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公开(公告)号：CN107922360A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680048949.6
申请日：2016-06-21
申请人： 科思创德国股份有限公司
IPC分类号： C07D251/24 , C07C255/57 , C07C253/30 , G11B7/24044 , G03C7/02 , G03F7/00 , G11B7/245
CPC分类号： C07D251/24 , C07C253/30 , G03F7/001 , G03F7/029 , G03F7/031 , G11B7/24044 , G11B7/245 , C07C255/57
摘要： 本发明涉及式(I)的芳族4,6-双-三氯甲基-s-三嗪-2-基化合物、制造作为用于产生式(I)的化合物的前体的对位二取代的苯甲腈的方法，以及制造式(I)的化合物的方法。
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公开(公告)号：CN107750379A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201680037063.1
申请日：2016-06-21
申请人： 科思创德国股份有限公司
IPC分类号： G11B7/24044 , C07D251/24 , G03F7/00 , G03F7/027 , G03F7/029 , G03F7/035 , G11B7/246
CPC分类号： G03F7/031 , B42D25/29 , B42D25/328 , C07D251/24 , G03F7/001 , G03F7/027 , G03F7/029 , G03F7/035 , G03H1/02 , G03H2001/0264 , G03H2260/12 , G11B7/24044 , G11B7/245 , G11B7/246
摘要： 本发明涉及新型三嗪光引发剂、用于其制备的新型方法、以及包含可光聚合组分和该新型三嗪光引发剂的光聚合物组合物。本发明的另一方面是包含所述光聚合物组合物的光聚合物、包含此类光聚合物的全息介质、包含该全息介质的全息图以及包含所述全息图的诸如显示器、芯片卡、安全文件、银行券和/或全息光学元件的装置。
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公开(公告)号：CN107750246A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201680037062.7
申请日：2016-06-21
申请人： 科思创德国股份有限公司
IPC分类号： C07D251/24 , C07C255/57 , G03F7/029 , G03F7/00 , G11B7/245 , C07C253/30 , G11B7/24044
CPC分类号： C07D251/24 , C07C253/30 , G03F7/001 , G03F7/029 , G03F7/031 , G11B7/24044 , G11B7/245 , C07C255/57
摘要： 本发明涉及式（I）的芳族4,6‑双‑三氯甲基‑s‑三嗪‑2‑基化合物。本发明的另外的主题是包含可光聚合的组分和至少一种式（I）的芳族4,6‑双‑三氯甲基‑s‑三嗪‑2‑基化合物和光聚合物的光聚合物制剂，所述光聚合物包含基质聚合物、书写单体、光引发剂和至少一种式（I）的芳族4,6‑双‑三氯甲基‑s‑三嗪‑2‑基化合物，包含根据本发明的相应光聚合物的全息介质，包含根据本发明的全息介质的全息图，借助脉冲激光辐射制备全息图的方法，以及根据本发明的全息介质用于记录全息图的用途。
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公开(公告)号：CN106030711A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201480075951.3
申请日：2014-12-16
申请人： 科思创德国股份有限公司
CPC分类号： G03F7/001 , G02B1/04 , G03F7/0046 , G03F7/027 , G03F7/029 , G03F7/035 , G03H1/02 , G03H2001/0264 , G03H2260/12 , G11B7/24044 , C08L75/04
摘要： 本发明涉及包含基质聚合物、书写单体和光引发剂并进一步包含式(I)的化合物的新型光聚合物制剂 (I)其中A1、A2和A3各自独立地为氢、氟、氯、溴或碘，R1、R2、R3、R4和R5各自独立地为氢、卤素、氰基、硝基、氨基、烷基亚氨基、叠氮基、异氰基、烯胺基、甲酰基、酰基、羧基、羧酸酯、羧酰胺、原酸酯、磺酸酯、磷酸酯、有机磺酰基、有机亚砜基、任选氟代的烷氧基或任选取代的芳族、杂芳族、脂族、芳脂族、烯属或炔属基团，且合适的基团可经任意取代的桥相互连接，或两个或更多个式(I)的化合物可经基团R1、R2、R3、R4和R5的至少一个相接，其中这些基团此时可为2-至4-重官能桥，条件是基团R1、R2、R3、R4和R5的至少一个不是氢。本发明的进一步主题是包含基质聚合物、书写单体和光引发剂的光聚合物、包含本发明的光聚合物制剂或可用其获得的全息介质、本发明的全息介质用于制造全息介质的用途以及使用本发明的光聚合物制剂制造全息介质的方法。
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公开(公告)号：CN102870157B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201080060482.X
申请日：2010-11-02
申请人： 拜尔材料科学股份公司
IPC分类号： G11B7/245 , G11B7/24044 , G03H1/02
CPC分类号： G01N5/04 , G03H1/02 , G03H1/04 , G03H2001/0264 , G03H2227/04 , G03H2260/12 , G03H2260/54 , G11B7/24044 , G11B7/245
摘要： 本发明涉及生产全息膜的方法，其中提供光聚合物制剂，作为组分，其包含基质聚合物、书写单体、光引发剂体系、任选不可光聚合的组分和任选催化剂、自由基稳定剂、溶剂、添加剂和其它助剂和/或添加剂。在载体膜上大面积地以薄膜形式施加所述光聚合物制剂，并将所述光聚合物制剂在载体膜上在60 100℃并比温度T高至少30℃的化合物作为光聚合物制剂的组分，并使用具有≥0.030MPa的平台模量的光聚合物制剂。
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公开(公告)号：CN102272837B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN200980153821.6
申请日：2009-12-16
申请人： 通用电气公司
IPC分类号： G11B7/24044 , G11B7/0065 , G11B7/007 , G11B7/26 , G03H1/02
CPC分类号： G11B7/00781 , G03H1/0256 , G03H2250/34 , G11B7/0065 , G11B7/24044 , G11B7/26
摘要： 一种用于微全息数据存储的光盘，包括：光学上使能的材料，配置成存储全息数据；导向槽；第一涂层，布置在导向槽上并配置成反射跟踪束和透射读或记录束；以及第二涂层，布置为覆盖导向槽并布置在第一涂层上。
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公开(公告)号：CN113316746B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202080009876.6
申请日：2020-01-29
申请人： 索尼集团公司
IPC分类号： G03H1/02 , C08F2/44 , G11B7/24044
摘要： 目的是提供一种能够进一步改善衍射特性的全息记录组合物。本技术提供了一种全息记录组合物，其至少包含自由基聚合性单体、基质树脂、光聚合引发剂和蒽类化合物。本技术还提供了一种全息记录介质，其包括光固化树脂层，所述光固化树脂层至少包含自由基聚合性单体、基质树脂、光聚合引发剂和蒽类化合物。此外，本技术还提供了一种使用该全息记录介质的全息图。此外，本技术还提供了一种使用该全息图的光学装置和光学部件。
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公开(公告)号：CN117296096A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202280034380.3
申请日：2022-03-17
申请人： 松下知识产权经营株式会社
IPC分类号： G11B7/24044
摘要： 本公开的一个方案中的非线性光吸收材料包含下述式(1)所表示的化合物作为主要成分。在式(1)中，R1～R10彼此独立地为氢原子、卤素原子、饱和烃基、卤代烷基、不饱和烃基、羟基、羧基、烷氧基羰基、醛基、酰基、酰胺基、腈基、烷氧基、酰氧基、硫醇基、烷硫基、磺酸基、酰硫基、烷基磺酰基、磺酰胺基、伯氨基、仲氨基、叔氨基或硝基。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN112154504B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN201980034142.0
申请日：2019-06-10
申请人： 三菱化学株式会社
摘要： 一种全息记录介质用组合物，其特征在于，其含有下述成分(a‑1)～(e‑1)，成分(b‑1)中包含的丙二醇单元和四亚甲基二醇单元的合计重量相对于成分(a‑1)和成分(b‑1)的合计重量的比例为30重量％以下。成分(a‑1)：具有异氰酸酯基的化合物；成分(b‑1)：具有异氰酸酯反应性官能团的化合物；成分(c‑1)：聚合性单体；成分(d‑1)：光聚合引发剂；成分(e‑1)：具有稳定氮氧自由基的化合物。
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公开(公告)号：CN114174923A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080048913.4
申请日：2020-06-19
申请人： 索尼集团公司
IPC分类号： G03F7/032 , G02B1/04 , G02B5/32 , G03H1/02 , G11B7/24044
摘要： 目的是提供一种能够进一步改善衍射特性的光敏组合物。本技术提供一种光敏组合物，至少包括：由以下通式(1)表示的化合物；粘合剂树脂；和光聚合引发剂。(化学式1)在通式(1)中，X1为氧原子、氮原子、磷原子、碳原子或硅原子。Y1和Y2分别为苯环或萘环，并且Y1和Y2不同时为苯环。R1至R3各自为氢或由*‑Z1(R4)d(*表示键合位点)表示的取代基。Z1表示单键、2价或更高价的饱和烃基、或者2价或更高价的不饱和烃基，并且饱和烃基或不饱和烃基可含有醚键和/或硫醚键。R4表示氢或聚合性取代基。
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