联连接多个开关元件构成臂的电力变换装置中,谋求元件的长寿命化。本发明是具有上下臂和栅极驱动电路的逆变器装置,所述栅极驱动电路按照指示接通/截止期间的栅极控制信号(Gup_S)分别使对应的臂驱动,其中,上下臂分别并联连接有多个开关元件,每个栅极驱动电路具有开关用栅极控制电路(230u)和导通用栅极控制电路(231u),所述开关用栅极控制电路(230u)在接通期间开始时使开关元件(210u)的导通开始,并在接通期间中使导通结束,所述导通用栅极控制电路(231u)在与接通期间的开始对应的开关元件(210u)的导通开始后,且在导通结束前使开关元件(211u和212u)的导通开始,与开关元件(211u和212u)相比,开关元件(210u)的寄生电容更小。

    三级变流器半桥
    60.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104124877A

    公开(公告)日:2014-10-29

    申请号:CN201410166703.1

    申请日:2014-04-23

    发明人: 英戈·施陶特

    IPC分类号: H02M7/00 H01L25/07

    摘要: 本发明涉及一种三级变流器半桥,其带有第一基底(2)和与该第一基底(2)分开布置的第二基底(3),其中,三级变流器半桥(1)的功率半导体开关(T1、T2、T3、T4)和二极管(D1、D2、D3、D4)以如下方式分配到第一基底(2)和第二基底(3)上,即,在三级变流器半桥(1)以高的功率因数进行优选的运行时,在布置在第一基底(2)上的功率半导体开关(T1、T2)和二极管(D1、D3)之间以及在布置在第二基底(3)上的功率半导体开关(T3、T4)和二极管(D2、D4)之间不出现或仅极少出现电流换向。本发明提供一种具有降低的开关过压的三级变流器半桥。