公开(公告)号：CN105247648A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201480022104.0

申请日：2014-04-18

申请人： 技术消费产品股份有限公司

发明人： E·严

IPC分类号： H01J1/02

CPC分类号： F21V29/70 ,  F21K9/23

摘要： 一种LED灯包括LED构件，该LED构件包含多个LED。该LED灯包括与该LED构件热连通的圆形基板。该LED灯包括电气模块，该电气模块与该LED构件电气耦合且被配置为向该LED构件供电。该LED灯包括灯体，该灯体在第一端部处耦合到基板且与基板热连通，该灯体在第二端部处遮盖电气模块的至少一部分。该灯体包括从基板延伸至该电气模块的基本光滑的表面。该LED灯包括被配置为分散由LED构件产生的光的光学元件。

公开(公告)号：CN104106122A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201280069120.6

申请日：2012-12-10

申请人： 万斯创新公司

发明人： 兹登科·格拉伊察尔

IPC分类号： H01J1/02

CPC分类号： H01L33/647 ,  A01G33/00 ,  C12M21/02 ,  C12M31/10 ,  C12N1/12 ,  C12N13/00 ,  F21K9/23 ,  F21V3/061 ,  F21V3/10 ,  F21V23/04 ,  F21V23/0442 ,  F21V29/58 ,  F21V29/70 ,  F21V29/77 ,  F21Y2103/10 ,  F21Y2115/10 ,  H01L33/58 ,  H01L33/64 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/13091 ,  H05K1/0203 ,  H05K2201/10106 ,  Y02A40/824 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 一种发光组件，包括一个衬底，该衬底具有用于电连接多个电气部件芯片的多个导电通道。所述电气部件包括至少一个发光二极管，该至少一个发光二极管沿该衬底接合从而在发光二极管与衬底之间形成一个界面表面。因此，当来自发光二极管的组合的统一热传导矢量穿过该界面表面从该发光二极管到达衬底时，该组合的统一热传导矢量是垂直于该界面表面的。

公开(公告)号：CN102768926A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201110319546.X

申请日：2011-10-20

申请人： 中国科学院光电研究院

发明人： 赵江山 ,  刘斌 ,  李慧 ,  鲍洋 ,  吴晓斌 ,  周翊 ,  王宇

IPC分类号： H01J1/02

摘要： 一种气体放电电极结构，按照气流下游侧气流出射方向相应调整改变电极下游侧的形状，使电极上下游侧为非对称形状。本发明有效改善了腔内电极附近气动流场分布，减少了电极附近放电热量积累，增强电极使用寿命，从而改善系统高压放电的稳定性，同时结构简单，便于加工，安装方便。

公开(公告)号：CN101783274A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200810190592.2

申请日：2008-12-24

申请人： 肖福常

发明人： 肖福常

IPC分类号： H01J9/02 ,  H01J1/02

摘要： 本发明所述的特制纳米陶瓷阴极液，是首先将阴极基材放入装有钡盐溶液的玻璃杯中加热浸泡之后，使用XG-1制成的浆液，在阴极上沉积第一层含金属微粒的涂敷层，然后再使用XG-2制成的浆液沉积第二层不含金属微粒但添加了纳米E的涂敷层。本发明的有益效果是，所述的特制纳米陶瓷阴极产品，不但能满足器件大电流发射密度的要求，也完全符合阴极发射的特性；克服了原器件中金属阴极因逸出功高、易溅射、寿命短的缺点。

公开(公告)号：CN101019200A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200580030825.7

申请日：2005-07-12

申请人： 伊利诺伊大学受托管理委员会

发明人： 朴晟镇 ,  J·加里·伊登 ,  朴璟虎

IPC分类号： H01J1/62 ,  H01J1/02

CPC分类号： H01J1/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J3/025 ,  H01J17/066 ,  H01J63/02 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2217/49

摘要： 本发明提供一种场发射纳米结构(18)，其辅助微放电器件的工作。该场发射纳米结构被集成到微放电器件中或被定位在微放电器件的电极(14，16，36，38)的附近。与没有场发射纳米结构的其他相同的器件相比，该场发射纳米结构降低了工作和启动电压，同时也增加了微放电器件的辐射输出。

公开(公告)号：CN1969357A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200580019444.9

申请日：2005-06-10

申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司

发明人： T·祖斯特尔 ,  W·梅尔 ,  O·马斯坦布罗克

IPC分类号： H01J1/02 ,  H01J1/62

CPC分类号： C09K11/778 ,  H01J61/44 ,  H01J61/72 ,  H01J65/04

摘要： 本发明涉及一种配备了具有包含放电维持成分的气体填充物的气体放电管的低压气体放电灯，其中至少一部分放电管壁配备了含有在主体晶格中含有钆(III)作为激活剂和镨(III)作为敏化剂的第一UV－B荧光剂的发光材料，低压气体放电灯还配备了用于产生和维持低压气体放电的装置。这种灯特别适用于窄频带UV－B光线疗法。本发明还涉及一种在主体晶格中含有钆(III)作为激活剂和镨(III)作为敏化剂的UV－B荧光剂。

公开(公告)号：CN1873906A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200510132870.5

申请日：2005-12-27

申请人： LG.菲利浦LCD株式会社

发明人： 林大山

IPC分类号： H01J65/00 ,  H01J11/02 ,  H01J61/04 ,  H01J1/02 ,  G02F1/13357

CPC分类号： H01J65/00 ,  G02F1/133604

摘要： 本发明公开了一种液晶显示器，其包含一个或多个外部电极荧光灯(EEFL)。各EEFL具有填充有放电气体的管。相对的第一和第二电极设置在所述管的外表面上。其中所述第一电极包括在管的一端的盖电极和沿所述管的长度方向的第一线电极，所述第二电极包括在管的另一端的第二盖电极和沿管的长度方向的第二线电极。

公开(公告)号：CN1199217C

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN01806815.4

申请日：2001-01-17

申请人： 奥斯兰姆施尔凡尼亚公司

发明人： P·H·恩加尔斯 ,  R·多兰 ,  E·温纳

IPC分类号： H01J1/02 ,  H01J17/20 ,  H01J61/30

CPC分类号： H01J61/825 ,  H01J7/10 ,  H01J61/30 ,  H01J61/34

摘要： 一种高压钠灯(100)，其具有一抽空的玻璃封壳(6)，其带有位于其中的并经其延伸的多个导电的支撑件。具有一对电极(26)的细长电弧管(14)固定到玻璃封壳内的导电支撑件上，该电极经电弧管延伸。气体填充物包括在细长电弧管内的某一量的汞和钠。当灯工作时，从半透明材料中选择的电弧管具有约1250℃的壁温度；约18.9-22.2w/cm2的壁负荷；以及150-400瓦的功率消耗。此外，汞的量从14.4mg/电弧管降低到10.8mg/电弧管，使得具有150-400瓦的功率消耗的灯通过毒性特征浸出规程(TCLP)。

公开(公告)号：CN1152411C

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN98800242.6

申请日：1998-02-28

申请人： M·希兰

发明人： M·希兰

IPC分类号： H01J61/073 ,  H01J1/02 ,  H01J61/09

CPC分类号： H01J9/022 ,  H01J1/025 ,  H01J61/0672 ,  H01J61/0677 ,  H01J61/09

摘要： 本发明涉及具有导电载体材料(1)的用于气体放电的冷电极，其中在载体材料(1)上沉积有发射涂层(3)，发射涂层(3)的材料的光电逸出功比载体材料(1)的光电逸出功低，或者低于5.6×10-19焦耳/电子。发射涂层(3)特别地包含钇。电极优选是中空体的形式并且可被包围在玻璃体(8)中。

公开(公告)号：CN1281584A

公开(公告)日：2001-01-24

申请号：CN98812141.7

申请日：1998-12-11

申请人： 先进图像技术公司

发明人： 迈克尔D·波特

IPC分类号： H01J1/02 ,  H01J1/16 ,  H01J19/10 ,  H01J1/62 ,  H01J63/04 ,  H01J17/24 ,  H01J19/70 ,  H01J61/26

CPC分类号： H01J29/94 ,  H01J2201/30423 ,  H01J2329/00

摘要： 自吸气电子场致发射体(30)具有用于电子发射的低功函数材料形成的第一部分(40),和用作低电阻导电体和用作吸气表面的成一体的第二部分(50)。通过平行于衬底设置低功函数材料的薄膜,和通过平行于衬底且与低功函数材料薄膜接触地设置低电阻吸气材料薄膜,形成自吸气发射体(30)。自吸气发射体(30)特别适用于横向场致发射器件(10)。优选的发射体结构具有逐渐变细的边缘(60),该边缘具有超过吸气和低电阻材料边缘(55)延伸一小段距离的低功函数材料的突出部分(45)。制造工艺(S1－S6)本身特别适于形成自吸气电子场致发射体同时制造微电子场致发射器件。