一种低氧含量钼粉的制备方法

    公开(公告)号:CN110576180A

    公开(公告)日:2019-12-17

    申请号:CN201910911271.5

    申请日:2019-09-25

    IPC分类号: B22F3/04 B22F9/04 B22F1/00

    摘要: 本发明涉及一种低氧含量钼粉的制备方法,包括以下步骤:以2-10微米钼粉为原料,通过冷等静压机150-300MPa成型,然后用磨盘机破碎至100-200目并过100目筛,将粉末在1000-1500℃氢化处理,保温1-5h,粉末降温至室温后经氮气气氛气流粉碎并过100目筛,获得平均粒度为100目、氧含量为50-150ppm的钼粉。本发明工艺简单,直接在传统制备技术上延伸工艺,仅需少量投资,产能不受限制;更重要的是,氧含量极低,可把钼粉氧含量从一般的500-700ppm降低至50-150ppm。本发明的效果和益处是在制造成本、产品性能、规模化生产和环境友好等方面都展现出显著的竞争优势和利润空间。

    一种金属旋转靶材及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110394603A

    公开(公告)日:2019-11-01

    申请号:CN201910690077.9

    申请日:2019-07-29

    IPC分类号: B23P15/00 C23C14/34 C23C14/35

    摘要: 本发明提供了一种金属旋转靶材及其制备方法和应用,属于集成电路和平面显示制造技术领域。本发明提供的金属旋转靶材的制备方法,包括以下步骤:将金属板坯依次进行铣削、轧制、再结晶处理和车铣,得到金属靶坯;将所述金属靶坯依次进行弯曲变形和对焊,得到金属管状靶坯;将所述金属管状靶坯与不锈钢管绑定后,得到金属旋转靶材。本发明提供的制备方法能够有效地提高靶材的组织均匀性,极大地提高靶材利用率,且靶材致密度高,内部无缺陷,成品率高,制造成本低。

    一种溅射靶材及其制备方法和装置

    公开(公告)号:CN110295365A

    公开(公告)日:2019-10-01

    申请号:CN201910688578.3

    申请日:2019-07-29

    IPC分类号: C23C24/10 C23C14/34

    摘要: 本发明提供了一种溅射靶材及其制备方法和装置,属于溅射靶材制造领域。本发明提供的制备方法,包括以下步骤:在惰性气氛下,将金属粉末同步送粉至激光光斑处进行激光金属熔覆处理后进行冷却,得到溅射靶材。本发明采用激光金属熔覆工艺,利用激光光斑将同步送给的金属粉末进行逐层熔化,并结合冷却处理实现快速凝固、逐层沉积,使制备得到的溅射靶材具有晶粒细小,含氧量低,致密度高的特点,靶材品质高。且本发明提供的制备方法工艺简单,成形速度快,加工成本低,可实现金属零件的直接制造,适用范围广,可以制备目前市面存在的大部分金属靶材。

    一种金属靶材的制备系统
    64.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110284111A

    公开(公告)日:2019-09-27

    申请号:CN201910687597.4

    申请日:2019-07-29

    摘要: 本发明公开了一种金属靶材的制备系统,包括:中控台、冷水机组、真空室以及设置在真空室内的工作台、旋转机构、背管、移动机构、送料器和电子枪;工作台两端设置有旋转机构,旋转机构用于安装并固定背管的端部,中控台控制旋转机构带动背管沿圆周方向旋转;移动机构安装在背管的上方或一侧,且沿背管轴向方向来回移动,移动机构上设置有送料器和电子枪,中控台控制移动机构的运动;中控台控制电子枪发射电子束,电子束朝向背管表面;中控台控制送料器给背管表面进行送料;冷水机组通过连接管与背管连通;中控台利用冷水机组向背管内提供循环冷却水。本发明通过上述系统能够制备高纯度、高密度及晶粒均匀的金属靶材。

    一种旋转金属靶材及其制备方法和装置

    公开(公告)号:CN110257785A

    公开(公告)日:2019-09-20

    申请号:CN201910688136.9

    申请日:2019-07-29

    IPC分类号: C23C14/34 C22B9/22

    摘要: 本发明提供了一种旋转金属靶材及其制备方法和装置,属于靶材制备领域。本发明提供的制备方法包括以下步骤:在真空条件下,对金属管材进行高能电子束区域重熔处理后进行冷却,得到旋转金属靶材。本发明利用高能电子束对金属管材进行区域重熔,同时结合冷却处理,使旋转金属靶材具有高纯度,靶材内部无杂质,旋转金属靶材的晶粒尺寸细化。且提供的制备方法工艺简单,工艺过程易控制,加工设备便宜,成本低。

    一种靶材的制作方法
    66.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109023269A

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201811146501.5

    申请日:2018-09-29

    IPC分类号: C23C14/34 C23C14/35

    摘要: 本发明公开一种靶材的制作方法。所述制作方法包括:采用电刷镀方式在靶坯的接触面制作第一膜层;采用电刷镀方式在背板的接触面制作第二膜层;所述第二膜层与所述第一膜层材质相同;用自来水将所述靶坯和所述背板冲净、吹干;将所述靶坯和所述背板叠合固定在加热平台上;叠合时所述靶坯的接触面的第一膜层与所述背板的接触面的第二膜层接触;打开所述加热平台,调节温度范围,所述温度范围为高于所述第一膜层和第二膜层的熔点,且小于所述靶坯和所述背板的熔点的温度范围;保温保压1小时后关闭所述加热平台;冷却后,完成所述靶坯与所述背板的结合,完成靶材的制作。采用本发明靶材的制作方法,可以提高靶材的结合率,提高靶材的质量。

    一种高纯高密硅锆合金靶材及其制备方法

    公开(公告)号:CN105483628B

    公开(公告)日:2018-10-02

    申请号:CN201510978711.0

    申请日:2015-12-24

    IPC分类号: C23C14/34 C22C1/05

    摘要: 本发明涉及一种高纯高密硅锆合金靶材,所述高纯高密硅锆合金靶材按原子百分比计,合金组成为:Si 88‑98at%,Zr 2‑15at%,硼粉余量,各组分原子百分比是百分百;硅酸锆球则与硅锆原料重量配比为1:1。本发明还公开了一种高纯高密硅锆合金靶材的制备方法,其制备的硅锆合金靶材,通入气体反应溅射成膜后发现其比用纯硅靶材反应溅射成膜后的耐摩擦性能提高4‑6倍,且在其它方面的性能基本上与纯硅靶材相同,甚至更为突出,大大提高了薄膜的实用性。

    一种旋转硅镁合金靶材及其制备方法

    公开(公告)号:CN105506564B

    公开(公告)日:2018-08-17

    申请号:CN201510978709.3

    申请日:2015-12-24

    摘要: 本发明涉及一种旋转硅镁合金靶材,其纯度大于99.9%,镁含量分别为30wt%、40wt%、50wt%,硅余量。本发明还公开一种制备旋转硅镁合金靶材的方法,工艺如下:预处理:对不锈钢背管进行预处理,其中包括清洗,喷砂粗化;喷涂粘结层:即利用电弧喷涂,在不锈钢背管喷涂一层0.2‑0.5mm厚的镍铝合金涂层,所述涂层起连接不锈钢背管和后续喷涂的靶材材料作用;等离子喷涂沉积硅镁涂层:利用等离子喷涂设备将配置好的硅镁粉熔射沉积在不锈钢背管上面形成硅镁涂层。本发明的靶材安全性能高,而且均匀性好。

    一种搅拌摩擦焊接靶材的装置及其方法

    公开(公告)号:CN105382404A

    公开(公告)日:2016-03-09

    申请号:CN201510978707.4

    申请日:2015-12-24

    摘要: 本发明涉及一种搅拌摩擦焊接靶材的装置及其方法,包括铟绑定装置和封装结构,所述搅拌摩擦焊接靶材的方法包括以下依次进行的步骤:1)在陶瓷靶材和金属基板的粘结面分别采用热涂覆法涂布焊接层;2)将步骤(1)中涂布完焊接层的陶瓷靶材和金属基板,水平放置在水平台上;3)调整高速旋转的金属丝,使其位置正好位于陶瓷靶材和金属基板的粘结面的两焊接层的缝隙处;4)开始绑定粘合焊接工作,调整好可控电机转速,并调整好水平台的移动速度,向金属丝的径向水平移动水平台。该方法可以有效克服传统电阻加热法焊接陶瓷靶材与金属基板热膨胀系数差异较大所引起的焊接后变形开裂。

    光学蒸镀用一氧化钛的制备方法

    公开(公告)号:CN105112850A

    公开(公告)日:2015-12-02

    申请号:CN201510569377.3

    申请日:2015-09-09

    发明人: 陈钦忠 张瑜

    IPC分类号: C23C14/08 B22F3/23

    摘要: 本发明提供一种光学蒸镀用一氧化钛的制备方法,其选取符合要求的钛与二氧化钛,并按1:0.98~1.02的摩尔比进行混合搅拌,将所得混合物取出,并利用干燥制粒机通过13Mpa的等静压处理,将反应完全的材料进行成型,过筛得半成品;之后进行抽真空及加热反应操作,最终冷却后出炉即得颗粒状的一氧化钛;所制得的颗粒状一氧化钛可直接作为光学蒸镀镀膜的材料,而且避免了因副产物的产生而导致的不易分离提纯的问题。