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公开(公告)号：CN102867765A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210369969.7
申请日：2012-09-27
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明揭示了一种晶圆位置检测装置及检测方法，该装置包括：载置台、驱动装置、吹气装置、摄像装置及图像处理装置。其中，载置台用于载置晶圆；驱动装置与载置台相连，用于驱动载置台旋转；吹气装置设置在载置台的上方并向载置台上的晶圆的外周边缘部吹气，使晶圆的外周边缘部干燥；摄像装置设置在载置台的上方，用于给载置台上的晶圆拍摄图像，并将拍摄的图像发送至图像处理装置；图像处理装置接收摄像装置拍摄的图像后，将图像中晶圆外周边缘部上一部分区域内的图像转换成像素，并将该像素与该部分区域内的图像参考像素比较，若二者一致，则晶圆被正确的放置于载置台上，若二者不一致，则晶圆在载置台上的位置偏离了正确位置。
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公开(公告)号：CN101540268A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200810034826.4
申请日：2008-03-20
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/306 , B08B3/04
摘要： 一种用于清洗并调整半导体基材，诸如晶片的表面的装置，包括可旋转的夹盘，腔体，用于收集清洗溶液并具有一或多个排水出口的可旋转的转盘，用于收集多种清洗溶液的多个接收器，用于驱动夹盘的第一电机，用于驱动转盘第二电机。转盘内的排水出口可置于指定接收器的正上方。由转盘所收集的清洗溶液可导入指定的接收器中。本装置的一大特色就是其具有有效并可精确控制的清洗溶液循环，将交叉污染控制到最小。
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公开(公告)号：CN107021557B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201710035366.6
申请日：2017-01-17
申请人： 野村微科学股份有限公司 , 盛美半导体设备(上海)有限公司 , HJS工程有限公司
IPC分类号： C02F1/68 , B01F21/00 , B01F23/23 , C02F103/04
摘要： 实施方式的功能水制造装置具备：压力调整阀，将超纯水的水压调整为大致恒定的压力；供水泵，对利用上述压力调整阀调整了压力的超纯水进行加压，并能够调整加压量；溶解装置，使赋予特定的功能的功能性气体溶解于利用上述供水泵加压后的超纯水中；以及控制装置，基于溶解有上述功能性气体的功能水的水压或者流量，将上述供水泵的排出压控制为规定的恒定的压力。
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公开(公告)号：CN105225982B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201410236021.3
申请日：2014-05-30
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明公开一种半导体加工装置和加工半导体工件的工艺方法，该装置包括工艺腔、密封盖、药液供给管、晶圆夹盘、洗液进给管和温度控制系统，所述半导体加工装置的工艺腔外部安装有加热源，所述药液供给管外包覆有管路加热装置。本发明所述的半导体加工装置通过一些独特的结构设计，可以保证半导体晶圆在湿法蚀刻的过程中药液温度与晶圆表面温度近乎相同，当药液滴至晶圆表面后，晶圆各处能够以一个均一的速率完成刻蚀过程，从而确保了晶圆片内的均匀度。
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公开(公告)号：CN105097651B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201410190951.X
申请日：2014-05-07
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明揭示了一种镀铜减薄一体化装置，包括基架，基架内设置有承载台、镀铜腔、快速清洗腔、抛铜腔及硅片夹持装置，硅片夹持装置从承载台上夹取硅片，然后携带硅片依次在镀铜腔、快速清洗腔及抛铜腔内进行镀铜工艺、快速清洗工艺及抛光减薄工艺，最后将完成镀铜工艺、快速清洗工艺及抛光减薄工艺的硅片卸载在承载台上。本发明通过将镀铜腔、快速清洗腔及抛铜腔集成在同一基架内，并由同一硅片夹持装置携带硅片依次在镀铜腔、快速清洗腔及抛铜腔内进行相对应的工艺加工，减少了机械手取、放硅片的次数，提高了工艺效率。
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公开(公告)号：CN110462266A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201780089140.2
申请日：2017-03-30
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： F16K11/085
摘要： 本发明揭示了一种用于多种气体分离排气的排气装置。排气装置(100)包括外管(102)、内管(103)和致动器(104)。外管(102)包括管体(1021)。管体(1021)的侧壁设有多个排气口(1022)。内管(103)容纳在外管(102)的管体(1021)内。内管(103)的一端是开口的，内管(103)的另一端是封闭的。内管(103)的侧壁设有一个通孔(1033)或多个通孔(1033)。致动器(104)被配置为驱动内管(103)在外管(102)的管体(1021)内旋转以使内管(103)的通孔(1033)对上外管(102)的一个排气口(1022)以排出一种气体，与此同时外管(102)的其他排气口(1022)由内管(103)的侧壁封闭。
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公开(公告)号：CN110416060A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201810682458.8
申请日：2018-06-27
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本公开的实施例涉及一种用于对工艺中晶片进行清洗的方法和设备。该方法包括使工艺中晶片旋转，使功能水施加至旋转的工艺中晶片的表面，以在旋转的工艺中晶片上产生流动的功能水膜，使得工艺中晶片的表面由超声波装置清洗第一时段，引起超声波装置升起和/或增加旋转的工艺中晶片的旋转速度以使超声波装置与流动的功能水膜分离，在超将声波器件从功能水膜分离并使晶片表面干燥之后将功能水施加至旋转的晶片的表面达第二时段。
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公开(公告)号：CN104347481B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201310330145.3
申请日：2013-07-31
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明揭示了一种金属镀层处理方法，包括以下步骤：提供衬底，衬底形成有通孔；向衬底的通孔内填充金属并在衬底的表面形成金属层；以无应力电化学抛光的方式将金属层抛光至接近衬底的表面；对衬底表面的金属层进行退火工艺，通孔上方的金属层形成金属凸起；去除衬底表面的金属层及通孔上方的金属凸起，仅保留通孔内的金属。通常以化学机械研磨的方式去除衬底表面的金属层及通孔上方的金属凸起。本发明金属镀层处理方法通过整合无应力电化学抛光、化学机械研磨及退火工艺，突破了因金属层内应力造成衬底的翘曲和通孔上方金属凸起的技术瓶颈，提高了集成电路器件的质量。
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公开(公告)号：CN104637862B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201310566058.8
申请日：2013-11-14
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明揭示了一种半导体结构形成方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，半导体衬底的正面形成有孔，孔向半导体衬底的背面延伸，在半导体衬底的正面及孔的内壁依次沉积介质层和阻挡层，然后，向孔内填充金属铜，并使半导体衬底的正面形成连续铜膜表面；以无应力电化学抛光的方式去除半导体衬底正面的连续铜膜以及孔内部分金属铜，使孔内的金属铜表面与半导体衬底正面的阻挡层表面相距一设定距离d1；对半导体衬底进行退火工艺，孔内的金属铜沿孔向上伸展；及对半导体衬底正面的阻挡层进行平坦化工艺，去除半导体衬底正面的阻挡层，孔内的金属铜表面与半导体衬底正面的介质层表面齐平。
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公开(公告)号：CN105321842B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201410365925.6
申请日：2014-07-29
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明提供了一种涂胶设备及其框架，所述框架的侧壁、顶面和底面分别由多条横梁和纵梁拼接而成，所述横梁和纵梁相互垂直，所述设备框架内具有用于支撑烘烤机的支撑架，所述框架的侧壁上具有用于装入所述烘烤机的安装开口，该安装开口的底边位置与所述支撑架的位置相对，该安装开口底边位置处的横梁是至少部分可拆卸的。本发明可以通过外部的起重设备将烘烤机放置在支撑架上，安装更加方便、省力、省时。
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