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公开(公告)号：CN104037101B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410259001.8
申请日：2014-06-12
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种基于化学机械抛光工艺的铟柱制备方法，该方法是在焦平面器件上光刻铟孔并蒸发铟膜，利用具有弱腐蚀性的化学抛光液，通过化学机械抛光工艺制备铟柱。该种方法制备的铟柱具有高度一致性好、平整度高和致密等优点，能满足大面阵焦平面器件倒装互连的要求。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。
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公开(公告)号：CN103310108B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310251793.X
申请日：2013-06-21
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G06F19/00
摘要： 本发明公开了一种红外焦平面探测器盲元筛选方法。本发明用于筛选面阵红外焦平面探测器中特定形状的盲元，并对其数量、连续盲元团簇的质心、连续盲元数等信息进行统计。本发明的方法步骤包括：1，生成待筛选的特定形状的盲元矩阵，2，求解探测器原始盲元数据中的连续盲元信息，3，寻找包围连续盲元团簇的最小盲元团簇矩阵，4，求解最小盲元团簇矩阵的信息，5，循环判断连续盲元团簇矩阵中是否包含待筛选的特定形状的盲元，6，统计保存筛选结果。本发明的优点是实现了特定形状的盲元筛选的自动化，提高了盲元筛选的效率，并且本发明使用的方法计算过程简单、运算速度快。
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公开(公告)号：CN104889573A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510295613.7
申请日：2015-06-02
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： B23K26/364
摘要： 本发明公开了一种用激光切割碲镉汞薄膜的方法，它包括以下步骤：1、利用作图软件绘制切割路径，保存图形文档。2、将样品放在激光加工平台上，调节样品位置和水平，使激光聚焦在样品表面。3、设定激光加工系统的工作参数：波长：532nm/1064nm；脉宽：10ps～20fs；输出功率：10～200mW；扫描速度：200～2000mm/s；重复频率：500～1500Hz；重复次数：10～100次。4、样品切割。使用本发明进行碲镉汞薄膜切割能够获得宽度较窄、机械损伤小、边缘光滑、内部干净的切割槽，且操作简单，提高了工艺可靠性。
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公开(公告)号：CN103335725A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310251707.5
申请日：2013-06-21
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01J5/10
摘要： 本发明公开了一种校正光敏元辐射通量非均匀性的数据处理方法，该方法利用矩阵运算的方法，根据安装探测器的实际杜瓦组件的几何尺寸精确计算光敏元辐射通量矩阵后对测试得到的探测器响应率进行校正，主要步骤包括：1，测量杜瓦组件的几何参数；2，计算探测器的对角线长度；3，计算最大黑体扩展源直径；4，生成最大黑体扩展源位置矩阵；5，生成杜瓦窗口矩阵；6，生成探测器视场范围矩阵；7，计算探测器对角线上光敏元的辐照度向量；8，计算整个探测器上的光敏元辐射通量矩阵；9，校正探测器光敏元响应率。本发明的优点为：计算结果准确，计算速度快。
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公开(公告)号：CN103049647A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210506895.7
申请日：2012-11-30
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G06F19/00
摘要： 本发明公开了一种统计焦平面铟柱阵列高度数据的处理方法。本发明根据焦平面器件铟柱的形状特点对由激光共聚焦显微镜获取的焦平面表面形貌数据进行数据处理，最终获得整个器件的铟柱高度数值及其统计分布。本发明包括：1，获取焦平面器件表面形貌数据矩阵，并生成对应的坐标矩阵；2，通过计算确定铟柱高度统计分析的基本高度；3，利用基本高度分离单个铟柱的高度数据矩阵；4，计算单个铟柱的高度；5，统计所有铟柱的高度。本发明的优点是：1，利用本发明可以实现铟柱高度统计的自动化，为焦平面器件的倒焊互连工艺提供依据；2，本发明提供的数据处理方法，其统计结果客观准确，排除人工选点的数据不完整性。
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公开(公告)号：CN103022246A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210506767.2
申请日：2012-11-30
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种用于碲镉汞红外探测器衬底去除技术中的选择性湿法腐蚀工艺方法，该方法是在红外光敏感芯片和读出电路在冷压混成互连后，采用高选择比的无机酸腐蚀液，通过湿法腐蚀工艺，完全腐蚀衬底留下外延层，以展宽探测波段至可见光，减小衬底与读出电路间热应力失配导致的损伤，消除衬底荧光效应，从而提高探测器性能和模块的可靠性。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。
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公开(公告)号：CN101894848B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010198869.3
申请日：2010-06-11
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L27/144 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种集成有增透膜的光伏型碲镉汞红外焦平面及增透膜制备方法，该方法可以在保持碲镉汞红外焦平面模块结构的情况下，采用磁控溅射制备方法，通过工艺参数优化，低温生长了在特定的工作波段3.5～5um具有良好的增透射特性的增透薄膜，同时保证薄膜与碲镉汞红外探测器芯片衬底表面有很好的附着性，在高低温度变化过程中不脱落不改变性能。
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公开(公告)号：CN101894847B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201010182364.8
申请日：2010-05-21
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L27/144
摘要： 本发明公开了一种原位集成浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器，它采用在前视光场方向上原位集成红外镜面窗口的浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器的结构方案。浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器不仅具有微凸镜列阵型探测器能抑制串音和提高响应率的优点，而且还能通过将微透镜列阵与前视光场耦合界面迁移到红外镜面窗口位置，以减小受衍射极限限制的光敏元尺寸。这解决了微凸镜列阵型红外焦平面探测器受红外衍射极限严重限制的缺点。同时，折射率合适的低温环氧胶、二氧化硅和硫化锌等多种材料，都能方便地制作浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器的红外镜面窗口。因而本发明具有结构合理和可制作性好的特点。
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公开(公告)号：CN101719505B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200910198961.7
申请日：2009-11-18
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L27/144 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用直接将生长完碲化镉/硫化锌(CdTe/ZnS)复合介质钝化膜后的HgCdTe红外焦平面探测器光敏感元芯片，放置在真空腔体内进行低能等离子体植氢处理的钝化界面优化的技术方案，有效解决了碲镉汞红外焦平面钝化界面存在过多的未饱和悬挂键、界面电荷的问题。本发明方法具有工艺简单、操作快捷、可控性好和稳定性高的特点。
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公开(公告)号：CN101740502B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910198967.4
申请日：2009-11-18
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种碲镉汞微台面红外探测芯片的光敏感元列阵成形方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用先于碲镉汞红外焦平面探测芯片表面制作用于形成深微台面列阵芯片隔离沟槽的光刻胶掩蔽膜图形，然后利用旋转涂敷的方法往光刻胶掩蔽膜构成的沟槽图形内填充一定数量的碲镉汞材料的溴与氢溴酸混合腐蚀液，并通过控制光刻胶掩蔽膜形成的隔离沟槽图形的深度和腐蚀时间来控制深微台面列阵芯片所需的隔离沟槽深度的技术方案，有效解决了常规光敏感元列阵成形方法存在工艺损伤和占空比低的问题。本发明方法具有与HgCdTe探测芯片常规工艺完全兼容、低成本、高可控性、高均匀性和无工艺诱导电学损伤等特点。
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