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公开(公告)号：CN101262025A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810036257.7
申请日：2008-04-18
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/111
摘要： 本发明公开了一种量子放大的p型量子阱红外探测器。该探测器包括：量子点共振隧穿二极管和p型量子阱有源层。其特征是：p型量子阱有源层集成在量子点共振隧穿二极管的本征GaAs量子点覆盖层上。其核心机理为利用p型量子阱有源层进行中、长波红外吸收，产生的空穴由共振隧穿二极管的双势垒附近的量子点俘获，引起共振隧穿电流的强烈变化，从而使得本发明的器件兼有量子点共振隧穿二极管的高量子放大倍率和p型量子阱探测器的正入射红外波段响应能力。克服了制约量子阱红外探测器应用性能的二个关键问题，即正入射禁戒和量子效率低。
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公开(公告)号：CN101252152A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810035501.8
申请日：2008-04-02
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/052 , H01L31/0376 , H01L31/075
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种可见—红外波段吸收的非晶薄膜太阳能电池，该电池包括：衬底，在衬底上通过磁控溅射方法生成的二个串联的薄膜太阳能子电池。所说的二个串联的薄膜太阳能子电池是由依次排列生成在衬底上的吸收红外波段的非晶碲镉汞薄膜子电池和吸收可见光波段的非晶硅薄膜子电池组成。在非晶硅薄膜子电池的顶层上生成有透明导电的ITO防反射层。本发明的最大优点是：拓宽了太阳光谱从可见—红外波段的吸收；其次，薄膜电池采用非晶材料，制备工艺简单，造价低廉，同时不受衬底生长条件的限制，可以选择价格低廉的衬底，能够降低电池的制造成本。
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公开(公告)号：CN101251627A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810035323.9
申请日：2008-03-28
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种光子晶体波导偏振分束器。它是在二维碲介电柱光子晶体中引入线缺陷形成耦合波导的结构，利用TE光和TM光的波导耦合长度不同实现TE光和TM光的分光。采用二维光子晶体波导实现偏振分束器的特点是：首先，与现有各类偏振分束器件相比，它可以实现高偏振度、高消光比的偏振分光。其次，器件的尺寸可以做得很小，并与现有的光子晶体器件在结构上兼容，满足集成化的要求。第三，结构非常灵活，可以通过调节耦合区长度或晶格常数，实现波长在3.5到35μm范围内的任意一波长的偏振分光。本发明还介绍了该偏振分束器的设计思路、具体的结构设计以及在此设计思想下所获得的偏振分束器的光学性能等。
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公开(公告)号：CN101231309A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810033719.X
申请日：2008-02-20
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种判断氮化镓基发光二级管非辐射复合中心浓度的方法，该方法是通过实测器件电致发光光谱随外注入电流的变化规律与理论计算的结果进行比对，来判断器件结构中非辐射复合中心浓度的大小。本发明方法操作简便，无破坏性；能快速对GaN基LED器件内非辐射复合中心浓度高低的相对状态进行检测，及时推进生产工艺的改进，有利于器件产品的应用分级，对于产品升级换代、降低成本和提高生产效率都具有明显作用。
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公开(公告)号：CN101221203A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710172700.9
申请日：2007-12-21
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01R29/24
摘要： 本发明公开了一种检测碲镉汞薄膜光伏器件有害界面电荷的方法，该方法是利用一束光子能量大于被测器件带隙的超快脉冲激光背照射HgCdTe器件，利用数字示波器测量光伏器件两电极间的瞬态光伏信号与时间的演化关系，根据外电路测量到的界面电荷诱导电场和pn结电场形成的光生电动势在时间维度上被分离，通过对界面电荷诱导电场形成的光生电动势和有冶金pn结内建电场形成的光生电动势的指认，可以较方便地获取对器件光电响应有很大影响的界面电荷的信息。这是一种方便、快速、无损伤的鉴别方法，对于改善器件性能，提高器件稳定性，以及指导人们探索新型器件都有着十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN100359365C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200510110631.X
申请日：2005-11-23
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管指示笔，该指示笔包括：GaN基发光二极管，在GaN基发光二极管的发光面上置有方向选择性很高、带通很窄的窄带滤光膜层，在滤光膜层的前面置有透镜。本发明的优点是：发光二极管发出的光，经过窄带滤光膜层使得只有近乎正入射的光才能透射出来，同时，窄带滤光片本身只能透过很窄波长范围的光，从而使得最终发出的光单色性很好，与激光非常接近，然后再加上一个透镜，使光束在使用的范围内光斑都很小，而光束本身并非是相干的激光，亮度均匀，不会像激光笔那样出现很多让人眼感觉不适的闪光点，因此可以替代激光笔作为很好的指示笔用。
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公开(公告)号：CN100334471C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200510029389.3
申请日：2005-09-02
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种具有多腔结构的窄带滤光片列阵，它是利用多个F-P结构膜系来形成多腔，通过组合镀膜或组合刻蚀方法来形成谐振腔层列阵，以达到控制每个微型窄带滤光片的带通峰位，从而实现不同带通峰位窄带滤光片在同一块基片上集成的目的。这种结构适用于各个波段多腔窄带滤光片列阵。这种结构的优点是滤光片的带通矩形度好，易于多通带集成，可以更多地获取各光谱通带内的信号、同时更好地抑制掉通带外的噪声，大大提高信噪比，能够满足工程化和实用化需要。
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公开(公告)号：CN1996685A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610148067.5
申请日：2006-12-27
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01S3/107 , H01S3/08 , H01L31/068 , G02F1/015
摘要： 本发明公开了一种被动式饱和箝位输出光强连续可调的碲镉汞光限幅器，该光学限幅器包括：一对分布布拉格反射镜形成的F－P光学谐振腔和置于F－P光学谐振腔中间的作为吸收层的HgCdTe光电二极管及施加于HgCdTe光电二极管的直流稳压电源。本发明的优点是：1.由于吸收层采用HgCdTe光电二极管，通过控制施加于HgCdTe光电二极管的反向偏压来达到双光子吸收系数的人为调控；通过F－P光学谐振腔来增大双光子吸收材料的等效吸收长度，从而实现在一定范围内对大功率激光器的输出光强精确连续可调和饱和箝位。2.由于吸收波长可通过HgCdTe材料中Cd组分来调节，因此，这种光学限幅器可以在整个红外光学波段都能实现光学限幅要求。
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公开(公告)号：CN1945863A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610117009.6
申请日：2006-10-11
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L33/00 , H01L31/0304 , H01L29/20 , H01L21/20
摘要： 本发明公开了一种生长在Al2O3衬底上的复合缓冲层及制备方法，该复合缓冲层包括：依次排列生成的AlN层、GaN层、InN:Mn层及InN过渡层。制备方法采用MBE生长方式，首先采用高温氮化技术在Al2O3表面形成AlN层；再分三步进行GaN层生长；进一步在GaN层上，生长InN:Mn层；再生长InN过渡层。由于Mn的扩散系数较大，在InN薄膜生长时掺入少量的Mn原子可以起到活性剂作用，有利于InN的成核和InN成核岛之间的融合，使得InN:Mn在GaN层上很快由三维变为二维生长。为防止Mn的扩散对于后续InN单晶薄膜的物理性质的影响，在生长好InN:Mn层后，再生长InN过渡层。最后，在AlN－GaN－InN:Mn－InN复合缓冲层的基础上就可生长高质量的InN单晶薄膜。
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公开(公告)号：CN1298020C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200410089448.1
申请日：2004-12-13
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
摘要： 本发明提供一种用于氮化镓外延生长的复合衬底，该衬底由单晶硅片、二氧化硅层和单晶硅薄膜单元构成的阵列层组成。单晶硅薄膜单元为正方形，边长由光刻技术所能达到的最小线宽决定，厚度为2～100nm，单元间隔小于或等于所要生长GaN外延层的厚度。本发明的优点是结构简单，成本低廉，便于大规模生产，可以生长面积大、厚度大、位错密度非常低的GaN外延层，可用于制造发光亮度高、电学性质优良的GaN基半导体发光二极管、半导体激光器及其它光电子器件。
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