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公开(公告)号：CN106159003A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510164655.7
申请日：2015-04-09
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0745 , H01L31/0224
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明提供了一种光伏装置，包括光源和光伏器件，所述光伏器件包括高阻光增益半导体衬底，位于所述高阻光增益半导体衬底上的石墨烯层，位于所述高阻光增益半导体衬底和所述石墨烯层上的第一电极和第二电极，其中，所述第一电极的一部分与所述高阻光增益半导体衬底接触，另一部分与所述石墨烯层接触，所述第二电极的一部分与所述高阻光增益半导体衬底接触，另一部分与所述石墨烯层接触，其中，所述光源发射的光的能量大于所述高阻光增益半导体衬底的带隙。该光伏装置充分利用各组成部分的优势，光电转换效率高。
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公开(公告)号：CN105734671A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410754298.5
申请日：2014-12-10
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 中国科学院物理研究所 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种高质量碳化硅晶体生长的方法，其包括位于高温区的碳化硅原料，位于温度低于原料区的籽晶，以及覆盖于原料之上的一层耐高温化学性能稳定的碳化物粉末层。相比于常规的气相传输法生长碳化硅晶体，本发明不同之处在于碳化硅原料表面上增加了一层耐高温化学性能稳定的碳化物粉末层，其优点是：耐高温化学性能稳定碳化物粉末层能够显著减少晶体中的包裹物缺陷，获得高质量的碳化硅晶体，提高了碳化硅晶体生长的成品率。
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公开(公告)号：CN105562692A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610122237.6
申请日：2016-03-03
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明涉及一种烧结模具，包括压头、模具主体、承压平台和垫片，所述模具主体上设置有多个腔体，所述压头和腔体的数量及位置相对应，所述压头固定在压板的第一面上；所述模具主体放置在所述承压平台上，所述垫片放置在所承压平台上并位于所述腔体内。本发明提供的烧结模具，在一个模具上设置多个腔体，可一次性热压合成烧结大批量样品，同时，由于多个腔体大小不同，可实现对多个腔体内的温度调控，使多个腔体内的温度可以互不相同，从而使一次获得的大批量样品实现完全差异化。且单个腔体内可以合成微量样品至微克量级，每个腔体直径分布在2-12.7mm之间，合成材料尺寸足够进行各项表征和物理性能测试。
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公开(公告)号：CN102965733B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210432144.5
申请日：2012-11-02
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺，利用氢原子可以在高温下与石墨颗粒反应生成气态的碳氢化合物或碳氢自由基，将石墨颗粒在原料中或从料面到晶体生长面的输运过程中消除，从而生长出无石墨包裹物导电碳化硅晶体；其过程为：将可提供氢原子的气体和氮气与惰性载气(氩气或者氦气)一起引入生长室内，在制备碳化硅晶体的温度下分解出氢原子，改变可以提供氢原子的气体流量以调节氢原子在生长室内的浓度，生长出无石墨包裹物的导电碳化硅晶体，提高晶体质量和产率。
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公开(公告)号：CN104445108A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410713474.0
申请日：2014-11-28
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明公开了一种GaN微晶及其合成方法。包括：将分别独立存在的金属Li和金属Ga作为原料，其中，金属Li和金属Ga的摩尔比为1:1～1:10；将金属Li和金属Ga置于高纯氮气气氛下加热至415～575℃的预定温度，然后在预定温度下保持预定时间，得到GaN微晶。采用Li和Ga作为原料，可以在低温及氮气气氛下合成GaN微晶。这是由于Li可以在低温、甚至常温、常压下与氮气化合生成Li3N，该反应为放热反应，随着加热，Li3N在形成过程中放出的热量使得反应温度达到Li3N与Ga反应的温度，促进了两者反应生成GaN。该合成方法具有合成温度低，且无有毒气体NH3，实现了在低温和氮气下GaN微晶的合成。
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公开(公告)号：CN103197484A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210004093.6
申请日：2012-01-06
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明涉及一种用4H碳化硅晶体制造的非线性光学器件。该非线性光学晶体用于改变具有特定频率的至少一束激光(12)，产生至少一束不同于所述频率的另一特定频率的激光(16)，所述非线性光学晶体为4H碳化硅晶体(13)。由于4H碳化硅晶体具有很高的激光损伤阈值、较宽的透光范围(0.38-5.9μm及6.6-7.08μm)、较大的二阶非线性光学系数(d15＝6.7pm/V)、较大的双折射、高热导率(490Wm-1K-1)以及高化学稳定性等特点，使得本发明的非线性光学器件在输出高功率、高光束质量的中红外激光方面更好地满足实际应用需求，具有显著地实际应用价值。
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公开(公告)号：CN102373506B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201010256345.5
申请日：2010-08-17
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明提供一种在SiC衬底上外延生长石墨烯的方法以及由该方法制得的石墨烯和制备石墨烯器件的方法，该方法包括以下步骤：采用对SiC衬底图形化的制备技术，在SiC衬底表面形成图形阵列；对图形化的SiC衬底进行热分解，在SiC衬底表面形成石墨烯。应用本发明的方法能够获得连续、均匀、无褶皱的高质量石墨烯，并且由于图形衬底上每个图形的定域性好，有利于对获得的石墨烯进行器件工艺制作，有利于实现晶片尺寸的石墨烯器件和石墨烯器件的广泛应用。
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公开(公告)号：CN102560672A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010617407.0
申请日：2010-12-31
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： C30B29/36
摘要： 本发明公开了一种半绝缘碳化硅单晶材料。该半绝缘碳化硅单晶或单晶片具有室温下大于1E5Ω·cm的电阻率，热退火后电阻率保持大于1E5Ω·cm。半绝缘碳化硅单晶或单晶片中至少含有一种补偿掺杂剂，该掺杂剂的电子能级距离碳化硅带隙边缘足够远以免产生导电；该补偿掺杂剂的浓度不小于晶体中浅施主能级和浅受主能级的浓度之间的差值，要求大于5×1016cm-3，使固定在深能级的掺杂剂浓度足够浅能级杂质；该掺杂剂的浓度小于5*1017cm-3，以防止由于掺杂剂析出而导致的碳化硅结构缺陷；碳化硅单晶或单晶片的电阻率在1200℃热退火后电阻率保持大于1E5Ω·cm。
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公开(公告)号：CN101580964B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200810106313.X
申请日：2008-05-12
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明提供了一种用于物理气相传输法生长高质量碳化硅晶体的籽晶托，该籽晶托包括石墨基底和设置在石墨基底表面上的致密膜层。该致密膜层在高温下稳定而且致密，消除了石墨基底由于多孔性带来的缺陷。由于膜层的致密性，抑制了晶体背面蒸发所产生的蒸气从石墨基底孔隙中逸出，消除了晶体生长过程中由背面蒸发导致的平面六角缺陷，极大地提高了碳化硅晶体质量及产率。
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