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公开(公告)号：CN118240484A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202211664038.X
申请日：2022-12-22
申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种化学机械抛光液，包括水，研磨颗粒，钨抛光促进剂、稳定剂、过氧化物、第一腐蚀抑制剂、第二腐蚀抑制剂。本发明中的化学机械抛光液，协同使用两种腐蚀抑制剂，同时配合特定含量范围的其他添加剂，可以显著减少钨静态腐蚀速率，同时保证较高的钨的抛光速率，更加符合实际生产需求。
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公开(公告)号：CN111378370B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201811627087.X
申请日：2018-12-28
申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC分类号： C09G1/02
摘要： 本发明提供了一种化学机械抛光液，包括二氧化硅研磨颗粒、抛光速率促进剂、pH调节剂、抗氧化变色剂和水。本发明的化学机械抛光液通过在抛光液中使用抗氧化变色剂，减少了抛光速率促进剂的消耗，从而减少了抛光液在使用中由于抛光速率促进剂的消耗而产生的副产物，使抛光液在循环使用中，较长时间不发生颜色变化，提高了抛光液的稳定性和循环利用率。
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公开(公告)号：CN113130291A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911402493.0
申请日：2019-12-30
申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司
摘要： 本发明提供一种用于清洗晶圆清洗刷的水基清洗液，包括碱、去离子水、阴离子表面活性剂、以及非离子表面活性剂。本发明的清洗液可以用于清洗在万级环境内安装、拆卸、储存的晶圆清洗刷，可以快速洗去晶圆清洗刷上可转移到晶圆表面的污染物。对人体腐蚀危害小。清洗液用量少，不需要加热，常温下可以快速洗去刷子上可转移到晶圆表面的污染物。
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公开(公告)号：CN111378374A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811627140.6
申请日：2018-12-28
申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC分类号： C09G1/02
摘要： 本发明提供了一种化学机械抛光液，包括二氧化硅研磨颗粒、硝酸铁、氧化剂、有机酸、聚乙二醇和接枝共聚的聚乙烯亚胺，其中，所述二氧化硅研磨颗粒表面带正电。本发明的化学机械抛光液与含有聚季铵盐的抛光液相比，胶体稳定性高。另外，本发明的抛光液中添加了接枝共聚的聚乙烯亚胺，大幅降低了含钨晶圆表面的碟形凹陷，改善了晶圆表面平整度，进一步提高了抛光效果。
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公开(公告)号：CN111378368A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811627080.8
申请日：2018-12-28
申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC分类号： C09G1/02
摘要： 本发明提供了一种化学机械抛光液，包括二氧化硅研磨颗粒，唑类化合物，pH调节剂和水，其中，所述二氧化硅研磨颗粒表面接枝了一种分子末端带有磺酸基的有机物。本发明的抛光液大幅提高了抛光液胶体的稳定性，减少了抛光过程中晶圆表面研磨颗粒的残留，提高了抛光液的循环利用率。
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公开(公告)号：CN118256156A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211698530.9
申请日：2022-12-28
申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC分类号： C09G1/02 , C23F3/06 , H01L21/306
摘要： 本发明提供了一种化学机械抛光液，包括水、氧化物研磨颗粒、催化剂、稳定剂、氧化剂和pH调节剂，其中，所述氧化物研磨颗粒表面由有机官能团修饰。本发明中的化学机械抛光液，通过在研磨颗粒表面修饰官能团，能够在不影响抛光液对钨等材料的抛光速率的前提下，有效减少抛光后晶圆表面的缺陷，有效改善抛光后晶圆表面的形貌。
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公开(公告)号：CN113122140A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911397828.4
申请日：2019-12-30
申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC分类号： C09G1/02
摘要： 本发明提供一种化学机械抛光液，包括研磨颗粒、催化剂、稳定剂、氧化剂、氮化硅抑制剂、水、以及pH调节剂。本发明提供了一种可以同时抛光金属钨、氧化硅和氮化硅的化学机械抛光组合物，该抛光液具有很高的钨抛光速率和中等的二氧化硅抛光速率，同时在具有很低的氮化硅抛光速度，起到在不影响前二者速度的情况下保护底层材料氮化硅的作用。
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公开(公告)号：CN111378973A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811654601.9
申请日：2018-12-28
申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种化学机械抛光液，包括二氧化硅研磨颗粒、含卤素的氧化剂、抛光速率促进剂和水。其中，所述二氧化硅研磨颗粒表面接枝了一种分子末端带磺酸基的有机物。本发明还提供了一种上述化学机械抛光液在铜和硅抛光中的应用。本发明的优点在于：1)本发明的抛光液使用了含卤素的氧化剂，对铜和硅都有很高的抛光速率；2)本发明的抛光液采用表面接枝了分子末端带磺酸基的二氧化硅研磨颗粒，大幅提高了抛光液胶体的稳定性；3)在抛光过程中减少晶圆表面研磨颗粒的残留，提高了抛光品质，降低了抛光缺陷，从而提升了产品的良率。
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公开(公告)号：CN111378370A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811627087.X
申请日：2018-12-28
申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC分类号： C09G1/02
摘要： 本发明提供了一种化学机械抛光液，包括二氧化硅研磨颗粒、抛光速率促进剂、pH调节剂、抗氧化变色剂和水。本发明的化学机械抛光液通过在抛光液中使用抗氧化变色剂，减少了抛光速率促进剂的消耗，从而减少了抛光液在使用中由于抛光速率促进剂的消耗而产生的副产物，使抛光液在循环使用中，较长时间不发生颜色变化，提高了抛光液的稳定性和循环利用率。
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公开(公告)号：CN111378375B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201811629420.0
申请日：2018-12-28
申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC分类号： C09G1/02
摘要： 本发明提供了一种化学机械抛光液，包括二氧化硅研磨颗粒、硝酸铁、有机酸，所述二氧化硅研磨颗粒表面带正电荷。本发明的化学机械抛光液，与含有有机膦酸的抛光液相比，胶体稳定性高。另外，本发明的抛光液中添加了氮化硅抛光速率抑制剂，在具有较高的钨抛光速率的前提下，适当抑制了氮化硅的抛光速率，满足了半导体生产中对抛光的要求。
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