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公开(公告)号：CN113064041B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201911406353.0
申请日：2019-12-31
申请人： 圣邦微电子(北京)股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种场效应晶体管的导通电阻测量方法及测量装置，测量方法包括：输入导通电压使待测场效应晶体管导通；对场效应晶体管芯片的多个源极管脚和多个漏极管脚输入相同的测试电流，测量场效应晶体管芯片每一个管脚上对应产生的压降；根据测试电流和压降判断恒流源与场效应晶体管芯片管脚上的加载线之间是否接触良好；根据压降判断电压测量表与场效应晶体管芯片管脚上的测试线之间是否接触良好；当恒流源与加载线之间以及电压测量表与测试线之间均接触良好时，根据测试电流与压降获得待测场效应晶体管的导通电阻。可以很轻易的对测量过程中可能存在的测试误差做出判断，提高测试准确性，且测量方法简单。
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公开(公告)号：CN117200713A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311056275.2
申请日：2023-08-21
申请人： 圣邦微电子(北京)股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种仪表放大器，包括输入级电路，用于将第一输入电压和第二输入电压的电压差转换为输入电流，所述输入电流与所述电压差成设定比例；第一镜像电路，用于将所述输入电流镜像为第一镜像电流；第一输出电路，与所述第一镜像电路连接，其中，所述第一输出电路包括：第一运算放大器，正输入端接收参考电压，负输入端接所述第一镜像电路，输出端提供第一输出电压；以及第一输出电阻，连接于所述第一运算放大器的负输入端与输出端之间，所述第一输出电路配置为将所述第一镜像电流提供至所述第一输出电阻，以得到与所述第一输入电压和所述第二输入电压的电压差相关的所述第一输出电压，从而可以提高共模抑制比，增加输入共模电压范围。
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公开(公告)号：CN117155125A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310573531.9
申请日：2023-05-19
申请人： 圣邦微电子(北京)股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种开关变换器及其控制电路和控制方法。该控制电路中的模式切换电路包括：第一检测模块，用于将环路误差信号和设定的第一参考信号相比较，以产生第一使能信号；第二检测模块，用于检测系统占空比，并在系统占空比大于设定占空比时，将开关变换器中的电感电流峰值与预设的峰值电流相比较，以产生第二使能信号；以及切换控制模块，用于在所述第一使能信号和所述第二使能信号之一有效时，控制开关变换器从所述正常工作模式切换为所述轻载工作模式。通过采用两种检测模式结合的方式，可以更加准确地判断开关变换器的轻重载情况，从而避免了因为误判导致的开关变换器异常工作，保证了系统能够在大占空比下，仍然能够进入轻载工作模式，提高了开关变换器的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN117146995A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311035407.3
申请日：2023-08-16
申请人： 圣邦微电子(北京)股份有限公司
摘要： 一种可覆盖整颗芯片的多点温度检测电路，所述多点温度检测电路包括：N个电压检测电路，N为大于1的整数，所述电压检测电路设置在对温度变化敏感模块所在的芯片区域中；电压检测电路包括依次串联在电源VDD和地电位GND之间电流源和多个全隔离MOS管，各个全隔离MOS管的源极和漏极之间等效并联有相应全隔离MOS管的体二极管，所述电流源和距离最近的全隔离MOS管的连接点处的电位引出作为电压检测电路的输出电压Vtj；温升阈值比较电路，根据N个电压检测电路的输出电压判断对应检测区域温度是否超出允许限值。本发明能够对芯片进行准确的温度检测和过温保护，提高芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN117111679A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202210531598.1
申请日：2022-05-16
申请人： 圣邦微电子(北京)股份有限公司
发明人： 张利地
IPC分类号： G05F3/26
摘要： 本公开的实施例提供一种低压差线性稳压器。低压差线性稳压器包括：误差放大器、输出功率管、分压反馈电路、以及电压缓冲器。误差放大器的同相输入端耦接分压反馈电路的第一端，误差放大器的反相输入端耦接参考信号端，误差放大器的输出端经由第一节点耦接电压缓冲器。电压缓冲器经由第二节点耦接输出功率管的控制极。输出功率管的第一极耦接第一电压端，输出功率管的第二极耦接分压反馈电路的第二端和低压差线性稳压器的输出端。电压缓冲器被配置为控制第一节点和第二节点之间的电压差。
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公开(公告)号：CN117081362A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310996718.X
申请日：2023-08-08
申请人： 圣邦微电子(北京)股份有限公司
发明人： 颜隽
摘要： 本公开提供了一种定频DC‑DC变换器，包括PWM驱动电路、上功率管、下功率管、输出电路、误差放大电路、瞬态增强电路和脉宽调制比较器；其中，PWM驱动电路根据脉宽调制比较器的输出信号生成PWM信号，并根据PWM信号生成上功率管的第一驱动信号和下功率管的第二驱动信号；瞬态增强电路被配置为生成第一纹波电压，对第二节点上的反馈电压和第一纹波电压进行叠加处理从而生成第二纹波电压，并向脉宽调制比较器输出第二纹波电压和第二纹波电压的基准电压；脉宽调制比较器被配置为比较第二纹波电压和第二纹波电压的基准电压，生成第一比较信号，并基于第一比较信号，比较误差放大电路的输出信号和输出信号的基准电压，向PWM驱动电路输出第二比较信号。
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公开(公告)号：CN116996053A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202210438768.1
申请日：2022-04-25
申请人： 圣邦微电子(北京)股份有限公司
发明人： 张利地
IPC分类号： H03K17/687
摘要： 一种高压模拟开关电路，其特征在于：所述电路包括模拟开关单元、开关驱动单元和开关钳位单元；其中，所述模拟开关单元为CMOS高压模拟开关，且CMOS的栅极、源极均与所述开关驱动单元连接，以基于所述开关驱动单元的控制实现对所述模拟开关单元的驱动；所述开关驱动单元，接收开关控制电压并生成对所述模拟开关单元中所述CMOS的栅极、源极的控制信号；所述开关钳位单元，分别与所述模拟开关单元和开关驱动单元连接，用于配合所述开关驱动单元调节所述CMOS的栅极电压。本发明电路使得电压缓冲管的数量、尺寸等参数可以根据电路的使用环境更加便利和灵活的实现调节，提高了高压模拟开关输出信号的精确性。
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公开(公告)号：CN116960060A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210385702.0
申请日：2022-04-13
申请人： 圣邦微电子(北京)股份有限公司
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/088
摘要： 本发明实施例提供一种功率MOS管，属于半导体制造技术领域。功率MOS管包括：半导体衬底；有源区包括第一有源区与第二有源区，均位于半导体衬底上方；电极，位于有源区的上方，包括交替排列且位于同一金属层的第一电极和第二电极，第一电极与第一有源区连接，第二电极与第二有源区连接，第一电极与第二电极均为三段式结构，均包括依次连接且宽度逐渐递增的第一段、中间段与第二段，在第一段上设置有通孔；以及引脚电极，位于第一电极与第二电极之上，包括第一引脚电极和第二引脚电极，第一引脚电极通过位于第一电极上的通孔与第一电极的第一段连接，第二引脚电极通过位于第二电极上的通孔与第二电极的第一段连接。
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公开(公告)号：CN116938163A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210379953.8
申请日：2022-04-12
申请人： 圣邦微电子(北京)股份有限公司
发明人： 张利地
IPC分类号： H03F1/52
摘要： 一种具备偏置电流源的高压输入级电路，其特征在于：所述电路包括偏置单元、钳位单元、输入单元；其中，所述偏置单元，与所述钳位单元连接，用于基于偏置电流源和正负输入电压对生成正负开关电压和偏置电流；所述钳位单元，与所述输入单元连接，基于所述正负输入电压对和所述正负开关电压控制所述输入单元中输入对的源漏电流；所述输入单元，与后级负载连接，用于实现对所述后级负载的输出电压。本发明使得普通的运放输入对或比较器输入对能够适用于具备较大电压范围的高压电源和高输入差分电压芯片，不会导致器件损坏，同时即便在高输入差分电压环境下，仍能够保持输入对具备合理的可调的偏置电流。
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公开(公告)号：CN116931632A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210380906.5
申请日：2022-04-12
申请人： 圣邦微电子(北京)股份有限公司
发明人： 张利地
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 一种高压输入级电路，其特征在于：所述电路包括电流源、第一输入单元、第二输入单元和负载电路；其中，所述电流源分别经过所述第一输入单元、第二输入单元与负载电路连接，并将所述第一输入单元、所述第二输入单元分别生成的正相输入电流和负相输入电流输出至所述负载电路中。本发明方法简单、构思巧妙，充分利用了LDMOS管和齐纳二极管的特性，实现了高输入差分电压条件下输入对的安全工作。另外，在高输入差分电压环境下，仍能够保持输入端不存在偏置电流，使差分输入阻抗很高。
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