公开(公告)号：CN105807577B

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN201410842108.5

申请日：2014-12-29

申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司

发明人： 刘江华 ,  王鹏程 ,  刘兵 ,  彭洪修

IPC分类号： G03F7/42

摘要： 本发明提供一种有效地去除光刻胶残留物的光刻胶剥离液组成及其应用。该光刻胶剥离液以三乙醇胺硼酸酯、含有酸性基团的共聚物和还原性的糖或肼作为主要的金属腐蚀抑制剂，三者同时使用，可使得该剥离液在有效的去除晶圆上的光刻胶的同时，能有效的保护基材如金属铝、铜等基本无腐蚀，在对晶圆清洗后可以用水直接漂洗。并且不会对UBM(凸块下金属层)蚀刻造成影响和产生UBM残留。因此该新型的清洗液在金属清洗和半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN111378375A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201811629420.0

申请日：2018-12-28

申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司

发明人： 何华锋 ,  王晨 ,  李星 ,  孙金涛 ,  史经深

IPC分类号： C09G1/02

摘要： 本发明提供了一种化学机械抛光液，包括二氧化硅研磨颗粒、硝酸铁、有机酸，所述二氧化硅研磨颗粒表面带正电荷。本发明的化学机械抛光液，与含有有机膦酸的抛光液相比，胶体稳定性高。另外，本发明的抛光液中添加了氮化硅抛光速率抑制剂，在具有较高的钨抛光速率的前提下，适当抑制了氮化硅的抛光速率，满足了半导体生产中对抛光的要求。

公开(公告)号：CN111378369A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201811627084.6

申请日：2018-12-28

申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司

发明人： 何华锋 ,  王晨 ,  李星 ,  孙金涛 ,  史经深

IPC分类号： C09G1/02

摘要： 本发明提供了一种化学机械抛光液，包括二氧化硅研磨颗粒、硅抛光速率促进剂、pH调节剂、循环使用处理剂和水。本发明的抛光液通过在抛光液中添加循环使用处理剂，降低在循环使用过程中的副产物产生速率，延长了抛光垫颜色保持不变的时间，提高了抛光过程的稳定性，从而使抛光垫的循环使用寿命提高，添加处理剂还可以解决抛光液在反复使用过程中硅的去除速率明显下降的问题，延长抛光液的使用时间，从而大大降低了生产成本，并且提高了硅抛光产品的良率。

公开(公告)号：CN105022237B

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201410165928.5

申请日：2014-04-23

申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司

发明人： 刘江华 ,  刘兵 ,  彭洪修

IPC分类号： G03F7/42

摘要： 本发明公开了一种新型清洗液含有：a)季胺氢氧化物；(b)醇胺；(c)溶剂；(d)糖酸或糖酸内酯。该光刻胶剥离液含有糖酸或糖酸内酯作为主要的金属腐蚀抑制剂，糖酸或糖酸内酯可单独使用，也可以与具有颜料亲和基团的星状共聚物复配使用，使得该剥离液在有效的去除晶圆上的光刻胶的同时，能有效的保护基材如金属铝、铜等基本无腐蚀，在对晶圆清洗后可以用水直接漂洗。因此该新型的清洗液在金属清洗和半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN104635438B

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201310561003.8

申请日：2013-11-12

申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司

发明人： 刘兵 ,  何春阳 ,  孙广胜 ,  黄达辉

IPC分类号： G03F7/42

摘要： 本发明涉及一种光刻胶剥离液，包含季胺氢氧化物，环氧类有机溶剂，以及除所述环氧类有机溶剂以外的其它溶剂，该所述环氧类有机溶剂是指含有结构式I的环氧有机溶剂：本发明的清洗液在有效去除晶圆上的光阻残留物的同时，对于基材如金属铝、铜等基本无腐蚀，在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN103809392B

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201210450907.9

申请日：2012-11-12

申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司

发明人： 刘兵 ,  彭洪修 ,  孙广胜 ,  颜金荔 ,  徐海玉

IPC分类号： G03F7/42

摘要： 本发明提供了一种用于去除光刻胶残留物的清洗液及其组成。该种去除光刻胶残留物的清洗液含有环丁砜，二甘醇胺以及辅助溶剂。该种去除光刻胶残留物的清洗液不含有水、羟胺和氟化物，可以在较高的操作温度下清洗难以去除的晶圆上的光刻胶残留物同时，对于基材如金属铝、银、钛、钨和非金属二氧化硅、氮化镓等基本无腐蚀，在半导体及LED晶片清洗等领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN103809394B

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201210451687.1

申请日：2012-11-12

申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司

发明人： 刘兵 ,  彭洪修 ,  孙广胜 ,  颜金荔

IPC分类号： G03F7/42

摘要： 本发明提供了一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液及其组成。这种去除光阻蚀刻残留物的清洗液含有氟化物，有机溶剂，水，氧化剂以及螯合剂。本发明所公开的去除光阻蚀刻残留物的清洗液不含有任何无机或有机纳米或微米颗粒。该清洗液在去除晶圆上的光阻残留物同时，对于基材如金属铝，非金属二氧化硅等基本无腐蚀，在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN109251680A

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201710570237.7

申请日：2017-07-13

申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司

发明人： 李守田 ,  尹先升 ,  贾长征 ,  王雨春

IPC分类号： C09G1/02

CPC分类号： C09G1/02

摘要： 本发明提供了一种化学机械抛光液，包含氧化铈研磨颗粒、苯甲酸类化合物及pH调节剂。采用上述组分配比的抛光液，能够显著提高其对二氧化硅介质层的抛光速率，抑制对氮化硅的抛光速率，提高二氧化硅对氮化硅的选择比，同时克服了现有技术中抛光速率不均匀的问题。

公开(公告)号：CN109251679A

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201710570211.2

申请日：2017-07-13

申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司

发明人： 李守田 ,  尹先升 ,  贾长征 ,  王雨春

IPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/3105

CPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/3105

摘要： 本发明提供了一种化学机械抛光液，所述化学机械抛光液包含氧化铈磨料、低聚糖及pH调节剂。本发明还提供了一种采用上述配方的化学机械抛光液在二氧化硅介质表面抛光中的应用。采用上述配方的化学机械抛光液，能够保持低的缺陷度的同时显著提高氧化铈磨料对二氧化硅介质材料的抛光速率。

公开(公告)号：CN109251678A

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201710570204.2

申请日：2017-07-13

申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司

发明人： 李守田 ,  尹先升 ,  贾长征 ,  王雨春

IPC分类号： C09G1/02

CPC分类号： C01F17/00 ,  C07H3/06 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14

摘要： 本发明提供了一种化学机械抛光液，其特征在于，所述化学机械抛光液包含氧化铈磨料低聚糖及pH调节剂。本发明还提供了一种采用上述配方的化学机械抛光液在二氧化硅介质表面抛光中的应用。采用上述配方的化学机械抛光液，能够保持低的缺陷度的同时显著提高氧化铈磨料对二氧化硅介质材料的抛光速率。